一种晶圆结构制造技术

技术编号:38147928 阅读:9 留言:0更新日期:2023-07-13 09:11
本实用新型专利技术公开了一种晶圆结构,其中,包括;底座、插销部。所述插销部包括导电线及与导电线固定连接的插销板,所述导电线装配于插销板的外表面,且所述导电线远离所述插销板的一端倾斜设置,另一端与插销板固定连接。所述底座包括导电板、发射板、基板。本实用新型专利技术的一种晶圆结构,通过在原有的基板上加装导电板后,新增的导电板引导电流从发射板流向导电线的方向,减小等效电阻,装配导电板后电流流入导电板内部,在导电板内部汇聚后再流入插销部,在此过程中电流并没有横向途经发射板流动,因此并不会增大等效电阻,进而有效降低因电流聚集导致的晶圆结构失效的发生概率,极大的提高了晶圆结构整体在使用过程中的可靠性。了晶圆结构整体在使用过程中的可靠性。了晶圆结构整体在使用过程中的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆结构


[0001]本技术涉及半导体制造的
,尤其涉及一种晶圆结构。

技术介绍

[0002]随着电路半导体制造行业的加快,一种晶圆结构出现在大众视野中,在传统的晶圆封装过程中,人们设计出一种晶圆结构,但现有的晶圆在导电线的设置上直接铺设在基板的上方,导致电流在晶圆内部传输过程中出现电流分布不均匀,电流流通的路径太长,使得与导电线先连接的底座,电阻过大,电流容易在导电线附近聚集,市场上现有的晶圆结构,存在晶圆结构在使用时电流不稳且发热过量,导致晶圆结构失效无法正常使用,可靠性较低。本技术旨在传统的晶圆结构上进行改进和优化,使电流输出更稳定,减少晶圆结构发生失效的概率。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供了一种晶圆结构,目的在于克服现有技术存在大电流穿过晶圆结构导致晶圆结构整体失效的问题。
[0004]一种晶圆结构,其中,包括;底座、插销部;
[0005]所述插销部包括导电线及与导电线固定连接的插销板,所述导电线装配于插销板的外表面,且所述导电线远离所述插销板的一端倾斜设置,另一端与插销板固定连接;
[0006]所述底座包括导电板、发射板以及基板,所述发射板设置于所述导电板与所述基板之间,所述底座为长方体结构的底座;
[0007]所述插销板的底面与所述导电板的顶面固定连接;
[0008]所述底座为金属材质的底座。
[0009]所述的一种晶圆结构,其中,所述插销板与所述导电板相接触的一面为非平面结构的连接端面,所述插销板与所述导电板相互贴合后固定连接形成一体结构。
[0010]所述的一种晶圆结构,其中,所述连接端面的宽度小于所述导电板的宽度。
[0011]所述的一种晶圆结构,其中,所述连接端面为波浪形凹凸面结构。
[0012]所述的一种晶圆结构,其中,所述连接端面为齿形凹凸面结构。
[0013]所述的一种晶圆结构,其中,所述导电板的厚度为所述发射板厚度的十分之一至五分之一。
[0014]所述的一种晶圆结构,其中,所述插销板的面积不小于所述导电板的面积二分之一。
[0015]所述的一种晶圆结构,其中,所述插销板的厚度与所述导电板的厚度相同。
[0016]所述的一种晶圆结构,其中,所述导电线沿所述插销板的中轴线进行倾斜设置。
[0017]所述的一种晶圆结构,其中,所述导电线的倾斜角度为30
°
~60
°
,所述倾斜角度为插销板平面与所述导电线倾斜段的轴线之间的夹角。
[0018]与现有技术相比较,本技术具有以下优点:
[0019]本技术的一种晶圆结构,通过在原有的基板上加装导电板后,新增的导电板引导电流从发射板流向导电线的方向,减小等效电阻,装配导电板后电流流入导电板内部,在导电板内部汇聚后再流入插销部,在此过程中电流并没有横向途经发射板流动,因此并不会增大等效电阻,进而有效降低因电流聚集导致的晶圆结构失效的发生概率,极大的提高了晶圆结构整体在使用过程中的可靠性。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术实施例提供的一种晶圆结构的主视图;
[0022]图2为本技术实施例提供的一种晶圆结构的正视图;
[0023]图3为本技术实施例提供的一种晶圆结构的俯视图。
[0024]基板1、发射板2、导电板3、插销板4、导电线5、底座6、插销部7。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0026]应当理解,当在本说明书和所附权利要求书中使用时,术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0027]还应当理解,在本技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本技术。如在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样,除非上下文清楚地指明其它情况,否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0028]还应当进一步理解,在本技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合,并且包括这些组合。
[0029]在本技术实施例中公开了一种晶圆结构,请参阅图1以及图2,如图所示,晶圆结构包括;底座6、插销部7;所述插销部7包括导电线5及与导电线5固定连接的插销板4,所述导电线5装配于插销板4的外表面,且所述导电线5远离所述插销板4的一端倾斜设置,另一端与插销板4固定连接;所述底座包括导电板3、发射板2以及基板1,所述发射板2设置于所述导电板3与所述基板1之间,所述底座6为长方体结构的底座;所述插销板4的底面与所述导电板3的顶面固定连接;所述底座6为金属材质的底座。
[0030]本技术的一种晶圆结构为IGBT的晶圆结构,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)为绝缘栅双极型晶体管。
[0031]所述导电线5为键合线,用于插入其他元器件内部,从而实现与其他元器件进行电连接。
[0032]具体的,所述导电板3为稳定性强的金属材质(如金材质或银材质的材料)的导电板3,这种设置导电板方式进一步提升电流流动效率,使得导电板3与发射板2和插销板4之间的电阻减小,将晶圆结构安装到机器内部后,提升机器内各元器件的电流流畅度,减少因为电阻过大引起的元器件失效发生的概率,进一步的提高晶圆结构的工作的高效性以及可靠性。
[0033]进一步的,增加导电板进行叠加后,改变电流流动到导电线的方向,原有的电流方向一直是从基板流入发射板,进而从发射板的一侧进行发射至所述导电线的头部,增大了等效电阻,发热严重,增加导电板后,在导电板汇聚后流入导电线,无需在发射板的水平方向横向流动,因此不会增大等效电阻,减少发热量,提升装置整体的可靠性。加装导电板后,形成三层叠加设置结构,以使晶圆结构整体的发热率下降,降低晶圆结构在使用时整体发生的损坏的概率。
[0034]在本技术实施例中,请参阅图1以及图2,如图所示,所述插销板4与所述导电板3相接触的一面为非平面结构的连接端面,所述插销板4与所述导电板3相互贴合后固定连接形成一体结构。
[0035]具体的,这种非平面的结构设置方式,增加了本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构,其特征在于,包括;底座、插销部;所述插销部包括导电线及与导电线固定连接的插销板,所述导电线装配于插销板的外表面,且所述导电线远离所述插销板的一端倾斜设置,另一端与插销板固定连接;所述底座包括导电板、发射板以及基板,所述发射板设置于所述导电板与所述基板之间,所述底座为长方体结构的底座;所述插销板的底面与所述导电板的顶面固定连接;所述底座为金属材质的底座。2.根据权利要求1所述的一种晶圆结构,其特征在于,所述插销板与所述导电板相接触的一面为非平面结构的连接端面,所述插销板与所述导电板相互贴合后固定连接形成一体结构。3.根据权利要求2所述的一种晶圆结构,其特征在于,所述连接端面的宽度小于所述导电板的宽度。4.根据权利要求2所述的一种晶圆结构,其特征在于,所述连接端面为波浪形凹...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓梦王若楠符超张佳佳龚子雄
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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