抗蚀剂图案形成方法技术

本发明专利技术涉及抗蚀剂图案形成方法。本发明专利技术提供抗蚀剂图案形成方法；使用非化学增幅抗蚀剂组成物，将曝光后的抗蚀剂膜用干蚀刻进行显影形成正型或负型的抗蚀剂图案，该非化学增幅抗蚀剂组成物在使用高能射线的光学光刻中，感度及极限分辨率优良。一种抗蚀剂图案形成方法，包含下列步骤：(i)使用含有选自式(1)表示的超原子价碘化合物及式(2)表示的超原子价碘化合物中的至少1种超原子价碘化合物、羧酸化合物及溶剂的抗蚀剂组成物，于基板上或于叠层有下层膜的基板的该下层膜上形成抗蚀剂膜、(ii)对抗蚀剂膜以高能射线进行曝光、(iii)将曝光后的抗蚀剂膜进行热处理、及(iv)将热处理后的抗蚀剂膜用干蚀刻进行显影形成抗蚀剂图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于抗蚀剂图案形成方法。

技术介绍

1、随着iot市场的扩大，lsi的高集成化、高速化及低消费电力化被进一步要求，且图案规则的微细化也在急速进展。尤其，逻辑器件正引领着微细化。就最先进的微细化技术而言，arf浸润式光刻的双重图案化、三重图案化及四重图案化所为的10nm节点的器件的量产已在进行，此外，下一代的波长13.5nm的极紫外线(euv)光刻所为的7nm节点器件的探讨已在进展。

2、半导体制造中的抗蚀剂显影步骤目前主要利用使用了碱水溶液或有机溶剂作为显影液的湿式处理(湿式显影)来实施。但是，伴随抗蚀剂图案的微细化，湿式处理所为的显影受到图案的膨润、液体的表面张力的影响逐渐变大。

3、相对于此，有借由利用使用了等离子的蚀刻法的干式处理(干式显影)来实施显影的方法。该干式处理所为的显影不受图案的膨润、液体的表面张力的影响。因此，从以前就已进行用以将抗蚀剂显影步骤予以干式化的开发。

4、专利文献1报告借由使用采用了特定树脂成分的化学增幅正型抗蚀剂组成物，在显影步骤之前都和已知湿式处理同样地实施抗蚀剂膜的成膜、曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂图案形成方法，包含下列步骤：

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案形成方法，其中，该羧酸化合物为下式(3)表示者；

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案形成方法，其中，该高能射线为i射线、KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束或极紫外线。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的抗蚀剂图案形成方法，其中，步骤(iv)中，干蚀刻使用含有选自由氧气及四氟甲烷构成的群组中的至少1种的气体来实施。

【技术特征摘要】

1.一种抗蚀剂图案形成方法，包含下列步骤：

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案形成方法，其中，该羧酸化合物为下式(3)表示者；

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案形成方法，其中，该高能射线为i射线...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊地骏，草间理志，大山皓介，大桥正树，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：