一种刻蚀机用晶片压环及采用其的刻蚀机制造技术

本实用新型专利技术涉及一种刻蚀机用晶片压环，包括圆环形的压环本体，压环本体下部固定连接或一体成型有沿压环本体圆周环绕一周的凹槽体，所述凹槽体的开口向下。本实用新型专利技术晶片压环，其与石英隔离环之间存在的间隙路径变得更为复杂、且距离延长。在腔体内同等真空条件下，相对只能有极少部分反应气体分子能够通过此间隙从阳极到达阴极。这样在此区域也就基本上没有反应气体分子离子化并轰击阴极，原来频繁出现的RF反射功率报警已几乎没有出现，同时也确保了稳定的刻蚀深度，保证了产品的稳定产出。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种刻蚀机用晶片压环及采用其的刻蚀机
本技术涉及一种半导体刻蚀设备，特别涉及一种刻蚀机用晶片压环及采用其的刻蚀机。
技术介绍
目前应用材料公司(AMAT)型号P5000刻蚀机，在实际生产过程中该设备经常出现RF反射功率报警现象，严重时还伴有晶片压环局部打火烧焦现象。同时工艺反馈当RF反射功率报警现象频繁时，产品所刻蚀深度也达不到产品要求。经设备软硬件调查发现原因如下:目前的AMATP5000设备，其腔体结构及配套晶片压环结构设计如图1所示。正常运行的状态下，在RF的作用下，工艺气体被等离子化后从晶片正上方向下轰击晶片以达到刻蚀目的，其他地方不应产生不必要的等离子体轰击现象。但是经过多次调查发现，晶片压环和石英隔离环之间存在着一道很小的空隙(如图1箭头所示)。由于该间隙路径较简单、距离较短，腔体内处于中真空状态，反应气体分子相对较多，部分反应气体分子能够通过该间隙从阳极到达阴极，在RF的作用下，该部分反应气体分子被离子化并直接轰击阴极。从而使得整个的RF POWER由此部分泄漏消耗，最终导致反射功率变高。由于该晶片压环是采用金属螺丝固定在阴极上，金属螺丝部位将不可避免的直接受等离子体的频繁轰击，因此在长期工作过程中会导致金属螺丝固定位局部打火，烧坏晶片压环，从而急剧缩短了晶片压环的使用寿命；同时由于反射功率的过高，导致实际正向刻蚀功率的减少，就会出现刻蚀深度变浅的现象，严重影响了工艺产品的稳定性及重复性。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有AMAT P5000刻蚀机台晶片压环的上述缺陷，提供一种刻蚀机用晶片压环及包括其的刻蚀机，该晶片压环结构与石英隔离环的配合间隙最大限度的缩小且尽量延长间隙，在腔体内同等真空条件下，相对只能有极少部分反应气体分子能够通过此间隙从阳极到达阴极。实现本技术目的的技术方案是:一种刻蚀机用晶片压环，包括圆环形的压环本体，压环本体下部固定连接有沿压环本体圆周环绕一周的凹槽体，所述凹槽体的开口向下。上述的刻蚀机用晶片压环，所述凹槽体的外圆周的纵向高度大于内圆周的纵向高度，此时更有利于防止RF的泄漏。上述的刻蚀机用晶片压环，所述压环本体圆周断面的内环处为小于30°的角。一种采用本技术所述的刻蚀机用晶片压环的刻蚀机，所述压环的凹槽体罩于石英隔离环上。本技术具有积极的效果:(1)本技术晶片压环，其与石英隔离环之间存在的间隙路径变得更为复杂、且距离延长。在腔体内同等真空条件下，相对只能有极少部分反应气体分子能够通过此间隙从阳极到达阴极。这样在此区域也就基本上没有反应气体分子离子化并轰击阴极，原来频繁出现的RF反射功率报警已几乎没有出现，同时也确保了稳定的刻蚀深度，保证了产品的稳定产出；(2)晶片压环在未改造前使用周期仅为一个月左右，通过改造后使用周期能够达到6个月左右，极大提高了晶片压环的使用寿命，节约了成本。【附图说明】为了使本技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中图1为现有P5000刻蚀机腔体及PF反应示意图。图2为本技术晶片压环圆周径向剖切示意图。图3为本技术晶片压环的主视图。图4为本技术晶片压环的俯视图。图5为采用本技术晶片压环刻蚀机的结构示意图。其中:1沿压环本体，2凹槽体，3外圆周，4内圆周，5石英隔离环，6腔体，7晶片，8等离子体，9RF发生器。【具体实施方式】(实施例1)见图2?5，本技术具有圆环形的压环本体I压环本体I下部一体成型有沿压环本体I圆周环绕一周的凹槽体2，所述凹槽体2的开口向下。凹槽体2的外圆周3的纵向高度大于内圆周4的纵向高度，压环本体I圆周断面的内环处为20°的角。一种采用前述晶片压环的刻蚀机，腔体6内具有石英隔离环5，所述压环的凹槽体2罩于石英隔离环5上，晶片7被压于晶片压环下，等离子体8位于晶片7之上，RF发生器9连接在电极上。(实施例2)本技术具有圆环形的压环本体I压环本体I下部固定连接如卡接有沿压环本体I圆周环绕一周的凹槽体2，所述凹槽体2的开口向下。凹槽体2的外圆周3的纵向高度大于内圆周4的纵向高度，压环本体I圆周断面的内环处为15°的角。一种采用前述晶片压环的刻蚀机，腔体6内具有石英隔离环5，所述压环的凹槽体2罩于石英隔离环5上，晶片7被压于晶片压环下，等离子体8位于晶片7之上，RF发生器9连接在电极上。本技术的晶片压环，其与石英隔离环之间存在的间隙路径变得更为复杂、且距离延长。在腔体内同等真空条件下，相对只能有极少部分反应气体分子能够通过此间隙从阳极到达阴极。采用本技术晶片压环结构的刻蚀机，设备工作稳定，无反射功率报警和打火现象，工艺方面反馈正常。以上所述的具体实施例，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀机用晶片压环，包括圆环形的压环本体（1）其特征在于：压环本体（1）下部固定连接或一体成型有沿压环本体（1）圆周环绕一周的凹槽体（2），所述凹槽体（2）的开口向下。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀机用晶片压环，包括圆环形的压环本体(I)其特征在于:压环本体(I)下部固定连接或一体成型有沿压环本体(I)圆周环绕一周的凹槽体(2)，所述凹槽体(2)的开口向下。2.根据权利要求1所述的刻蚀机用晶片压环，其特征在于:所述凹槽体(2)的外圆周(...

【专利技术属性】
技术研发人员：高清忠，
申请(专利权)人：苏州同冠微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32