集成电路制造技术

本发明专利技术公开一种集成电路，其包含一切割道、一接触垫结构以及一延伸垫结构。该切割道是设置于一基底上。该接触垫结构是设置于该基底上的一介电层内，其中该接触垫结构包含多个第一插塞，该些第一插塞是设置在多个位于该介电层内的第一金属层之上。该延伸垫结构是设置在该介电层内，并位于该切割道与该接触垫结构之间，该延伸垫结构具有一第一区及第二区，并包含数量小于该第一金属层的多个第二金属层，其中，位于该第一区内的该多个第二金属层上设置有多个第二插塞，位于该第二区内的该多个第二金属层不设置任何插塞。

【技术实现步骤摘要】
集成电路
本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别来说，是关于一种可避免芯片裂痕的半导体集成电路。
技术介绍
在现代的信息社会中，由集成电路(integratedcircuit,IC)所构成的微处理器系统早已被普遍运用于生活的各个层面，例如自动控制的家电用品、移动通讯设备、个人电脑等，都有集成电路的踪迹。而随着科技的日益精进，以及人类社会对于电子产品的各种想象，使得集成电路也往更多元、更精密、更小型的方向发展。一般所谓集成电路，是通过现有半导体制作工艺中所生产的管芯(die)而形成。制造管芯的过程，是由生产一晶片(wafer)开始：首先，在一片晶片上区分出多个区域，并在每个区域上，通过各种半导体制作工艺如沉积、光刻、蚀刻或平坦化步骤，以形成各种所需的电路路线，接着，再对晶片上的各个区域进行切割而成各个管芯，并利用各种的封装技术，将管芯封装成芯片(chip)，而形成一完整的封装体，最后再将芯片电连接至一电路板，如一印刷电路板(printedcircuitboard,PCB)，使芯片与印刷电路板的接脚(pin)电连接后，便可执行各种编程的处理，而形成各式电子装置。为了达成各种微型化的需求，目前业界对于集成电路的封装制作工艺以及封装结构有着强烈的需求。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种半导体集成电路，其在接触垫结构与切割道之间设置有一延伸垫结构，该延伸垫结构设置有不具任何插塞结构的一无插塞区域(viafreeregion)，因而可有效防止芯片裂痕(chipcracking)的产生。为达上述目的，本专利技术的一实施例提供一种集成电路，其包含一切割道、一接触垫结构以及一延伸垫结构。该切割道是设置于一基底上。该接触垫结构是设置于该基底上的一介电层内，其中该接触垫结构包含多个第一插塞，该些第一插塞是设置在多个位于该介电层内的第一金属层之上。该延伸垫结构是设置在该介电层内，并位于该切割道与该接触垫结构之间，该延伸垫结构具有一第一区及第二区，并包含数量小于该第一金属层的多个第二金属层，其中，位于该第一区内的该多个第二金属层上设置有多个第二插塞，位于该第二区内的该多个第二金属层不设置任何插塞。本专利技术的集成电路主要是在接触垫结构及切割道之间，额外设置有延伸垫结构，该延伸垫结构在邻接该切割道处设置有不具任何插塞结构的一区域，由此，可避免该集成电路于进行晶片切割(diesaw)制作工艺时，切割应力沿插塞结构传递至接触垫结构内，进而避免发生芯片裂痕的问题。附图说明图1至图2为本专利技术一优选实施例中半导体集成电路的示意图；图3至图7为本专利技术一优选实施例中半导体集成电路的封装制作工艺的步骤示意图。主要元件符号说明100半导体晶片200管芯区201半导体基底202金属介电层204接触垫结构205延伸垫结构205a第一区205b第二区212层间介电层213、223切割凹槽214、215、224、225、234、235、244金属层216、217、226、227、236插塞300切割道400密封环500晶片501连接件503、505导电层510、530封装材料520金属层600承载件D切割方向具体实施方式为使熟悉本专利技术所属
的一般技术者能更进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的数个优选实施例，并配合所附的附图，详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。请参考图1至图2，所绘示者为本专利技术一优选实施例中半导体集成电路的示意图，其中图1是半导体晶片100的平面示意图；图2为图1中沿A-A’切线获得的剖面示意图。半导体晶片100可包含有多个管芯区(dieregion)200，且其是由互相交错的切割道300所环绕，以分隔各管芯区200。此外，切割道300与管芯区200之间，还设置有密封环(sealring)400，其是邻接并环绕各管芯区200，如图1所示。管芯区200中应形成有所需的电路元件，例如包含晶体管(未绘示)、掺杂区(未绘示)、金属内连接系统(未绘示)等，但不以此为限；且各管芯区200可在后续制作工艺中经切割制作工艺而形成各管芯(die,未绘示)。此外，在一实施例中，切割道300还可以设置有测试电路301，如图1所示，但不以此为限。在另一实施例中，也可选择省略测试电路301(未绘示)。需说明的是，本实施例为简化说明，仅绘示部分的管芯区200，其实际数量及排列方式可视实际需求而变动，不以图1所示样态为限各管芯区200中由下而上依序可包含有一半导体基底201，例如是硅基底(siliconsubstrate)、硅锗基底(silicon-germaniumsubstrate)或硅覆绝缘基底(silicon-on-insulator,SOIsubstrate)等，以及形成于其一表面(例如是正面)上的一金属介电(inter-metaldielectric,IMD)层202。具体来说，半导体基底201内或其上还可进一步形成有所需的主动元件，如晶体管(未绘示)等；而金属介电层202内则可形成有一接触垫结构204、延伸垫结构205及所需的金属内连线，其都是由依序堆叠的多个金属层(metallayer)及多个插塞(via)所组成，例如是由低阻质的金属材质组成，如铜(copper,Cu)、铝(aluminum,Al)、钨(tungsten,W)等。并且，在一实施例中，接触垫结构204的该些金属层可选择与延伸垫结构205的该些金属层彼此直接连接，如金属层224、234及金属层225、235所示。也就是说，接触垫结构204的金属层224、234可与延伸垫结构205的金属层225、235一体成形，并经由同一道金属制作工艺形成，但不以此为限。在另一实施例中，接触垫结构204的该些金属层与延伸垫结构205的金属层也可选择彼此不连接，如金属层214及金属层215所示。在一实施例中，延伸垫结构205具有少于接触垫结构204的金属层数量，举例来说，当接触垫结构204具有依序堆叠的m层金属层(m不小于2)；延伸垫结构205则具有堆叠的m-n(m大于n，n不等于零)层金属层，但不以此为限。在另一实施例中，延伸垫结构205则也可具有其他数量小于m层的该金属层。在本实施例中，接触垫结构204包含由半导体基底201该表面依序往上堆叠的4层金属层214、224、234、244，以及分别形成于各金属层214、224、234上的插塞216、226、236；而延伸垫结构205则是位于接触垫结构204与切割道300之间，其包含同样是由半导体基底201该表面依序往上堆叠的3层金属层215、225、235，以及分别形成于各金属层215、225上的插塞217、227，如图2所示。需注意的是，延伸垫结构205优选具有邻接接触垫结构204的一第一区205a，以及邻接切割道300及密封环400的第二区205b。其中，延伸垫结构205的插塞217、227仅形成在第一区205a的金属层215、225上，如图2所示。也就是说，延伸垫结构205的第二区205b内的金属层215、225、235上不具有任何插塞。在另一实施例中，延伸垫结构205的第二区205b大体上具有一长度L，例如是约为20微米至40微米，优选为36微米，或是约为延伸垫结构205整体长度的二分之一。此外，延伸垫结构205位于金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，其特征在于包含：切割道，设置于一基底上；接触垫结构，设置于该基底上的一介电层内，其中该接触垫结构包含多个第一插塞，该些第一插塞是分别设置在多个位于该介电层内的多个第一金属层之上；以及延伸垫结构，设置在该介电层内，并位于该切割道与该接触垫结构之间，该延伸垫结构具有一第一区及一第二区，并包含数量小于该第一金属层的多个第二金属层，其中，位于该第一区内的该多个第二金属层上设置有多个第二插塞，位于该第二区内的该多个第二金属层不设置任何插塞。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于包含：切割道，设置于一基底上；接触垫结构，设置于该基底上的一介电层内，其中该接触垫结构包含多个第一插塞，该些第一插塞是分别设置在多个位于该介电层内的多个第一金属层之上；以及延伸垫结构，设置在该介电层内，并位于该切割道与该接触垫结构之间，该延伸垫结构具有一第一区及一第二区，并包含数量小于该第一金属层的多个第二金属层，其中，位于该第一区内的该多个第二金属层上设置有多个第二插塞，位于该第二区内的该多个第二金属层不设置任何插塞。2.依据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第二区邻接该切割道。3.依据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第二区具有一长度，该长度约为该延伸垫结构的长度的二分之一。4.依据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第二区具有一长度，约为20微米至40微米。5.依据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该接触垫结构的该多个第一金属层相互堆叠并具有一数量m；该延伸垫结构的该多个第二金属层相互堆叠并具有一数量m-n，其中m大于n，n不等于零。6.依据权利要求1所述的集成电路，其特征在于还包含：密封环，设置在该切割道与该延伸垫结构之间。7.依据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，该密封环邻接该延伸垫结构的该第二区。8.依据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：许永岱，郭添赏，陈彦铨，郑志豪，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71