一种倒装晶片的LED结构制造技术

本实用新型专利技术一种倒装晶片的LED结构涉及LED的结构；以传统蓝宝石基板（Al2O3）为衬底（14）在衬底上设置CaN缓冲层（13）；CaN缓冲层（13）再依次向外设置N型CaN层（12），N型CaAlN层（9）、N型电极（11），N型CaAlN层（9）向上设置MQW多量子阱层（10），CaInN层（8），CaN层（7），P型CaAlN层（6），P型CaN层（5），电流扩散反光层（4）；在电流扩散反光层(4)上设置AlN层（3），P型电极（1）；在AlN层（3）上设置热沉焊接极（2）；本实用新型专利技术省去引线焊接工艺，使高导热的热流通道与电流通道独立，实现了热电分离；从而避免了电热相互影响，电流热量叠加造成晶片热负荷增加，因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED的结构。
技术介绍
LED作为一种新型发光器件，逐渐为全世界所认识。随着LED在各个领域的大规模应用，特别是照明功率LED的逐步推广，LED晶粒的可靠性越来越受到人们重视，特别是针对免焊线工艺的倒装LED晶片结构与工艺。如专利技术专利CN 100468796C，LED倒装芯片的制备方法，描述的倒装晶片技术，结构采用热电合一的倒装结构，热流与电流叠加，使晶片的热失效风险加大；现有的倒装晶片焊接时采用直接将电极与外部热沉或者电路连接，焊接时仅在电极处植球焊接。
技术实现思路
本技术的目的在于提供省去引线焊接工艺的一种倒装晶片的LED结构。以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12)，N型CaAlN层(9)、N型电极(11)，N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10)，CaInN层(8)，CaN层(7)，P型CaAlN层(6)，P型CaN层(5)，电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3)，P型电极(I);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);倒置晶片由上植球(15)与焊接基板(18)上的P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23) P型电极穿孔沉铜(21)、N型电极穿孔沉铜(19)、热流穿孔沉铜(20)、覆铜线路(22)，热流穿孔沉铜(20)连接。本技术采用倒装结构，省去引线焊接工艺，直接依靠植球工艺加上倒装焊接设备达到可靠焊接。使高导热的热流通道与电流通道独立，实现了热电分离。从而避免了电热相互影响，电流热量叠加造成晶片热负荷增加，因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。附图说明附图I是本技术LED晶片主视图；附图2是本技术LED晶片俯视图；附图3是本技术倒装LED晶片使用时的主视剖面图。具体实施方式采用MOCVD设备在传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)，在衬底上生长CaN缓冲层(13)，然后依次生长 N 型 CaN (12)，N 型 CaAlN (9)，MQW 多量子阱层(10)，CaInN 层(8)，CaN层(7)，P型CaAlN (6)，P型CaN (5)，电流扩散反光层(4)，AlN层(3)，热沉焊接极(2)，P型电极(1)，N型电极(11)。通过晶片生产工艺完成整个晶片的生产。在倒装焊接基板(18)上制备线路，P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23)上植球(15)，倒装焊接基板采用穿孔工艺，将P型电极穿孔沉铜(21)，N型电极穿孔沉铜(19)，热流穿孔沉铜(20)引出到基板背面的覆铜线路(22)，热流通过(20)导出，外部供电通过N型电极穿孔沉铜(19)、P型电极穿孔沉铜( 21)引入。权利要求1.一种倒装晶片的LED结构，其特征在于以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12)，N型CaAlN层(9)、N型电极(11)，N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10)，CaInN层(8)，CaN层(7)，P型CaAlN层(6)，P型CaN层(5)，电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3)，P型电极(I);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);倒置晶片由上植球(15)与焊接基板(18)上的P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23)P型电极穿孔沉铜(21)、N型电极穿孔沉铜(19)、热流穿孔沉铜(20)、覆铜线路(22)，热流穿孔沉铜(20)连接。专利摘要本技术一种倒装晶片的LED结构涉及LED的结构；以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13)；CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12)，N型CaAlN层(9)、N型电极(11)，N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10)，CaInN层(8)，CaN层(7)，P型CaAlN层(6)，P型CaN层(5)，电流扩散反光层(4)；在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3)，P型电极(1)；在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2)；本技术省去引线焊接工艺，使高导热的热流通道与电流通道独立，实现了热电分离；从而避免了电热相互影响，电流热量叠加造成晶片热负荷增加，因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。文档编号H01L33/62GK202721194SQ20122031618公开日2013年2月6日 申请日期2012年7月3日 优先权日2012年7月3日专利技术者江淳民, 胡启胜, 马洪毅 申请人:深圳市蓝科电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装晶片的LED结构，其特征在于：以传统蓝宝石基板（Al2O3）为衬底（14）在衬底上设置CaN缓冲层（13）；CaN缓冲层（13）再依次向外设置N型CaN层（12），N型CaAlN层（9）、N型电极（11），N型CaAlN层（9）向上设置MQW多量子阱层（10），CaInN层（8），CaN层（7），P型CaAlN层（6），P型CaN层（5），电流扩散反光层（4）；在电流扩散反光层(4)上设置AlN层（3），P型电极（1）；在AlN层（3）上设置热沉焊接极（2）；倒置晶片由上植球（15）与焊接基板(18)上的P型电极焊盘（17）、N型电极焊盘（16）、热流通道焊盘（23）P型电极穿孔沉铜（21）、N型电极穿孔沉铜（19）、热流穿孔沉铜（20）、覆铜线路（22），热流穿孔沉铜（20）连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江淳民，胡启胜，马洪毅，
申请(专利权)人：深圳市蓝科电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：