倒装LED封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种倒装LED封装结构，封装结构中LED倒装芯片的电极面包裹有或者没有包裹上围层，LED倒装芯片的电极连接焊料凸块；LED倒装芯片的出光面和各个侧面嵌入可以是多层或者两层或者单层结构的下围层和周侧围层中；周侧围层用以调节芯片的功能应用或增加芯片的机械强度，下围层用以调节出光的颜色及其增加芯片的机械强度，电极通过焊料凸块连接外部器件，省去了硅基底及硅通孔等结构，具有结构简单，厚度较薄，机械强度好，封装尺寸较小等技术优势，且能够改变出光面及出光颜色，提高出光率、芯片功能应用多等功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED倒装芯片的封装结构，尤其涉及一种倒装LED封装结构。
技术介绍
发光二极管(Light-emitting d1de，LED)作为新型高效固体光源，具有工作电压低、耗电量小，性能稳定可靠等一系列优点，已显示出作为照明光源的巨大潜力。现在市场上常用的LED封装芯片的结构有:平面结构芯片，即芯片的正、负电极同在芯片的出光面上；垂直结构芯片，即芯片的正电极、负电极分布在芯片的出光面和反射面这两个不同的面上；倒装芯片，即芯片的正、负电极都在芯片的反射面上。参见图1，为常见倒装LED倒装芯片结构，包括电极面101、与其相对的出光面102和周侧面103，其中，电极面设置正、负电极(也即P、N极)；还包括P型氮化镓和N型氮化镓及其过渡界面处的发光层105 ;及邻近电极面的反光层104，其中反光层将发光层发出的光，从电极面反射到对面，实现出光面的反向；及透光的衬底材料，如蓝宝石，LED倒装芯片在发光层的光一部分直接透过衬底材料，从出光面透射出去，一部分经反光层反射，经衬底材料透射出去。当前LED倒装芯片的封装形式通常以单颗形式进行，即将切割后的LED倒装芯片逐颗贴装到基板(如金属支架，引线框、陶瓷基板、金属基板)上，然后逐颗进行金属引线互连、逐颗点胶；由于几乎所有工序都是以单颗进行，生产效率比较低，生产成本高，这些严重制约了 LED的应用。且这种单颗形式封装形成的封装成品体积大，制约了 LED小型化发展的需要。LED倒装芯片封装结构的机械强度及功能应用还有待进一步改善。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提出一种小体积、低成本、大机械强度、高出光效率的倒装LED封装结构。本专利技术的技术方案是这样实现的:—种倒装LED封装结构，包括LED倒装芯片，所述LED倒装芯片具有电极面、与该电极面相对的出光面和周侧面；所述电极面上包裹有上围层或者没有包裹上围层；包裹有上围层时，所述上围层上设有开口暴露出所述LED倒装芯片的电极，所述电极上设有焊料凸块；没有包裹上围层时，所述LED倒装芯片暴露的电极上设有焊料凸块；所述出光面上包裹有下围层，所述下围层为单层结构或两层及以上结构，单层结构为一层荧光层或者荧光玻纤复合层；两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光加强层(3)，或者两层及以上结构中包括一层荧光玻纤复合层和一层透光加强层，或者两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光玻纤复合层；所述周侧面上包裹有周侧围层，所述周侧围层为单层结构或两层及以上结构，单层结构为一层荧光层或一层透光加强层或一层吸光层或一层反光层；两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光加强层，或者两层及以上结构中包括由内向外依次排布的一层荧光层和一层反光层。作为本专利技术的进一步改进，所述电极面上包裹有上围层，所述上围层为两层结构，由内向外依次为绝缘层和保护层，所述绝缘层和所述保护层之间形成有金属重布线，所述金属重布线电性连接所述LED倒装芯片的电极和所述焊料凸块。作为本专利技术的进一步改进，所述电极面包裹有上围层，所述上围层为一层保护层，所述保护层上设有所述开口，所述开口暴露出所述LED倒装芯片的电极，所述电极上设有所述焊料凸块。作为本专利技术的进一步改进，所述下围层为两层结构，由一层透光加强层和一层荧光层组成，或者由内向外依次为荧光层、含有玻纤布的荧光玻纤复合层，或者由内向外依次为透光加强层、含有玻纤布的荧光玻纤复合层，或者由内向外依次为荧光层、透光基板；或者所述下围层为三层结构，由内向外依次为透光加强层、荧光层和透光基板。作为本专利技术的进一步改进，所述周侧围层为两层结构，由一层荧光层和一层透光层组成，或者由内向外依次为荧光层、反光层。本专利技术的有益效果是:本专利技术提供一种倒装LED封装结构及其制作方法，该倒装LED倒装芯片封装结构厚度较薄，透光率高，封装尺寸较小，且增加了机械强度。【附图说明】图1为常见LED倒装芯片结构示意图；图2为本专利技术实施例1倒装LED封装结构的示意图；图3为本专利技术实施例2倒装LED封装结构的示意图；图4为本专利技术实施例3倒装LED封装结构的示意图；图5为本专利技术实施例4 一种倒装LED封装结构的示意图；图5a为本专利技术实施例4制作方法步骤g后结构示意图；图5b为本专利技术实施例4制作方法步骤h后结构示意图；图6为本专利技术实施例5 —种倒装LED封装结构示意图；图7为本专利技术实施例5另一种倒装LED封装结构示意图；图7a为本专利技术实施例5制作方法步骤D后结构示意图；图7b为本专利技术实施例5制作方法步骤E后结构示意图；图7c为本专利技术实施例5制作方法步骤F后结构示意图；图8为本专利技术实施例6倒装LED封装结构的示意图；图9为本专利技术实施例7倒装LED封装结构的示意图；图9a为本专利技术实施例7制作方法步骤a中基底示意图；图9b为本专利技术实施例7制作方法步骤b后结构示意图；图9c为本专利技术实施例7制作方法步骤c后结构示意图；图9d为本专利技术实施例7制作方法步骤d后结构示意图；图9e为本专利技术实施例7制作方法步骤e后结构示意图；图9f为本专利技术实施例7制作方法步骤f后结构示意图；图9g为本专利技术实施例7制作方法步骤g后结构示意图；图9h为本专利技术实施例7制作方法步骤h后结构示意图；图9i为本专利技术实施例7制作方法步骤i后结构示意图；图9j为本专利技术实施例7制作方法步骤j后结构示意图；图9k为本专利技术实施例7制作方法步骤k后结构示意图；图10为本专利技术实施例4另一种倒装LED封装结构示意图；结合附图，作以下说明:1-LED倒装芯片101-电极面102-出光面103-周侧面104-反光层105-发光层2-荧光层3-透光加强层3a_半固化膜301-第一表面302-第二表面4-透光基板5-金属重布线6-保护层7-焊料凸块8-玻纤布9-电极10-绝缘层11-基底12-荧光玻纤复合层13-透光玻纤复合层【具体实施方式】为使本专利技术能够更加易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。为方便说明，实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放，故不代表实施例中各结构的实际相对大小。其中所说的结构或面的上面或上侧，包含中间还有其他层的情况。实施例1如图2所示，一种倒装LED封装结构，包括LED倒装芯片1，所述LED倒装芯片具有电极面101、与该电极面相对的出光面102和周侧面103 ;所述电极面上没有包裹上围层，所述LED倒装芯片暴露的电极9上设有焊料凸块7 ；所述出光面上包裹有下围层，所述下围层为单层结构，该单层结构为一层荧光层2，荧光层用以将芯片出光由荧光材料转为白光，荧光层可采用荧光粉，或者掺有荧光粉的透明胶类，或者荧光物质制成的干膜。可选的，该单层结构还可以为一层荧光玻纤复合层12。荧光玻纤复合层是一种荧光复合材料，为含有玻纤布8的荧光薄膜材料，其厚度可以为100至600微米，在转换出光的颜色的同时，可增加芯片的机械强度。所述周侧面上包裹有周侧围层，所述周侧围层为单层结构，该单层结构为一层透光加强层3，透光加强层以透光和增加芯片机械强度；该透光加强层材料可以是有机材料如硅胶、半固化膜，或者是带有玻纤的增强型复合有机材料；可选的，该单层结构还可以为一层荧光层2或一层吸光层或一层反光层。荧光层采用荧光粉、掺有荧光粉的透明胶类，或者荧光物质制成的干膜，用以将芯片侧面光由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装LED封装结构，其特征在于：包括LED倒装芯片（1），所述LED倒装芯片具有电极面（101）、与该电极面相对的出光面（102）和周侧面（103）；所述电极面上包裹有上围层或者没有包裹上围层；包裹有上围层时，所述上围层上设有开口暴露出所述LED倒装芯片的电极（9），所述电极上设有焊料凸块（7）；没有包裹上围层时，所述LED倒装芯片暴露的电极上设有焊料凸块；所述出光面上包裹有下围层，所述下围层为单层结构或两层及以上结构，单层结构为一层荧光层（2）或者荧光玻纤复合层（12）；两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光加强层（3），或者两层及以上结构中包括一层荧光玻纤复合层和一层透光加强层（3），或者两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光玻纤复合层（13）；所述周侧面上包裹有周侧围层，所述周侧围层为单层结构或两层及以上结构，单层结构为一层荧光层或一层透光加强层或一层吸光层或一层反光层；两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光加强层，或者两层及以上结构中包括由内向外依次排布的一层荧光层和一层反光层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：万里兮，肖智轶，沈建树，崔志勇，翟玲玲，钱静娴，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32