【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管，简称为led，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如应用在照明、显示器背光、键盘背光等领域。
2、随着发光二极管封装技术的发展，csp(chip scale package，芯片级封装)产品成为趋势。在一种常规csp封装结构中，如图1所述，发光二极管的波长转换层包裹发光芯片的顶面、侧面和底面，并使芯片电极底面裸露，在芯片电极上还设置有扩展电极，扩展电极的顶面直接与芯片电极及波长转换层的底面贴合，在遇到较大的温度变化时，波长转换层的热胀冷缩形变量大于扩展电极的热胀冷缩形变量，极有可能导致扩展电极产生开裂。
3、在发光二极管贴装至电路板上后，如果发光二极管的扩展电极产生开裂，会导致产品的导电性受到影响，最终可能导致产品不能正常发挥应用的功能，影响产品的质量和使用寿命。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述波长转换层的热膨胀系数为Ta，所述扩展电极的热膨胀系数为Tb，所述绝缘过渡层的热膨胀系数为Tc，Tb＜Tc＜Ta。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘过渡层为光刻胶层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述波长转换层为荧光胶层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，以所述发光芯片的底面为投影面，所述窗口向所述投影面的投影边界与所述芯片电极向所述投影面的投影边界重合。
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【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述波长转换层的热膨胀系数为ta，所述扩展电极的热膨胀系数为tb，所述绝缘过渡层的热膨胀系数为tc，tb＜tc＜ta。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘过渡层为光刻胶层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述波长转换层为荧光胶层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，以所述发光芯片的底面为投影面，所述窗口向所述投影面的投影边界与所述芯片电极向所述投影面的投影边界重合。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，以所述发光芯片的底面为投影面，所述窗口向所述投影面的投影边界位于所述芯片电极向所述投影面的投影边界以内。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述窗口向所述投影面的投影边界与所述芯片电极向所述投影面的投影边界之间的间距取值范围为15～50um。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每个所述扩展电极的底面面积为s1，与所述扩展电极对应的所述芯片电极的底面面积为s2，β＝s1/s2，2≤β≤3。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述扩展电极数量为两个，分别为第一扩展电极和第二扩展电极；
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄巧力，黄森鹏，黄鑫，李达诚，胡金泉，余长治，徐宸科，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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