一种倒装晶片集成封装装置及工艺制造方法及图纸

技术编号:14298476 阅读:61 留言:0更新日期:2016-12-26 03:57
本发明专利技术公开了一种倒装晶片集成封装装置及工艺,包括上金属板、下金属板,上金属板上设有玻璃支承板,玻璃支承板上设有紫外线照射胶带,晶片贴在所述紫外线照射胶带上;下金属板上设有两块隔板,荧光胶块置于两块隔板之间,下金属板上还铺设有PET膜,PET膜铺设在下金属板和隔板表面,将荧光胶块与下金属板之间、荧光胶块与隔板之间都隔离开。本发明专利技术的优点:本集成封装可以实现高密度的晶片排列,客户可以自由设计电路结构,从而在有限的面积内提供更高的光通量。高密度的光通输出,满足特定场合光输出要求,材料使用更省,成本更低,可以在6*6mm内提供25‑75W的输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及封装相关
,具体的涉及是一种倒装晶片集成封装装置及工艺
技术介绍
目前市面上流通的集成封装,规格最小的为13*13mm,最大能提供9W输出。现有技术方案的无法在较小发光面积内(6*6mm)提供大光通量(>6000lm),不能满足一些场合照明需要,如诱鱼灯,室外投影等。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了弥补现有技术的不足,提供了一种倒装晶片集成封装装置及工艺,以满足特定场合光输出要求。为了达到本专利技术的目的,技术方案如下:一种倒装晶片集成封装装置,其特征在于,包括上金属板、下金属板,上金属板上设有玻璃支承板,玻璃支承板上设有紫外线照射胶带,晶片贴在所述紫外线照射胶带上;下金属板上设有两块隔板,荧光胶块置于两块隔板之间,下金属板上还铺设有PET膜,PET膜铺设在下金属板和隔板表面,将荧光胶块与下金属板之间、荧光胶块与隔板之间都隔离开。一种倒装晶片集成封装工艺,其特征在于,包括步骤:(1)、在紫外线照射胶带上铺设晶片,晶片按照阵列排布;将荧光胶块置于下金属板的两块隔板之间;(2)、将铺设有晶片的上金属板倒置,使晶片插入到荧光胶块内;(3)、一次固化:温度100℃,时间2小时;(4)、将固化有晶片的荧光胶块取出,在晶片上预制锡球,再切割成小块。本专利技术具有的有益效果:本集成封装可以实现高密度的晶片排列,客户可以自由设计电路结构,从而在有限的面积内提供更高的光通量。高密度的光通输出,满足特定场合光输出要求,材料使用更省,成本更低,可以在6*6mm内提供25-75W的输出。附图说明图1是本专利技术倒装晶片集成封装装置的结构示意图;图2是晶片封装后的结果示意图;图3是本专利技术的工艺流程图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步描述,但本专利技术的保护范围不仅仅局限于实施例。结合图1所示,一种倒装晶片集成封装装置,包括上金属板4、下金属板5,上金属板4上设有玻璃支承板1,玻璃支承板1上设有紫外线照射胶带2,晶片3贴在所述紫外线照射胶带2上。下金属板5上设有两块隔板8,荧光胶块7置于两块隔板之间,下金属板5上还铺设有PET膜6,PET膜铺设在下金属板和隔板表面,将荧光胶块7与下金属板5之间、荧光胶块7与隔板8之间都隔离开。结合图2和图3所示,一种倒装晶片集成封装工艺,其特征在于,包括步骤:(1)、在紫外线照射胶带上铺设晶片,晶片按照阵列排布;将荧光胶块置于下金属板的两块隔板之间;(2)、将铺设有晶片的上金属板倒置,使晶片插入到荧光胶块内;(3)、一次固化:温度100℃,时间2小时;(4)、将固化有晶片的荧光胶块取出,在晶片上预制锡球9,再切割成小块。最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本专利技术而并非限制本专利技术所描述的技术方案,因此,尽管本说明书参照上述的各个实施例对本专利技术已进行了详细的说明,但是,本领域的普通技术人员应当理解,仍然可以对本专利技术进行修改或等同替换,而一切不脱离本专利技术的精神和范围的技术方案及其改进,其均应涵盖在本专利技术的权利要求范围中。本文档来自技高网...
一种倒装晶片集成封装装置及工艺

【技术保护点】
一种倒装晶片集成封装装置,其特征在于,包括上金属板(4)、下金属板(5),上金属板上设有玻璃支承板(1),玻璃支承板上设有紫外线照射胶带(2),晶片(3)贴在所述紫外线照射胶带上;下金属板上设有两块隔板(8),荧光胶块(7)置于两块隔板之间,下金属板上还铺设有PET膜(6),PET膜铺设在下金属板和隔板表面,将荧光胶块与下金属板之间、荧光胶块与隔板之间都隔离开。

【技术特征摘要】
1.一种倒装晶片集成封装装置,其特征在于,包括上金属板(4)、下金属板(5),上金属板上设有玻璃支承板(1),玻璃支承板上设有紫外线照射胶带(2),晶片(3)贴在所述紫外线照射胶带上;下金属板上设有两块隔板(8),荧光胶块(7)置于两块隔板之间,下金属板上还铺设有PET膜(6),PET膜铺设在下金属板和隔板表面,将荧光胶块与下金属板之间、荧...

【专利技术属性】
技术研发人员:方涛钱诚王明明樊学军张国旗
申请(专利权)人:常州市武进区半导体照明应用技术研究院
类型:发明
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1