去除磷硅玻璃的设备和方法技术

本发明专利技术公开了一种去除磷硅玻璃的设备和方法，该方法包括：将扩散完成后的硅片放置在第二密封容器中；将N2通入到氢氟酸溶液中，通过N2将含水的氟化氢气体通入第二密封容器中，其中，所述氢氟酸溶液存储在第一密封容器中；在第二密封容器中，含水的氟化氢气体与硅片表面的PSG反应，去除硅片表面的PSG；从第二密封容器中排出反应生成物。本发明专利技术提供的去除磷硅玻璃的方法，由于含水的氟化氢气体与硅片表面的PSG的反应是在密封设备中进行的，因此，降低了人接触剧毒化学品氢氟酸的概率，增加了生产的安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池的生产加工领域，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
近年来，太阳能电池片生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展，逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能力转换的光电兀件，它可以在太阳光的照射下，把光能转换为电能，实现光伏发电。作为清洁环保的新能源，太阳能电池的应用越来越普及，但是太阳能电池片的生产工艺比较复杂，目前的太阳能电池片的生产过程可以分为以下几个主要步骤 I)损伤层的去除及绒面制备，通过化学反应除去硅片表面的切割损伤层，同时得到合理的粗糙表面，以增强光的吸收；2)扩散制作PN结，将P型的硅片放入扩散炉内，通过硅原子之间的空隙使N型杂质原子由硅片表面层向硅片内部扩散，形成PN结，使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就使硅片具有光伏效应；3)表面PSG (phosphate silicate glass,即磷娃玻璃)的去除,去除娃片在扩散的过程中表面生成的PSG，避免因玻璃层的存在而影响金属电极与硅片的接触，从而提高电池的转换效率；4)周边PN的去除，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封设备，用于去除磷硅玻璃PSG，其特征在于，包括：存储氢氟酸溶液的第一密封容器和放置硅片的第二密封容器，其中，第一密封容器包括第一进气口和第一出气口，第二密封容器包括第二进气口和第二出气口，所述第一进气口连接N2输入管路，第一出气口连接第二进气口，第二出气口连接废气排放管路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马红娜，张红妹，马桂艳，胡海波，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：