半导体封装结构及其形成方法技术

本申请实施例提供一种半导体封装结构及其形成方法，该封装结构包括：第一芯片，所述第一芯片包括第一接触结构以及与所述第一接触结构电连接的第一硅通孔；所述第一芯片的背面具有沟槽，所述沟槽暴露所述第一接触结构；第二芯片，所述第二芯片包括第二接触结构；所述第一芯片和所述第二芯片通过所述第一接触结构与所述第二接触结构键合，构成具有空气隙的所述封装结构。所述封装结构。所述封装结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能化的方向发展，封装也向着高密度、高集成化的方向发展，对应的集成电路产品从二维转向三维。目前，在三维集成电路产品的先进封装工艺中，通常采用热压键合/非导电膜(Thermal
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compression Bonding
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Non Conductive Film，TCB
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NCF)技术来实现多层芯片的堆叠。其中，非导电膜用于释放热压键合过程中芯片之间的应力，这也是高带宽内存(High Band width Memory，HBM)产品的主流技术路线。但TCB
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NCF技术存在许多缺点与不足，例如NCF填充过程中易产生孔洞；易导致微凸块焊接不良等，从而影响封装结构的强度和密闭性。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体封装结构及其形成方法
[0004]第一方面，本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一芯片，所述第一芯片包括第一接触结构以及与所述第一接触结构电连接的第一硅通孔；所述第一芯片的背面具有沟槽，所述沟槽暴露所述第一接触结构；第二芯片，所述第二芯片包括第二接触结构；所述第一芯片和所述第二芯片通过所述第一接触结构与所述第二接触结构键合，构成具有空气隙的所述封装结构。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一接触结构和所述第二接触结构均间隔设置，每一所述第一接触结构对应连接于一个所述第二接触结构。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，朝向所述第一接触结构的部分所述第一硅通孔的周围设有阻挡层，所述阻挡层与部分第一衬底共同构成部分所述第一硅通孔的侧墙结构，所述侧墙结构间隔设置于所述沟槽内。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一接触结构为第一焊垫，所述第二接触结构为凸块或第二焊垫中的一种。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，当所述第二接触结构为第二焊垫时，所述侧墙结构还覆盖所述第一接触结构，所述空气隙形成于所述侧墙结构的周围。6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，当所述第二接触结构为凸块时，所述空气隙形成于所述侧墙结构、所述第一接触结构及所述凸块的周围。7.根据权利要求5或6中所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片背面除所述沟槽暴露的所述第一衬底、所述侧墙结构及所述第一接触结构外的其余所述第一衬底顶面覆盖有保护层，且所述空气隙的顶面与所述保护层顶面齐平。8.根据权利要求7中所述的封装结构，其特征在于，当所述第二接触结构为凸块时，所述保护层的顶面高于所述侧墙结构的顶面。9.根据权利要求1中所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片的正面还包括第三接触结构，所述第三接触结构与所述第一硅通孔朝向所述第一芯片正面方向的表面电连接。10.根据权利要求9中所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片与至少两个所述第一芯片键合形成堆叠封装结构。11.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛宇，庄凌艺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：