【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装方法、半导体组件及电子设备。
技术介绍
1、随着高端应用领域的逐步发展，在更小的空间内集成更多的集成电路芯片且用更短的距离来实现集成电路芯片间的互连，是符合期望的。为此，能够实现更高集成度和更高密度芯片互连的2.5d/3d先进封装技术受到了广泛的关注。在这些先进封装技术中，台积电(tsmc)的芯片-晶圆-基板(chip-on-wafer-on-substrate，cowos)封装以及英特尔(intel)的嵌入式多芯片互连桥接(embedded multi-die interconnect bridge，emib)封装，实现了芯片之间精细的高密度电通路。
2、然而，emib封装的基板段制程较为复杂，需要先在基板中开槽以埋入硅桥，硅桥埋入基板时的平整性和位置的精确性收到基板硬度影响，控制难度较大。cowos封装需要设置硅通孔(through silicon vias，tsv)，工艺要求高、成本高以及产能不足等导致推广难度大。
3、因此，目前急需开发一种制程简单、低成本的高密度互连封装技术。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本公开提供了一种半导体封装方法、半导体组件及电子设备。
2、第一方面，本公开提供了一种半导体封装方法，包括：
3、于载板一侧形成外连接器件；
4、提供互连器件，并将所述互连器件附接至所述载板，与所述外连接器件位于所述载板的同一侧；
5、提供第一半导体
6、提供第二半导体器件，并将所述第二半导体器件的有源面至少与所述互连器件电连接；
7、形成塑封层；其中，所述塑封层包覆所述外连接器件、所述互连器件、所述第一半导体器件和所述第二半导体器件，以及覆盖所述载板朝向所述外连接器件的一侧表面。
8、可选地，所述外连接器件包括第一外连接器，所述第一外连接器包括第一凸块；
9、所述于载板一侧形成外连接器件，包括：
10、于所述载板的一侧形成第一晶种层；
11、于所述第一晶种层背离所述载板的一侧形成第一凸块；
12、去除所述第一晶种层。
13、可选地，所述外连接器件包括第二外连接器，所述第二外连接器包括第一重布线层和第二凸块；
14、所述于载板一侧形成外连接器件，包括：
15、于所述载板的一侧形成第一晶种层；
16、于所述第一晶种层背离所述载板的一侧形成所述第一重布线层；
17、去除所述第一晶种层；
18、于所述第一重布线层背离所述第一晶种层的一侧形成第二晶种层；
19、于所述第二晶种层背离所述第一重布线层的一侧形成第二凸块；
20、去除所述第二晶种层。
21、可选地，所述外连接器件包括第一外连接器和第二外连接器，所述第一外连接器包括第一凸块，所述第二外连接器包括第一重布线层和第二凸块；
22、所述于载板一侧形成外连接器件，包括：
23、于所述载板的一侧形成第一晶种层；
24、于所述第一晶种层背离所述载板的一侧形成第一重布线层；
25、于所述第一重布线层背离所述第一晶种层的一侧形成第二晶种层；
26、于所述第二晶种层背离所述第一重布线层的一侧形成第二凸块；
27、于所述第一晶种层背离所述载板的一侧形成第一凸块；
28、去除所述第一晶种层和所述第二晶种层。
29、可选地，将所述第一半导体器件的有源面与所述外连接器件和所述互连器件电连接，包括：
30、将所述第一半导体器件的有源面与所述第一外连接器件和所述互连器件电连接；
31、将所述第二半导体器件的有源面至少与所述互连器件电连接，包括：
32、将所述第二半导体器件的有源面与所述第二外连接器件和所述互连器件电连接。
33、可选地，所述互连器件包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括粘接层，所述第二表面包括连接焊盘；
34、所述将所述互连器件附接至所述载板，包括：
35、将所述互连器件的第一表面附接至所述载板，所述第二表面与所述外连接器背离所述载板的一侧表面齐平。
36、可选地，所述第一半导体器件的有源面包括第三凸块；
37、所述将所述第一半导体器件的有源面与所述外连接器件和所述互连器件电连接，包括：
38、所述第一半导体器件通过部分所述第三凸块与所述外连接器件电连接，通过剩余所述第三凸块与所述互连器件电连接。
39、可选地，所述半导体封装方法还包括：
40、去除所述载板，暴露出所述外连接器件和所述互连器件；
41、于所述外连接器件背离所述第一半导体器件的一侧形成第二重布线层；
42、于所述第二重布线层背离所述外连接器件的一侧形成第四凸块。
43、第二方面，本公开还提供了一种半导体组件，所述半导体组件是通过上述任一种半导体封装方法进行封装的。
44、第三方面，本公开还提供了一种电子设备，包括：上述半导体组件。
45、本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
46、本公开提供的半导体封装方法、半导体组件及电子设备，该半导体封装方法包括：于载板一侧形成外连接器件；提供互连器件，并将互连器件附接至载板，与外连接器件位于载板的同一侧；提供第一半导体器件，并将第一半导体器件的有源面与外连接器件和互连器件电连接；提供第二半导体器件，并将第二半导体器件的有源面至少与互连器件电连接；形成塑封层；其中，塑封层包覆外连接器件、互连器件、第一半导体器件和第二半导体器件，以及覆盖载板朝向外连接器件的一侧表面。由此，该半导体封装方法利用载板、外连接器件、互连器件和封装层实现了第一半导体器件和第二半导体器件的集成封装，第一半导体器件和第二半导体器件通过互连器件实现电连接，封装过程不需要进行基板开槽和硅通孔，不需要进行预塑封和转板操作，仅塑封一次，制备工艺简单，有利于简化制程和降低成本。
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1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述外连接器件包括第一外连接器，所述第一外连接器包括第一凸块；
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述外连接器件包括第二外连接器，所述第二外连接器包括第一重布线层和第二凸块；
4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述外连接器件包括第一外连接器和第二外连接器，所述第一外连接器包括第一凸块，所述第二外连接器包括第一重布线层和第二凸块；
5.根据权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，
6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述互连器件包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括粘接层，所述第二表面包括连接焊盘；
7.根据权利要求1-5任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一半导体器件的有源面包括第三凸块；
8.根据权利要求1-5任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：
9.一种半导体组件，其特征在于，所述半导体组
10.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求9所述的半导体组件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述外连接器件包括第一外连接器，所述第一外连接器包括第一凸块；
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述外连接器件包括第二外连接器，所述第二外连接器包括第一重布线层和第二凸块；
4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述外连接器件包括第一外连接器和第二外连接器，所述第一外连接器包括第一凸块，所述第二外连接器包括第一重布线层和第二凸块；
5.根据权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，
申请(专利权)人：上海易卜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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