【技术实现步骤摘要】
一种改进的三维芯片集成结构及其加工工艺
本专利技术涉及微电子制造或处理半导体或固体器件的方法的
,具体涉及一种改进的三维芯片集成结构及其加工工艺。
技术介绍
随着微电子技术的不断进步,集成电路的特征尺寸不断缩小,互连密度不断提高。同时用户对高性能低耗电的要求不断提高。在这种情况下,靠进一步缩小互连线的线宽来提高性能的方式受到材料物理特性和设备工艺的限制,二维互连线的电阻电容(RC)延迟逐渐成为限制半导体芯片性能提高的瓶颈。硅穿孔(ThroughSiliconVia,简称TSV)工艺通过结合在晶圆中形成金属立柱,并配以金属凸点,可以实现晶圆(芯片)之间或芯片与基板间直接的三维互连,这样可以弥补传统半导体芯片二维布线的局限性。这种互连方式与传统的堆叠技术如键合技术相比具有三维方向堆叠密度大、封装后外形尺寸小等优点,从而大大提高芯片的速度并降低功耗。TSV技术需要经过深孔刻蚀、绝缘层沉积、种子层沉积、电镀、化学机械抛光等一系列工艺步骤,工艺繁琐,制造成本高,对设备的要求高,这是目前制约其广泛应用的原因之一。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供了一种改进的三维芯片集成结构,其结构简单,制造工艺要求低,进一步减小了芯片的封装体积,同时减少了TSV制造工艺步骤,较好地降低了工艺成本,本专利技术同时还提供了一种改进的三维芯片集成结构加工工艺。本专利技术的其技术方案是这样的:一种改进的三维芯片集成结构,其包括基板,转接板通过焊球或者凸点连接所述基板,上方芯片通过第一金属焊盘或者第一凸点连接所述转接板,所述上方芯片通过第二金属焊盘或第二凸点与下方芯片互连,所述基板 ...
【技术保护点】
一种改进的三维芯片集成结构,其包括基板,其特征在于:转接板通过焊球或者凸点连接所述基板,上方芯片通过第一金属焊盘或者第一凸点连接所述转接板,所述上方芯片通过第二金属焊盘或第二凸点与下方芯片互连,所述基板上设置有金属柱结构,所述上方芯片通过第三金属焊盘或者第三凸点连接所述金属柱结构。
【技术特征摘要】
1.一种改进的三维芯片集成结构,其包括基板,其特征在于:第一上方芯片和第二上方芯片分别通过第一金属焊盘或者第一凸点连接第一转接板和第二转接板,所述第一转接板和第二转接板分别通过焊球或者凸点连接所述基板,所述第一上方芯片一端和第二上方芯片中与第一上方芯片相对端通过第二金属焊盘或第二凸点与下方芯片互连,所述第一上方芯片和所述第二上方芯片分别通过第三金属焊盘连接第一金属柱结构和第二金属柱结构,所述第一金属柱结构和所述第二金属柱结构连接所述基板,所述第一上方芯片通过第一转接板、第一金属柱结构和下方芯片三点连接,所述第二上方芯片通过第二转接板、第二金属柱结构和下方芯片三点连接。2.根据权利要求1所述的一种改进的三维芯片集成结构,其特征在于:多个所述转接板分别通过焊球或者凸点连接所述基板。3.一种改进的三维芯片集成结构加工工艺,其特征在于,其包括以下步骤:(1)、在硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:靖向萌,
申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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