复合载板、制备方法及半导体封装方法技术

本公开涉及复合载板、制备方法及半导体封装方法，其中，复合载板用作晶圆级或板级扇出封装过程中的支撑载板，该复合载板包括：第一支撑层、第二支撑层和应力吸收层；应力吸收层位于第一支撑层和第二支撑层之间。由此，将该复合载板应用于半导体封装工艺，第一支撑层和第二支撑层用于向封装体提供支撑力，应力吸收层用于吸收封装过程中产生的应力，从而减少或消除晶圆翘曲，有利于降低后续晶圆处理工序的难度，还有利于降低翘曲对载板尺寸以布线精度的影响。的影响。的影响。

【技术实现步骤摘要】
复合载板、制备方法及半导体封装方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种复合载板、制备方法及半导体封装方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，芯片尺寸越来越小，信号接点数越来越多，传统的封装已不能满足高接点数的需求。晶圆级扇出封装(Fan
‑
Out Wafer Level Package，FOWLP)或板级扇出封装(Fan
‑
OutPanelLevelPackage，FOPLP)技术是一种晶圆级或板级重组加工的嵌入式芯片封装方法，具有输入/输出端口较多、集成灵活性较好等优点，被广泛应用于半导体行业中。
[0003]在晶圆级或板级扇出型封装技术中，由于重布线层，芯片和塑封层的热膨胀系数不同，易导致晶圆或板发生翘曲(warpage)；同时环氧树脂模塑料(Epoxy Molding Compound，EMC)固化成型过程中应力不断积聚，也会导致翘曲的发生，进而导致后续晶圆或板处理工序的难度增大；此外，翘曲还会对晶圆或板的最大尺寸以及重布线层布线精度造成影响。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本公开提供了一种复合载板、制备方法及半导体封装方法。
[0005]第一方面，本公开提供了一种复合载板，所述复合载板用作晶圆级或板级扇出封装过程中的支撑载板；所述复合载板包括：第一支撑层、第二支撑层和应力吸收层；所述应力吸收层位于所述第一支撑层和所述第二支撑层之间。
[0006]可选地，所述应力吸收层的杨氏模量为：1MPa～100MPa，和/或，所述应力吸收层的泊松比为：0.30～0.499。
[0007]可选地，所述应力吸收层包括具有粘弹性的聚合物层。
[0008]可选地，所述具有粘弹性的聚合物层包括硅树脂层。
[0009]可选地，所述应力吸收层的厚度为：10μm～500μm。
[0010]可选地，所述第一支撑层的厚度和所述第二支撑层的厚度均大于所述应力吸收层的厚度。
[0011]可选地，所述第一支撑层的厚度为：400μm～3000μm；
[0012]所述第二支撑层的厚度为：400μm～3000μm。
[0013]第二方面，本公开还提供了一种复合载板的制备方法，所述复合载板用作半导体封装过程中的支撑载板；所述制备方法包括：
[0014]提供第一支撑层；
[0015]于所述第一支撑层的一侧表面形成应力吸收层；
[0016]提供第二支撑层，并将所述第二支撑层粘接至所述应力吸收层背离所述第一支撑
层的一侧表面。
[0017]可选地，所述制备方法还包括：
[0018]对所述应力吸收层进行固化处理，以实现所述第一支撑层和第二支撑层与所述应力吸收层的粘接。
[0019]第三方面，本公开还提供了一种半导体封装方法，包括：
[0020]提供上述任一种复合载板，于所述复合载板的一侧表面形成封装体。
[0021]可选地，所述于所述复合载板的一侧表面形成封装体，包括：
[0022]提供半导体器件，于所述复合载板的一侧表面附接所述半导体器件的有源面；
[0023]形成塑封层；所述塑封层包覆所述半导体器件并覆盖所述复合载板朝向所述半导体器件的一侧表面；
[0024]移除所述复合载板，以暴露出所述半导体器件的有源面；
[0025]于所述半导体器件的有源面一侧形成第一连接结构；所述第一连接结构用于连接外部器件。
[0026]可选地，所述于所述复合载板的一侧表面形成封装体，包括：
[0027]提供半导体器件，于所述复合载板的一侧表面附接所述半导体器件的无源面；
[0028]形成塑封层；所述塑封层包覆所述半导体器件并覆盖所述复合载板朝向所述半导体器件的一侧表面；
[0029]对所述塑封层进行减薄处理，直至暴露出所述半导体器件的有源面；
[0030]于所述半导体器件的有源面一侧表面形成第二连接结构；所述第二连接结构用于连接外部器件；
[0031]移除所述复合载板。
[0032]可选地，所述于所述复合载板的一侧表面形成封装体，包括：
[0033]于所述复合载板的一侧表面形成重布线层；
[0034]提供半导体器件，于所述重布线层背离所述复合载板的一侧表面附接所述半导体器件的有源面；
[0035]形成塑封层；所述塑封层包覆所述半导体器件并覆盖所述重布线层朝向所述半导体器件的一侧表面；
[0036]移除所述复合载板，于所述重布线层背离所述半导体器件的一侧表面形成第三连接结构；所述第三连接结构用于连接外部器件。
[0037]本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
[0038]本公开实施例提供的复合载板、制备方法及半导体封装方法，其中，复合载板用作晶圆级或板级扇出封装过程中的支撑载板，该复合载板包括：第一支撑层、第二支撑层和应力吸收层；应力吸收层位于第一支撑层和第二支撑层之间。由此，将该复合载板应用于半导体封装工艺，第一支撑层和第二支撑层用于向封装体提供支撑力，应力吸收层用于吸收封装过程中产生的应力，从而减少或消除晶圆或板翘曲，有利于降低后续晶圆或板处理工序的难度，还有利于降低翘曲对板尺寸以布线精度的影响。
附图说明
[0039]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施
例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
[0040]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1为本公开实施例提供的一种复合载板的结构示意图；
[0042]图2为本公开实施例提供的一种复合载板的制备方法的流程示意图；
[0043]图3为图2示出的复合载板的制备方法中各步骤对应的结构示意图；
[0044]图4为本公开实施例提供的一种半导体封装方法的流程示意图；
[0045]图5为图4示出的半导体封装方法中，“于复合载板的一侧表面形成封装体”的一种细化流程示意图；
[0046]图6为图5示出的“于复合载板的一侧表面形成封装体”中各步骤的对应的结构示意图；
[0047]图7为本公开实施例提供的“移除复合载板”的结构示意图；
[0048]图8为图4示出的半导体封装方法中，“于复合载板的一侧表面形成封装体”的一种细化流程示意图；
[0049]图9为图8示出的“于复合载板的一侧表面形成封装体”中各步骤的对应的结构示意图；
[0050]图10为图4示出的半导体封装方法中，“于复合载板的一侧表面形成封装体”的一种细化流程示意图；
[0051]图11为图10示出的“于复合载板的一侧表面形成封装体”中各步骤的对应的结构示意图。
具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合载板，其特征在于，所述复合载板用作晶圆级或板级扇出封装过程中的支撑载板；所述复合载板包括：第一支撑层、第二支撑层和应力吸收层；所述应力吸收层位于所述第一支撑层和所述第二支撑层之间。2.根据权利要求1所述的复合载板，其特征在于，所述应力吸收层的杨氏模量为：1MPa～100MPa，和/或，所述应力吸收层的泊松比为：0.30～0.499。3.根据权利要求1所述的复合载板，其特征在于，所述应力吸收层包括具有粘弹性的聚合物层。4.根据权利要求3所述的复合载板，其特征在于，所述具有粘弹性的聚合物层包括硅树脂层。5.根据权利要求1所述的复合载板，其特征在于，所述应力吸收层的厚度为：10μm～500μm。6.根据权利要求5所述的复合载板，其特征在于，所述第一支撑层的厚度和所述第二支撑层的厚度均大于所述应力吸收层的厚度。7.根据权利要求6所述的复合载板，其特征在于，所述第一支撑层的厚度为：400μm～3000μm；所述第二支撑层的厚度为：400μm～3000μm。8.一种复合载板的制备方法，其特征在于，所述复合载板用作晶圆级或板级扇出封装过程中的支撑载板；所述制备方法包括：提供第一支撑层；于所述第一支撑层的一侧表面形成应力吸收层；提供第二支撑层，并将所述第二支撑层粘接至所述应力吸收层背离所述第一支撑层的一侧表面。9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：对所述应力吸收层进行固化处理，以实现所述第一支撑层和第二支撑层与所述应力吸收层的粘接。10.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，
申请(专利权)人：上海易卜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：