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本公开涉及半导体器件和形成具有石墨烯涂覆的核的RDL的方法。半导体器件具有一层互连衬底和设置在互连衬底的第一表面上的电部件。电部件可以是分立电器件、IPD、半导体管芯、半导体封装、表面安装器件和RF部件。具有石墨烯核壳的RDL形成在互连衬底...
该专利属于星科金朋私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过星科金朋私人有限公司授权不得商用。

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