晶片封装体及其制造方法技术

一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含：晶片、绝缘层、流动材料绝缘层以及导电层。晶片具有导电垫、侧面以及相对的第一表面与第二表面，侧面位于第一表面与第二表面之间，导电垫位于第一表面下，并凸出于侧面。绝缘层覆盖第二表面与侧面，而流动材料绝缘层位于绝缘层下，并具有缺口暴露凸出于侧面的导电垫。导电层位于流动材料绝缘层下，并延伸至缺口中接触导电垫。本发明专利技术能够提升晶片封装体内部线路间的绝缘性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种晶片封装体及一种晶片封装体的制造方法。
技术介绍
在各项电子产品要求多功能且外型尚须轻薄短小的需求之下，各项电子产品所对应的半导体晶片，不仅其尺寸微缩化，当中的布线密度亦随之提升，因此后续在制造半导体晶片封装体的挑战亦渐趋严峻。其中，晶圆级晶片封装是半导体晶片封装方式的一种，指晶圆上所有晶片生产完成后，直接对整片晶圆上所有晶片进行封装制程及测试，完成之后才切割制成单颗晶片封装体的晶片封装方式。在半导体晶片尺寸微缩化、布线密度提高的情形之下，晶片的绝缘性质是当今晶片封装技术重要的研发方向之一，以防止产生错误的电性连接。近年来，环氧树酯系材料因具有良好的绝缘性质、成本较低与制程简单的特性而广泛用于晶片封装体的绝缘层。然而，环氧树酯系材料具有流动性并易受重力影响而聚集，其将不利于形成均匀的绝缘层，而大幅降低晶片封装体的良率。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种晶片封装体与其制备方法，以提升晶片封装体内部线路间的绝缘性。本专利技术的一态样提供一种晶片封装体，包含晶片、绝缘层、流动材料绝缘层以及导电层。晶片具有导电垫、侧面以及与相对的第一表面与第二表面，侧面位于第一表面与第二表面之间，导电垫位于第一表面下，并凸出于侧面。
绝缘层覆盖第二表面与侧面，而流动材料绝缘层位于绝缘层下，并具有缺口暴露凸出于侧面的导电垫。导电层位于流动材料绝缘层下，并延伸至缺口中接触导电垫。根据本专利技术一或多个实施方式，绝缘层的材质包含氧化物、氮化物、氮氧化物、或其组合。根据本专利技术一或多个实施方式，绝缘层的材质包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其组合。根据本专利技术一或多个实施方式，流动材料绝缘层的材质包含环氧树脂。根据本专利技术一或多个实施方式，绝缘层的厚度介于0.5至1.5微米之间。根据本专利技术一或多个实施方式，流动材料绝缘层在第二表面下的厚度介于20至25微米之间。根据本专利技术一或多个实施方式，流动材料绝缘层在侧面下的厚度介于6至10微米之间。根据本专利技术一或多个实施方式，晶片封装体还包含：保护层，位于该导电层下，并具有开口暴露导电层；以及外部导电结构，位于开口中，并接触导电层。根据本专利技术一或多个实施方式，其中晶片还包含感测区，位于第一表面下。根据本专利技术一或多个实施方式，晶片封装体还包含：间隔层，位于第一表面上，且环绕感测区；以及透明基板，位于间隔层上，且覆盖感测区。本专利技术的一态样提供一种晶片封装体的制造方法，包含下列步骤。先提供晶圆，晶圆包含导电垫、以及相对的第一表面与第二表面，其中导电垫位于该第一表面下。接着移除部分晶圆，以形成位于第一表面与第二表面之间的侧面，且导电垫凸出于侧面。再形成绝缘层覆盖第二表面与侧面，以及流动材料绝缘层覆盖绝缘层与导电垫。之后形成缺口于流动材料绝缘层中，以
暴露凸出于侧面的导电垫。最后形成导电层于流动材料绝缘层下，且导电层延伸至缺口中接触导电垫。根据本专利技术一或多个实施方式，晶圆还包含感测区，位于第一表面下。根据本专利技术一或多个实施方式，晶片封装体的制造方法还包含形成间隔层于第一表面上，并环绕感测区。接着形成透明基板于间隔层上，以覆盖感测区。根据本专利技术一或多个实施方式，晶片封装体的制造方法还包含：形成保护层于导电层下；以及形成开口于保护层中，以暴露导电层。根据本专利技术一或多个实施方式，晶片封装体的制造方法还包含形成外部导电结构于开口中，以接触导电层。根据本专利技术一或多个实施方式，晶片封装体的制造方法还包含下列步骤：沿缺口切割保护层、导电层、间隔层与透明基板，以形成晶片封装体。根据本专利技术一或多个实施方式，绝缘层以化学气相沉积法形成。根据本专利技术一或多个实施方式，流动材料绝缘层以涂布、沉积或印刷的方式形成。根据本专利技术一或多个实施方式，绝缘层的材质包含氧化物、氮化物、氮氧化物、或其组合。根据本专利技术一或多个实施方式，绝缘层的材质包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其组合。根据本专利技术一或多个实施方式，流动材料绝缘层的材质包含环氧树脂。附图说明图1绘示根据本专利技术部分实施方式的一种晶片封装体的剖面图；图2绘示根据本专利技术部分实施方式的晶片封装体的制造方法流程图；以及图3A-3H绘示图1的晶片封装体在制程各个阶段的剖面图。其中，附图中符号的简单说明如下：100：晶片封装体110：晶片112：导电垫114：感测区115：侧面116：第一表面117：第二表面120：间隔层130：透明基板140：绝缘层150：流动材料绝缘层152：缺口160：导电层170：保护层172：开口180：外部导电结构T1、T2、T3：厚度210-290：步骤300：晶圆310：切割道。具体实施方式以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务
上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。此外，相对词汇，如“下”或“底部”与“上”或“顶部”，用来描述文中在附图中所示的一元件与另一元件的关系。相对词汇是用来描述装置在附图中所描述之外的不同方位是可以被理解的。例如，如果一附图中的装置被翻转，元件将会被描述原为位于其它元件的“下”侧将被定向为位于其他元件的“上”侧。例示性的词汇“下”，根据附图的特定方位可以包含“下”和“上”两种方位。同样地，如果一附图中的装置被翻转，元件将会被描述原为位于其它元件的“下方”或“之下”将被定向为位于其他元件上的“上方”。例示性的词汇“下方”或“之下”，可以包含“上方”和“上方”两种方位。图1绘示根据本专利技术部分实施方式的一种晶片封装体100的剖面图。如图1所示，一晶片封装体100包含一晶片110、一间隔层120、一透明基板130、一绝缘层140、一流动材料绝缘层150、一导电层160、一保护层170与一外部导电结构180。晶片110具有导电垫112与感测区114，以及一侧面115与相对的第一表面116与第二表面117，其中侧面115位于第一表面116与第二表面117之间，并连接第二表面117与导电垫112。导电垫112与感测区114位于第一表面116下，且导电垫112凸出于晶片110的侧面115。在本专利技术的部分实施例中，感测区114位于两个导电垫112之间，并电性连接至此些导电垫112。在本专利技术的部分实施方式中，晶片110中具有半导体元件、内层介电层(ILD)、内金属介电层(IMD)、钝化层(passivation layer)与内连金属结构，其中导电垫112可为内连金属结构中的其中一层金属层。间隔层120位于第一表面116上，并且环绕感测区114。透明基板130位于间隔层120上，并覆盖感测区114。透明基板130可使光线通过，而间隔层120
使透明基板130与感测区114间维持一间距，并与透明基板130共同构成一凹穴，以保护感测区114。借此，当光线通过透明基板130到达感测区114后，可有效率的将入射的光信号转换为数字信号。在本专利技术的部分实施例中，间隔层120与第一表面116之间还具有一粘着层，以使间隔层120粘着至第一表面116上。绝缘层140覆盖第二表面117，且延伸覆盖侧面115，而流动材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包含：晶片，具有导电垫、侧面以及相对的第一表面与第二表面，该侧面位于该第一表面与该第二表面之间，该导电垫位于该第一表面下，并凸出于该侧面；绝缘层，覆盖该第二表面与该侧面；流动材料绝缘层，位于该绝缘层下，且该流动材料绝缘层具有缺口，该缺口暴露凸出于该侧面的该导电垫；以及导电层，位于该流动材料绝缘层下，并延伸至该缺口中接触该导电垫。

【技术特征摘要】
2015.05.20 US 62/164,2181.一种晶片封装体，其特征在于，包含：晶片，具有导电垫、侧面以及相对的第一表面与第二表面，该侧面位于该第一表面与该第二表面之间，该导电垫位于该第一表面下，并凸出于该侧面；绝缘层，覆盖该第二表面与该侧面；流动材料绝缘层，位于该绝缘层下，且该流动材料绝缘层具有缺口，该缺口暴露凸出于该侧面的该导电垫；以及导电层，位于该流动材料绝缘层下，并延伸至该缺口中接触该导电垫。2.如权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层的材质包含氧化物、氮化物、氮氧化物、或其组合。3.如权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层的材质包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其组合。4.如权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该流动材料绝缘层的材质包含环氧树脂。5.如权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层的厚度介于0.5至1.5微米之间。6.如权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该流动材料绝缘层在该第二表面下的厚度介于20至25微米之间。7.如权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该流动材料绝缘层在该侧面下的厚度介于6至10微米之间。8.如权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包含：保护层，位于该导电层下，并具有开口，该开口暴露该导电层；以及外部导电结构，位于该开口中，并接触该导电层。9.如权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片还包含：感测区，位于该第一表面下。10.如权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，还包含：间隔层，位于该第一表面上，且环绕该感测区；以及透明基板，位于该间隔层上，且覆盖该感测区。11.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：提供晶圆，该晶圆包含导电垫、以及相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭怡茵，黄铭杰，林锡坚，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71