一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法技术

本发明专利技术公开一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于包括以下步骤：将已制绒的硅片送入湿法氧化扩散炉反应炉管，加热时通入氮气，持续特定时间稳定反应腔内氛围后通入氮气、湿氧、氮气携带的液态三氯氧磷后进行沉积，完成后停止氮气、三氯氧磷供给，继续通入湿氧，然后提高加热温度，进一步氧化，结束氧化后通入氮气进行冷却。本发明专利技术方法制作的二氧化硅膜提高了掩膜的结构致密性和均匀性，有效阻挡二次磷原子的扩散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，主要应用于晶体硅选择性发射极电池制掩膜方面，具体地说是一中种晶硅太阳能电池选择性发射极电池湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法。
技术介绍
太阳能电池主要发展方向是降低成本和提高转化效率，目前标准的太阳能电池生产方式下，效率的提升已经接近了极限，光伏业界都把目光集中在了高效电池工艺上。在众多技术中，选择性发射极电池是生产工艺中有希望提高效率的方法之一，所谓的选择性发射极结构是在电极栅线下机器附近形成高掺杂神扩散区，在其他区域形成低掺杂浅扩散区。其中两次扩散法制备的选择性发射极电池工艺中由第一次氧化扩散得到的氧化层作为扩散阻挡层，然后由光刻或腐蚀浆料去除氧化层，再由普通扩散方式形成选择性发射极。 其中第一步扩散氧化制掩膜成为其核心技术之一，只有使该掩膜能够成功抵挡第二次重掺杂，才能形成选择性发射极的结构。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对目前通过普通扩散炉扩散氧化形成第一次浅扩散层不能够有效抵挡第二次扩散磷原子扩散的问题提出了。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现，其特征在于它包括以下步骤(I)将已经制绒的硅片送入湿法氧化扩散炉反应炉管，炉管温度在IOmin内加热至77本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将已经制绒的硅片送入湿法氧化扩散炉反应炉管，炉管温度在10min内加热至770？850℃，同时通入氮气流量5？8slm，持续3min；(2)通入氮气流量3？7slm，氧气流量300？500sccm，氮气携带三氯氧磷气体流量1300？1700sccm,持续15？18min；(3)通入湿氧流量2700？3000sccm,持续10？12min；(4)以4℃每分钟的速率升高炉管温度至870？890℃，同时通入氮气流量为10？13slm；(5)保持温度在870？890℃，通入湿氧流量为5？7slm，湿氧温度控制在70？80℃，持续15？...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仑，卢春晖，吴俊清，史孟杰，王丹萍，
申请(专利权)人：东方电气集团宜兴迈吉太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：