一种接合焊盘结构制造技术

本发明专利技术涉及一种接合焊盘结构，包括：焊盘，包括由上往下依次设置的焊盘金属层、顶部金属层以及底部金属层；导通金属堆栈结构，至少包括由上往下依次设置的与焊盘金属层位于同层的第一导通金属层、与所述顶部金属层位于同层的第二导通金属层以及与底部金属层位于同层的第三导通金属层；连接线结构，包括第一连接线、第二连接线和第三连接线；其中，所述第一连接线连接所述焊盘金属层和所述第一导通金属层，所述第二连接线连接所述顶部金属层和所述第二导通金属层，所述第三连接线连接所述底部金属层和所述第三导通金属层。本发明专利技术中焊盘和导通金属堆栈结构之间设置3层连接线（connect line），解决了现有技术中所述连接线容易断裂的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种接合焊盘结构。
技术介绍
随着半导体制造技术不断进步、晶体管中栅极尺寸不断缩小，使集成电路装置尺寸的不断缩小。在后段制程（The back end of line,BEOL）中焊接线结合技术是一种广泛使用的方法，用于将具有电路的半导体管芯连接到原件封装上的引脚，实现I/O（in/out）连接，其中所述线接合焊盘（wire bond pads）的尺寸以及所述引线的设置和布局决定了集成电路装置的最终尺寸。有源区结合（Bond Over Active，BOA）技术能够使有源器件、静电放电电路（Electro-Static discharge，ESD）、电源以及接地总线下面焊线垫确保模具的尺寸减小。焊接线结合技术是一种广泛使用的方法，用于将具有电路的半导体管芯连接到原件封装上的引脚。由于半导体制造技术的进步，半导体的几何尺寸不断缩小，因此线接合焊盘的尺寸变得较小。特别是半导体器件在发展到纳米级别以后，越来越小的焊盘尺寸给焊线结合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接合焊盘结构，包括：焊盘，包括由上往下依次设置的焊盘金属层、顶部金属层以及底部金属层；导通金属堆栈结构，包括由上往下依次设置的与所述焊盘金属层位于同层的第一导通金属层、与所述顶部金属层位于同层的第二导通金属层以及与所述底部金属层位于同层的第三导通金属层；连接线结构，包括第一连接线、第二连接线和第三连接线；其中，所述第一连接线连接所述焊盘金属层和所述第一导通金属层，所述第二连接线连接所述顶部金属层和所述第二导通金属层，所述第三连接线连接所述底部金属层和所述第三导通金属层。

【技术特征摘要】
1.一种接合焊盘结构，包括：
焊盘，包括由上往下依次设置的焊盘金属层、顶部金属层以及底部金属
层；
导通金属堆栈结构，包括由上往下依次设置的与所述焊盘金属层位于同
层的第一导通金属层、与所述顶部金属层位于同层的第二导通金属层以及与
所述底部金属层位于同层的第三导通金属层；
连接线结构，包括第一连接线、第二连接线和第三连接线；
其中，所述第一连接线连接所述焊盘金属层和所述第一导通金属层，所
述第二连接线连接所述顶部金属层和所述第二导通金属层，所述第三连接线
连接所述底部金属层和所述第三导通金属层。
2.根据权利要求1所述的接合焊盘结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭冰清，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31