【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体封装，包括具有增强的电特性的半导体封装。
技术介绍
1、高带宽存储器（hbm）封装可以包括在垂直方向上堆叠在逻辑芯片上的多个存储器芯片，并且存储器芯片可以通过接合层彼此接合。如果存储器芯片之间的接合状态良好，则hbm封装可以具有增强的性能，因此已经研究了增强存储器芯片之间的接合状态的方法。
技术实现思路
1、通常，根据一些方面，一种半导体封装可以包括第一半导体芯片、在垂直方向上堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片、在第二半导体芯片之间的接合层、以及在第一半导体芯片上并覆盖接合层和第二半导体芯片的侧壁的模制构件。沟槽可以形成在第二半导体芯片中的至少一个上。接合层可以至少部分地填充沟槽。
2、通常，根据一些方面，一种半导体封装可以包括第一半导体芯片、在垂直方向上堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片、在第二半导体芯片之间的接合层、以及在第一半导体芯片上并覆盖接合层和第二半导体芯片的侧壁的模制构件。第二半导体芯片中的至少一个可以在第二半导体芯片中的所述至少一个上包括...
【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述接合层完全填充所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述接合层部分地填充所述沟槽，并且空隙定位在所述沟槽中。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述沟槽定位在所述多个第二半导体芯片中的所述至少一个的边缘部分上。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，包括在所述多个第二半导体芯片中的所述至少一个的所述边缘部分上在水平方向上彼此间隔开的多个沟槽。
6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述沟槽与所述多个第二半导体芯片中的所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述接合层完全填充所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述接合层部分地填充所述沟槽，并且空隙定位在所述沟槽中。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述沟槽定位在所述多个第二半导体芯片中的所述至少一个的边缘部分上。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，包括在所述多个第二半导体芯片中的所述至少一个的所述边缘部分上在水平方向上彼此间隔开的多个沟槽。
6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述沟槽与所述多个第二半导体芯片中的所述至少一个的侧壁间隔开，所述侧壁与所述多个第二半导体芯片中的所述至少一个的所述边缘部分相邻。
7.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述沟槽的端部在所述垂直方向上与所述多个第二半导体芯片中的所述至少一个的侧壁对准。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个第二半导体芯片中的所述至少一个包括：
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述接合层包括非导电膜或管芯附接膜，并且所述模制构件包括环氧树脂模制化合物。
10.一种半导体封装，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述虚设焊盘设置在所述多个第...
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