半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别具有第一有源图案和第二有源图案的单元区域和芯区域以及位于单元区域与芯区域之间的边界区域，第一有源图案和第二有源图案具有至少部分地限定第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽的相应的相对的侧壁表面；器件隔离层，位于边界区域上，以填充沟槽；线结构，位于第一有源图案上并且从单元区域延伸到边界区域；以及盖图案，覆盖线结构的位于边界区域上的端部。器件隔离层包括至少部分地限定与线结构的端部相邻的凹进区域的一个或更多个内表面，并且盖图案沿着线结构的端部延伸到凹进区域中。器件隔离层的顶表面位于线结构与盖图案的底表面之间。线结构与盖图案的底表面之间。线结构与盖图案的底表面之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]本专利申请要求于2022年1月7日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0002824号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及半导体装置及其制造方法，并且具体地，涉及具有改善的可靠性的半导体存储器装置及其制造方法。

技术介绍

[0003]由于它们的小尺寸、多功能和/或低成本特性，半导体装置被认为是电子工业中的重要元件。作为半导体装置之一的存储器装置被配置为存储逻辑数据。随着电子工业的发展，存储器装置正变得更加高度集成。结果，构成存储器装置的元件的线宽正在减小。
[0004]除了更高的集成密度之外，存储器装置还需要更高的可靠性。然而，存储器装置的集成密度的增加会导致存储器装置的可靠性的劣化。因此，正在进行许多研究以改善存储器装置的可靠性。

技术实现思路

[0005]专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的可靠性的半导体存储器装置。
[0006]专利技术构思的一些示例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括：单元区域，包括第一有源图案；芯区域，包括第二有源图案；以及边界区域，位于单元区域与芯区域之间，其中，第一有源图案和第二有源图案具有至少部分地限定第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽的相应的相对的侧壁表面；器件隔离层，位于边界区域上，器件隔离层填充第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽；线结构，位于第一有源图案上，线结构从单元区域延伸到边界区域；以及盖图案，覆盖线结构的位于边界区域上的端部，其中，器件隔离层包括至少部分地限定与线结构的端部相邻的凹进区域的一个或更多个内表面，其中，盖图案沿着线结构的端部延伸到凹进区域中，并且其中，器件隔离层的顶表面位于线结构与盖图案的底表面之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，凹进区域包括水平延伸的底切区域，盖图案包括填充底切区域的下突出部，并且下突出部位于线结构下方并且与线结构的至少一部分竖直叠置。3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：栅电极，位于第一有源图案的上部的凹槽中，栅电极位于第一有源图案的第一源/漏区与第一有源图案的第二源/漏区之间；接触插塞，位于第二源/漏区上；以及数据存储元件，位于接触插塞上，其中，第一源/漏区电连接到线结构。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，数据存储元件包括电容器。5.根据权利要求3所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于盖图案的侧部处的虚设接触插塞。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，线结构沿与基底的顶表面平行地延伸的第一方向延伸，盖图案沿第一方向延伸，并且盖图案与线结构在第一方向上至少部分地叠置。7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：芯栅极结构，位于第二有源图案上；以及侧壁间隔件，位于芯区域上，以覆盖芯栅极结构的侧表面，其中，线结构的端部被盖图案直接覆盖，且侧壁间隔件不在线结构的端部与盖图案之间。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，盖图案包括停止图案和掩模图案，并且停止图案和掩模图案从单元区域穿过边界区域延伸到芯区域，以覆盖线结构、芯栅极结构和器件隔离层。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，停止图案和掩模图案包括氮化硅。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，线结构包括顺序地堆叠在单元区域的缓冲层上的导电图案、阻挡图案和位线。11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括：单元区域，包括第一有源图案；芯区域，包括第二有源图案；以及边界区域，位于单元区域与芯区域之间，其中，第一有源图案和第二有源图案具有至少部分地限定第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽的相应的相对的侧壁表面；器件隔离层，位于边界区域上，器件隔离层填充第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽；线结...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪智硕，吕晟溱，洪润基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：