图像传感器及图像传感器制造方法技术

技术编号:46625128 阅读:2 留言:0更新日期:2025-10-14 21:21
本申请案涉及一种图像传感器及一种图像传感器制造方法。将多层布线层层压在晶片上方。形成在所述多层布线层中的布线包含电容控制布线及FD‑SF布线。所述电容控制布线与浮动扩散部进行电容性耦合,且在所述电容控制布线上传输增加所述浮动扩散部的电位的升压信号。所述FD‑SF布线将所述浮动扩散部与源极跟随器晶体管连接。所述多层布线层包含FD连接层及第一控制线层。所述FD‑SF布线形成在所述FD连接层中。所述电容控制布线形成在所述第一控制线层中。在所述多层布线层中,所述第一控制线层是最接近于所述FD连接层的布线层。

【技术实现步骤摘要】

本说明书公开一种图像传感器及其制造方法。


技术介绍

1、举例来说,us2023/0179883 a公开一种光电转换设备。在光电转换单元(光电二极管)中累积的电荷通过转移晶体管被转移到浮动扩散单元。光电转换设备包括布线层。在布线层中,设置转移控制线、连接布线及屏蔽布线。用于转移晶体管的驱动信号被传输到转移控制线。连接布线将浮动扩散单元与放大晶体管的栅极连接。此外,屏蔽布线设置在连接布线与转移控制线之间。

2、在光电二极管中累积的电荷被转移到浮动扩散部。作为展示电荷的检测效率的值,使用转换增益。转换增益指示信号的每一个电子获得的信号电压[μv]或数字值(dn)。如果用少量的电子获得较大信号电压或较大数字值,那么转换增益为高的。如此,随着浮动扩散部的电容变得更小,转换增益会变得更高。

3、可将浮动扩散部比作存储电荷的阱。在浮动扩散部中,为了增加转换增益,必须降低电容以增加电位。当电位较小时,更可能发生例如其中电荷保留在光电二极管中的“滞后”或其中电荷从浮动扩散部注入到光电二极管的“注入”等现象。

4、另外,可能发生“馈通”,其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器,其包括:

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中

4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中

5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中

6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中

7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中

8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中

9.根据权利要求3所述的图像传感器,其中

10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中

11.根据权利要求3所述的图像传感器,其中</p>

12.根...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器,其包括:

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中

4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中

5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中

6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中

7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中

8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中

9.根据权利要求3所述的图像传感器,其中

10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中

11.根据权利要求3所述的图像传感器,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:井上郁子C·S·Y·李
申请(专利权)人:豪威科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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