半导体封装方法技术

本公开涉及半导体封装方法

【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法、半导体组件及电子设备


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装方法
、
半导体组件及电子设备
。

技术介绍

[0002]半导体封装和系统在设计方面一直追求密
、
小
、
轻
、
薄，同时在功能方面力求实现高集成度和多功能性
。
目前为满足上述技术要求而提出多种封装技术，如扇出
(Fan out)
型晶圆级封装
、
小芯片封装
(chiplet)、
异构集成
(heterogeneous integration)、2.5
维
/
三维
(2.5D/3D)
封装
。
[0003]以扇出型封装为例，其面临的主要技术问题是晶片的高精度放置及位置固定依然缺乏高效经济的方法
。
相关技术中，扇出型封装大多采用价格昂贵的贴片机进行贴片，设备成本高，且贴片速度慢，对位精度也低，主要取决于贴片机的精度，成为技术发展和普及的一大瓶颈
。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本公开提供了一种半导体封装方法
、
半导体组件及电子设备
。
[0005]第一方面，本公开提供了一种半导体封装方法，包括：
[0006]提供半导体器件和载板；其中，所述半导体器件包括相对设置的有源面和无源面，所述有源面包括连接端子和第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述有源面以及所述连接端子，所述无源面包括第一对准焊接部；所述载板的一侧表面具有与所述第一对准焊接部相对应的第二对准焊接部；所述第一对准焊接部和所述第二对准焊接部中的任一者包括对准焊接凸点，且另一者包括与所述对准焊接凸点对应的对准焊盘；
[0007]将所述对准焊接凸点与所述对准焊盘基本对准，对所述对准焊接凸点与所述对准焊盘进行熔融焊接，使得所述半导体器件精确对准并固定至所述载板；
[0008]形成第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述载板朝向所述半导体器件的一侧表面中未被所述半导体器件占据的表面以及包覆所述半导体器件，所述第二塑封层还填充于所述半导体器件与所述载板之间的空隙中
。
[0009]可选地，所述对所述对准焊接凸点与对准焊盘进行熔融焊接，包括：
[0010]对所述对准焊接凸点进行加热，使得所述对准焊接凸点至少部分处于熔融状态；
[0011]将至少部分处于熔融状态的所述对准焊接凸点与所述对准焊盘进行焊接
。
[0012]可选地，所述第一对准焊接部包括第一对准焊盘；所述提供半导体器件之前，所述半导体封装方法还包括：
[0013]于所述无源面形成第一金属层；
[0014]于所述第一金属层背离所述半导体器件的一侧形成图形化的第一光刻胶层；所述第一光刻胶层包括第一开口，所述第一开口暴露所述第一金属层；
[0015]基于图形化的所述第一光刻胶层，对所述第一开口暴露的第一金属层进行刻蚀；
[0016]移除所述第一光刻胶层，暴露所述第一对准焊盘
。
[0017]可选地，所述第一对准焊接部包括第一对准焊接凸点；所述半导体封装方法还包括：
[0018]于所述第一对准焊盘背离所述半导体器件的一侧形成第一对准焊接凸点
。
[0019]可选地，所述第二对准焊接部包括第二对准焊盘；在所述提供载板之前，所述半导体封装方法还包括：
[0020]于所述载板的一侧形成第二金属层；
[0021]于所述第二金属层背离所述载板的一侧形成图形化的第二光刻胶层；所述第二光刻胶层包括第二开口，所述第二开口暴露所述第二金属层；
[0022]基于所述第二光刻胶层，对所述第二开口暴露的金属层进行刻蚀；
[0023]移除所述第二光刻胶层，暴露所述第二对准焊接部的第二对准焊盘
。
[0024]可选地，所述第二对准焊接部包括第二对准焊接凸点；所述半导体封装方法还包括：
[0025]于所述第二对准焊盘背离所述载板的一侧形成第二对准焊接凸点
。
[0026]可选地，在所述无源面形成第一对准焊接部之前，所述半导体封装方法还包括：
[0027]于所述有源面形成连接端子；
[0028]于所述连接端子背离所述半导体器件的一侧形成所述第一塑封层；所述第一塑封层覆盖所述有源面以及所述连接端子
。
[0029]可选地，所述半导体封装方法还包括：
[0030]采用剥离
、
蚀刻
、
烧蚀和研磨工艺中的至少一种移除所述载板
。
[0031]可选地，移除所述载板之后，所述半导体封装方法还包括：
[0032]对所述第二塑封层靠近所述第二对准焊接部一侧的表面进行减薄处理
。
[0033]可选地，所述半导体封装方法还包括：
[0034]对所述第一塑封层进行减薄处理，以暴露所述连接端子；
[0035]于所述第一塑封层暴露所述连接端子的一侧表面形成互连层和外部端子；所述连接端子通过所述互连层与所述外部端子电连接
。
[0036]第二方面，本公开还提供了一种半导体组件，所述半导体组件是通过上述任一种半导体封装方法进行封装的
。
[0037]第三方面，本公开还提供了一种电子设备，包括：上述半导体组件
。
[0038]本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
[0039]本公开提供的半导体封装方法
、
半导体组件及电子设备，该半导体封装方法包括：提供半导体器件和载板；其中，半导体器件包括相对设置的有源面和无源面，有源面包括连接端子和第一塑封层，第一塑封层覆盖有源面以及连接端子，无源面包括第一对准焊接部；载板的一侧表面具有与第一对准焊接部相对应的第二对准焊接部；第一对准焊接部和第二对准焊接部中的任一者包括对准焊接凸点，且另一者包括与对准焊接凸点对应的对准焊盘；将对准焊接凸点与对准焊盘基本对准，对对准焊接凸点与对准焊盘进行熔融焊接，使得半导体器件精确对准并固定至载板；形成第二塑封层，第二塑封层覆盖半导体器件以及载板朝向半导体器件的一侧表面中未被半导体器件占据的表面，第二塑封层还填充于半导体
器件与载板之间的空隙中
。
由此，通过对第一对准焊接部和第二对准焊接部进行熔融焊接，基于最小表面能原理，熔融状态的对准焊接凸点所产生的表面张力会将半导体器件自动拉到载板的目标位置，且对准焊接凸点在冷却后将半导体器件精准地固定在目标位置，防止半导体器件在塑封过程中发生漂移和旋转，可有效提高后续工序的良品率；鉴于对准焊接凸点的自对准能力而在拾取并放置半导体器件时容许一定程度的放置偏差，即降低了对半导体器件放置精度的要求，从而提高了半导体器件拾取和放置操作的速度，进而提高了工艺效率，降低了工艺成本；此外，预本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供半导体器件和载板；其中，所述半导体器件包括相对设置的有源面和无源面，所述有源面包括连接端子和第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述有源面以及所述连接端子，所述无源面包括第一对准焊接部；所述载板的一侧表面具有与所述第一对准焊接部相对应的第二对准焊接部；所述第一对准焊接部和所述第二对准焊接部中的任一者包括对准焊接凸点，且另一者包括与所述对准焊接凸点对应的对准焊盘；将所述对准焊接凸点与所述对准焊盘基本对准，对所述对准焊接凸点与所述对准焊盘进行熔融焊接，使得所述半导体器件精确对准并固定至所述载板；形成第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述载板朝向所述半导体器件的一侧表面中未被所述半导体器件占据的表面以及包覆所述半导体器件，所述第二塑封层还填充于所述半导体器件与所述载板之间的空隙中
。2.
根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述对所述对准焊接凸点与对准焊盘进行熔融焊接，包括：对所述对准焊接凸点进行加热，使得所述对准焊接凸点至少部分处于熔融状态；将至少部分处于熔融状态的所述对准焊接凸点与所述对准焊盘进行焊接
。3.
根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准焊接部包括第一对准焊盘；所述提供半导体器件之前，所述半导体封装方法还包括：于所述无源面形成第一金属层；于所述第一金属层背离所述半导体器件的一侧形成图形化的第一光刻胶层；所述第一光刻胶层包括第一开口，所述第一开口暴露所述第一金属层；基于图形化的所述第一光刻胶层，对所述第一开口暴露的第一金属层进行刻蚀；移除所述第一光刻胶层，暴露所述第一对准焊盘
。4.
根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准焊接部包括第一对准焊接凸点；所述半导体封装方法还包括：于所述第一对准焊盘背离所述半导体器件的一侧形成第一对准焊接凸点
。5.
根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二对准焊接部包括第二对准焊盘；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，
申请(专利权)人：上海易卜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：