一种基于硅通孔的芯片封装方法及芯片封装结构技术

本发明专利技术公开了一种基于硅通孔的芯片封装方法及芯片封装结构，该芯片封装方法包括以下步骤：对晶圆背面进行去应力减薄和硅通孔刻蚀；在晶圆背面整面制作保护层Ⅰ，将需要刻蚀的硅平面层裸露；将硅平面层减薄，形成凹槽结构；在凹槽结构中填充阻挡层，用于吸收隔绝红外光，填充后与边缘硅层保持平齐；在晶圆背部制作绝缘层；在晶圆背部制作金属

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅通孔的芯片封装方法及芯片封装结构


[0001]本专利技术属于半导体封装
，具体涉及一种基于硅通孔的芯片封装方法及芯片封装结构
。

技术介绍

[0002]与传统封装形式相比，
CIS
‑
WLCSP
封装形式是基于晶圆级的封装形式，没有基板作为载体，封装后的单颗芯片会直接焊接在
PCB
板上实现功能，这种封装形式会存在以下问题：红外光线会从传感器模组背部穿过防焊层和
PA
层以及硅到达二极管区域，对正面光信号形成干扰，造成“鬼影”现象，尤其是人工智能技术在汽车领域的应用，基于汽车应用的安全考虑，这样的问题是不能接受的
。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种基于硅通孔的芯片封装方法及芯片封装结构，有效避免红外光从芯片背部穿透对正面光信号成像造成影响
。
[0004]为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：
[0005]一种基于硅通孔的芯片封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于硅通孔的芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：对晶圆背面进行去应力减薄和硅通孔刻蚀；步骤二：在晶圆背面整面制作保护层Ⅰ，将需要刻蚀的硅平面层裸露出来一部分；步骤三：将硅平面层减薄一部分，形成凹槽结构，然后将所有的保护层Ⅰ去除掉；步骤四：在凹槽结构中填充阻挡层，用于吸收隔绝红外光，填充后与边缘硅层保持平齐；步骤五：在晶圆背部制作绝缘层；步骤六：在晶圆背部制作金属
RDL
层；步骤七：在金属
RDL
层上制作保护层Ⅱ；步骤八：通过植球或印刷锡球的方式使锡球与金属
RDL
层连接；步骤九：将产品分割
。2.
根据权利要求1所述的一种基于硅通孔的芯片封装方法，其特征在于，步骤二中，所述保护层Ⅰ通过旋涂
、
喷涂
、
丝网印刷或滚筒印刷方式制作而成，通过曝光
、
显影的方式将需要刻蚀的硅平面层裸露出来一部分
。3.
根据权利要求1所述的一种基于硅通孔的芯片封装方法，其特征在于，步骤三中，通过硅刻蚀工艺将硅平面层减薄一部分，形成凹槽结构
。4.
根据权利要求1所述的一种基于硅通孔的芯片封装方法，其特征在于，步骤四中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：马书英，闫立，刘轶，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：