【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装方法、半导体组件及电子设备。
技术介绍
1、半导体封装和系统在设计方面一直追求密、小、轻和薄，同时在功能方面力求实现高集成度和多功能性。目前为满足上述技术要求而提出多种封装技术，如扇出(fanout)型晶圆级封装、小芯片封装(chiplet)、异构集成(heterogeneous integration)、2.5维/三维(2.5d/3d)封装。
2、在各种半导体封装和系统制造过程中，需要对半导体器件进行高精度放置和固定。这一工艺步骤通常由高精度贴片设备进行，但是其贴装速度有限，导致生产效率低，而且设备成本昂贵，对位精度也低，主要取决于贴片机的精度，成为技术发展和普及的一大瓶颈。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本公开提供了一种半导体封装方法、半导体组件及电子设备。
2、第一方面，本公开提供了一种半导体封装方法，包括：
3、提供载板，并于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部；
4、提供互连器件，并将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，所述互连器件与所述第一对准连接部位于所述载板的同一侧，所述互连器件背离所述载板的一侧设有第二对准连接部；
5、提供半导体器件，所述半导体器件的有源面具有第三对准连接部，利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接；
6、其中，所述第一对准连接部
7、可选地，所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：
8、对所述对准焊接凸点进行加热，使得所述对准焊接凸点至少部分处于熔融状态；
9、将至少部分处于熔融状态的所述对准焊接凸点与所述第一对准焊盘进行焊接。
10、可选地，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第一重布线层，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；
11、所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：
12、于所述载板一侧形成所述第一重布线层；
13、于所述第一重布线层背离所述载板一侧的所述第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；
14、所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：
15、刻蚀位于所述第二目标位置的所述第一重布线层形成开口，所述开口暴露出所述载板；
16、于所述开口暴露的所述载板一侧形成第五对准连接部；
17、利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第五对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。
18、可选地，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第一重布线层，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；
19、所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：
20、于所述载板一侧形成所述第一重布线层；
21、于所述第一重布线层背离所述载板一侧的第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；
22、所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：
23、于所述第一重布线层背离载板的一侧的所述第二目标位置处形成第五对准连接部；
24、利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第五对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。
25、可选地，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点、第一重布线层和第二重布线层；所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；
26、所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：
27、于所述载板一侧形成所述第二重布线层；
28、于所述第二重布线层背离所述载板一侧形成所述第一重布线层；
29、于所述第一重布线层背离所述第二重布线层一侧的所述第一目标位置处形成所述第一对准焊接凸点；
30、所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：
31、刻蚀位于所述第二目标位置处所述第一重布线层形成开口，所述开口暴露出所述第二重布线层；
32、于所述开口暴露的所述第二重布线层的一侧形成第五对准连接部；
33、利用熔融焊接工艺将所述第五准连接部与所述第四对准连接部对准连接；其中，所述第四对准连接部和所述第六对准连接部中的一个为对准焊接凸点，另一个为对准焊盘。
34、可选地，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第三对准焊盘，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准焊接凸点；
35、所述于载板一侧的第一目标位置处形成第一对准连接部，包括：
36、于所述载板一侧形成所述金属层；
37、对所述金属层进行刻蚀，于所述第一目标位置和所述第二目标位置处形成所述第三对准焊盘；
38、于位于所述第一目标位置的第三对准焊盘背离载板一侧形成所述第一对准焊接凸点；
39、所述将所述互连器件附接至所述载板的第二目标位置，包括：
40、利用熔融焊接工艺将所述第四对准焊接凸点与位于所述第二目标位置处的所述第三对准焊盘对准连接。
41、可选地，所述第二对准连接部包括第二对准焊接凸点，所述第三对准连接部包括第一对准焊盘；
42、利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：
43、利用熔融焊接工艺将部分所述第一对准焊盘与所述第一对准焊接凸点对准连接，以及将剩余所述第一对准焊盘与所述第二对准焊接凸点对准连接。
44、可选地，所述第二对准连接部包括第二对准焊盘，所述第三对准连接部包括第一对准焊盘和第三对准焊接凸点；
45、利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：
46、利用熔融焊接工艺将部分所述第一对准焊盘与所述第一对准焊接凸点对准连接，以及所述第三对准焊接凸点与所述第二对准焊盘对准连接。
47、可选地，所述第一对准连接部包括第三对准焊盘，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准焊接凸点；
48、所述于载板一侧的第一目标位置本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述利用熔融焊接工艺将部分所述第三对准连接部与所述第一对准连接部对准连接，以及将剩余所述第三对准连接部与所述第二对准连接部对准连接，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第一重布线层，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；
4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第一重布线层，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；
5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点、第一重布线层和第二重布线层；所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准连接部；
6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一对准连接部包括第一对准焊接凸点和第三对准焊盘，所述互连器件背离所述第二对准连接部的一侧设有第四对准焊接凸点；
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