【技术实现步骤摘要】
用于IC封装基板的倒装芯片焊盘几何结构
本公开主要涉及用于电子器件的基板,包括在集成电路封装中使用的基板。
技术介绍
集成电路(IC)器件可包括被包括在IC封装中的IC晶片。IC晶片可由硅形成并且可以具有形成于其中的电路。IC封装可包括安装IC晶片的IC封装基板。用于将IC晶片安装到IC封装基板的一个配置是倒装芯片配置(flip-chipconfiguration),其中,IC晶片的活性表面(activesurface)面对IC封装基板。在该配置中,IC晶片的导电元件可用于将IC晶片耦接到IC封装基板上的导电焊盘。例如,导电元件可包括使用回流焊接处理附接到IC封装基板的焊盘的焊料凸块。在回流焊接过处理中,IC晶片可以被压在IC封装基板上并在回流焊炉中被加热使得焊料融化。在焊料冷却后,在IC晶片的导电元件和IC封装基板的焊盘之间形成连接。IC封装基板可进一步包括在相对面上作为IC晶片的焊盘,所述焊盘可用于将IC器件耦接到印制电路板(PCB),例如,通过引脚或焊料球。在一个实施方式中,IC晶片可具有沿着其活性表面的外围形成的导电元件。在该实施方式中,IC封装基板可包括 ...
【技术保护点】
一种集成电路封装基板,包括:介电层,具有相对的第一表面和第二表面;以及支柱矩阵,设置在介电层中并被布置为接收集成电路晶片的导电元件矩阵,其中,所述支柱矩阵的每个支柱在所述介电层的所述第一表面处被暴露,并且其中,所述支柱矩阵的每个支柱延伸穿过所述介电层以接触附接在所述介电层的所述第二表面的金属层。
【技术特征摘要】
2014.01.09 US 14/151,5061.一种集成电路封装基板,包括:介电层,具有相对的第一表面和第二表面;以及支柱矩阵,设置在所述介电层中并被布置为接收集成电路晶片的导电元件矩阵,其中,所述支柱矩阵的每个支柱在所述介电层的所述第一表面处被暴露,并且其中,所述支柱矩阵的每个支柱延伸穿过所述介电层以接触附接在所述介电层的所述第二表面的金属层,且其中所述支柱矩阵的每个支柱的暴露的表面在第一方向上比在第二方向上大。2.根据权利要求1所述的集成电路封装基板,其中,所述支柱矩阵的每个支柱的所述暴露的表面具有长圆形的形状。3.根据权利要求1所述的集成电路封装基板,其中,所述支柱矩阵的每个支柱包括铜或铝。4.根据权利要求1所述的集成电路封装基板,其中,所述支柱矩阵的每个支柱被物理地连接到所述金属层的相应的焊盘。5.根据权利要求1所述的集成电路封装基板,其中,在所述第一方向上的所述支柱矩阵的每个支柱的尺寸...
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