半导体器件和形成具有石墨烯涂覆的核的RDL的方法技术

技术编号:41966205 阅读:24 留言:0更新日期:2024-07-10 16:48
本公开涉及半导体器件和形成具有石墨烯涂覆的核的RDL的方法。半导体器件具有一层互连衬底和设置在互连衬底的第一表面上的电部件。电部件可以是分立电器件、IPD、半导体管芯、半导体封装、表面安装器件和RF部件。具有石墨烯核壳的RDL形成在互连衬底的第二表面上。石墨烯核壳具有铜核和形成在铜核上的石墨烯涂层。RDL还具有用于嵌入石墨烯核壳的基质。穿过RDL的石墨烯核壳形成电路径。RDL可以是热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基质。石墨烯核壳嵌入在热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基质内。具有石墨烯核壳的RDL对于SIP内的导电率和电互连是有用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体器件,并且更特别地涉及半导体器件和形成包含嵌入在基质内的石墨烯核壳的再分布层的方法。


技术介绍

1、半导体器件常见于现代电子产品中。半导体器件执行广泛各种的功能,诸如信号处理、高速计算、传输和接收电磁信号、控制电子器件、功率转换、光电以及为电视显示器创建视觉图像。半导体器件见于通信、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中。半导体器件还见于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公装备中。

2、半导体器件通常包含半导体管芯或衬底,其中电互连结构例如再分布层(rdl)形成在半导体管芯或衬底的一个或多个表面上以执行必要的电功能。电部件可以放置在衬底的表面上以形成系统级封装(sip)模块。衬底可以具有多层以适应通常复杂的rdl功能。用于电互连的多层衬底可能实质上增加制造成本。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述石墨烯核壳还包括:

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电层还包括用于嵌入所述石墨烯核壳的基质。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电层包括由石墨烯覆盖的多个核,并且所述石墨烯在所述导电层内互连以形成电路径。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电层包括热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基质,并且所述石墨烯核壳嵌入在所述热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基质内。

6.一种半导体器件,包括:

7.根据权利要求6所述的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述石墨烯核壳还包括:

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电层还包括用于嵌入所述石墨烯核壳的基质。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电层包括由石墨烯覆盖的多个核,并且所述石墨烯在所述导电层内互连以形成电路径。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述导电层包括热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基质,并且所述石墨烯核壳嵌入在所述热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基质内。

6.一种半导体器件,包括:

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述石墨烯核壳包括铜核。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述石墨烯核壳还包括形成在所述铜核上的石...

【专利技术属性】
技术研发人员:申容武朴贤锡具教王金信在
申请(专利权)人:星科金朋私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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