用于制造半导体器件的方法技术

本申请提供一种用于制造半导体器件的方法

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法


[0001]本申请总体上涉及半导体技术，更具体地，涉及用于制造半导体器件的方法
。

技术介绍

[0002]对于电子产品中的电子元件，需要进行电磁干扰
(EMI)
屏蔽来避免电磁场
、
静电场等干扰影响电子元件的工作
。
通常地，可以用一个金属盖或者一个均质涂布层覆盖于半导体封装的外围来作为屏蔽层
。
然而，现有的电磁屏蔽工艺仅能够逐个地为半导体封装形成屏蔽层，因此其生产率较低
。
[0003]因此，需要提供一种为半导体封装形成屏蔽层的改进方法
。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种生产效率较高的为半导体封装形成屏蔽层的方法
。
[0005]根据本申请的一个方面，公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：将具有多个电子元件的基底附接至复合胶带上，所述复合胶带具有对紫外辐射敏感的粘合层以及可透紫外线的基膜，其中所述基底被附接至所述复合胶带的所述粘合层；将所述基底和所述复合胶带放置在可透紫外线的载台上，其中所述可透紫外线的载台与所述复合胶带的所述可透紫外线的基膜接触；将所述基底切割为多个半导体器件，其中每个半导体器件具有所述多个电子元件中的一个电子元件；将屏蔽材料沉积在所述多个半导体器件上，以在所述多个半导体器件中的每一个半导体器件上形成屏蔽层；透过所述可透紫外线的载台向所述复合胶带照射紫外辐射，以降低所述粘合层的粘性；以及将所述多个半导体器件从所述可透紫外线的载台上分离
。
[0006]根据本申请的另一个方面，公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：将具有多个电子元件的基底附接至复合胶带上，所述复合胶带具有对紫外辐射敏感的粘合层以及可透紫外线的基膜，其中所述基底被附接至所述复合胶带的所述粘合层；将所述基底和所述复合胶带放置在可透紫外线的载台上，其中所述可透紫外线的载台与所述复合胶带的所述可透紫外线的基膜接触；将屏蔽材料沉积在所述基底上；将所述基底切割为多个半导体器件，其中每个半导体器件具有所述多个电子元件中的一个电子元件；透过所述可透紫外线的载台向所述复合胶带照射紫外辐射，以降低所述粘合层的粘性；以及将所述多个半导体器件从所述可透紫外线的载台上分离
。
[0007]应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本专利技术的限制
。
此外，并入并构成本说明书一部分的附图示出了本专利技术的实施例并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理
。
附图说明
[0008]本文引用的附图构成说明书的一部分
。
除非另有明确说明，附图中所示的特征仅示出了本申请的一些实施例而不是本申请的所有实施例，说明书的读者不应做出相反的暗
示
。
[0009]图
1A
至
1I
示出了根据本申请一个实施例的用于制造半导体器件的方法过程的截面示意图；
[0010]图
2A
‑
2E
示出根据本申请一个实施例的用于制造半导体器件的另一方法过程的截面示意图；
[0011]图3示出了根据本申请一个实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图；
[0012]图4示出了根据本申请另一实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图
。
[0013]在整个附图中将使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分
。
具体实施方式
[0014]以下本申请的示例性实施例的详细描述参考了构成描述的一部分的附图
。
附图示出了其中可以实践本申请的具体示例性实施例
。
包括附图在内的详细描述足够详细地描述了这些实施例，以使本领域技术人员能够实践本申请
。
本领域技术人员可以进一步利用本申请的其他实施例，并在不脱离本申请的精神或范围的情况下进行逻辑
、
机械等变化
。
因此，以下详细描述的读者不应以限制性的方式解释该描述，并且仅以所附权利要求限定本申请的实施例的范围
。
[0015]在本申请中，除非另有明确说明，否则使用的单数包括了复数
。
在本申请中，除非另有说明，否则使用“或”是指“和
/
或”。
此外，使用的术语“包括”以及诸如“包含”和“含有”的其他形式不是限制性的
。
此外，除非另有明确说明，诸如“元件”或“组件”之类的术语覆盖了包括一个单元的元件和组件，以及包括多于一个子单元的元件和组件
。
此外，本文使用的章节标题仅用于组织目的，不应解释为限制所描述的主题
。
[0016]如本文所用，空间上相对的术语，例如“下方”、“下面”、“上方”、“上面”、“上”、“上侧”、“下侧”、“左侧”、“右侧”、“水平”、“竖直”等等，可以在本文中使用，以便于描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系
。
除了图中描绘的方向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同方向
。
该器件可以以其他方式定向
(
旋转
90
度或在其他方向
)
，并且本文使用的空间相关描述同样可以相应地解释
。
应该理解，当一个元件被称为“连接到”或“耦接到”另一个元件时，它可以直接连接到或耦接到另一个元件，或者可以存在中间元件
。
[0017]图
1A
至
1I
示出了根据本申请一个实施例的用于制造半导体器件的方法过程的截面示意图
。
该方法过程可以执行在一个基底上，该基底上安装有例如半导体晶片或半导体封装的多个电子元件，从而可以在每个电子元件上形成屏蔽层
。
屏蔽层可以由诸如铜
、
铝
、
铁或任何其他适合用于电磁干扰
(EMI)
屏蔽的材料
。
电磁屏蔽层可以将引入至电子元件的电磁干扰或由电子元件产生的电磁干扰屏蔽掉
。
[0018]如图
1A
所示，提供了基底
100。
基底
100
具有顶表面
102
，以及与顶表面
102
相对的底表面
104。
在一些实施例中，基底
100
可以是印刷电路板或者任何其他需要进一步切割处理的适合的基底结构
。
基底
100
可以包括一层或多层绝缘层或钝化层，以及形成在绝缘层或钝化层中的一个或多个互连结构
106。
每个互连结构
106
可以包括一个或多个穿过绝缘层的导电通孔
108
，以及分别形成在顶表面
102
和底表面...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：将具有多个电子元件的基底附接至复合胶带上，所述复合胶带具有对紫外辐射敏感的粘合层以及可透紫外线的基膜，其中所述基底被附接至所述复合胶带的所述粘合层；将所述基底和所述复合胶带放置在可透紫外线的载台上，其中所述可透紫外线的载台与所述复合胶带的所述可透紫外线的基膜接触；将所述基底切割为多个半导体器件，其中每个半导体器件具有所述多个电子元件中的一个电子元件；将屏蔽材料沉积在所述多个半导体器件上，以在所述多个半导体器件中的每一个半导体器件上形成屏蔽层；透过所述可透紫外线的载台向所述复合胶带照射紫外辐射，以降低所述粘合层的粘性；以及将所述多个半导体器件从所述可透紫外线的载台上分离
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述基底切割为多个半导体器件的步骤包括：在每两个相邻的电子元件之间形成沟槽，所述沟槽延伸穿过所述基底并且至少延伸至所述复合胶带的所述粘合层中
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沟槽不延伸穿过所述可透紫外线的基膜
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括一个或多个导电层或者重分布层
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子元件包括一个或多个半导体晶片或半导体封装
。6.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可透紫外线的基膜包括聚酰亚胺薄膜
。7.
根据权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建赫，张有晶，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：