一种GaN基倒装HEMT器件结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种GaN基倒装HEMT器件结构。GaN基倒装HEMT器件结构包括基板、电极焊盘、电极、绝缘介质膜、外延层和导电通孔。所述外延层包括GaN缓冲层和AlGaN势垒层，栅电极一端穿过绝缘介质膜与栅电极焊盘连接，栅电极另一端与外延层的AlGaN势垒层连接，所述外延层通过栅电极焊盘与基板粘合在一起；所述基板、栅电极焊盘、绝缘介质膜、AlGaN势垒层、GaN缓冲层自下而上排布。本实用新型专利技术的HEMT器件外延片与散热基板通过栅电极焊盘连接，散热性能明显改善。另外源漏栅电极焊盘在外延层上方，没有刻蚀掉无用的外延层，外延层的有效利用率提高。本实用新型专利技术还提供一种GaN基倒装HEMT器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体微电子
，具体涉及一种GaN/AlGaN基倒装晶体管结构。
技术介绍
GaN作为第三代半导体材料，具有更高的禁带宽度，更大的电子饱和漂移速度，更强的临近击穿电场，更高的热导率以及热稳定性等特性。GaN基氮化物半导体材料还具有很大的自发和压电极化特性，利用此特性制备的高电子迀移率晶体管是一种场效应半导体器件，它广泛应用于高频率放大器件或者高功率开关器件领域。GaN基高电子迀移率晶体管(HEMT)常规结构为衬底、缓冲层、势皇层、介质膜和电极。常规HEMT衬底热导率低，散热性能差，限制了 GaN基HEMT在高温大功率器件领域的广泛应用。GaN基HEMT是二维横向器件，源漏截断时电场分布不均匀，在栅电极靠近漏电极一侧电场强度很大，容易击穿导致器件失效。另外常规GaN基HEMT的源漏栅电极焊盘面积很大，电极焊盘下方的外延层被刻蚀掉，降低了外延片的有效使用面积。
技术实现思路
本技术针对现有GaN基HEMT器件散热性差、击穿电压低及外延片有效使用面积低等问题，提出一种GaN基倒装高电子迀移率晶体管结构，晶体管的外延层通过金属电极与散热基板连接，散热性能好；栅电极焊盘面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN基倒装HEMT器件结构，包括基板、电极焊盘、电极、绝缘介质膜和外延层，所述电极包括漏电极、栅电极和源电极，所述电极焊盘包括栅电极焊盘、源电极焊盘和漏电极焊盘；其特征在于栅电极焊盘位于绝缘介质膜与基板之间，所述外延层包括GaN缓冲层和AlGaN势垒层，栅电极一端穿过绝缘介质膜与栅电极焊盘连接，栅电极另一端与外延层的AlGaN势垒层连接，所述外延层通过栅电极焊盘与基板粘合在一起；所述基板、栅电极焊盘、绝缘介质膜、AlGaN势垒层、GaN缓冲层自下而上排布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明升，周泉斌，王洪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东;44