本发明公开了一种提高CIS芯片扇出面积的封装结构及方法，所述结构包括：硅基板，所述硅基板具有第一表面和第二表面，其开设有贯穿第一表面和第二表面的硅通孔；CIS芯片，其从硅基板的第一表面埋入到硅基板内，其中感光区朝向硅基板的第一表面；第一...

本发明提供一种全自动RING清洗机及工作方法，该清洗机包括上下料模组、分离模组、成品收集模组和RING收集模组，所述上下料模组用于上下料切割料盒及RING料盒；所述分离模组包括取料机构、Map比对机构、裁切机构、吸膜撕膜机构，分别用于取...

本发明提供一种全自动拉力测试机及工作方法，该包括天车及设于工作台上的供料模组、测试模组、下料模组，所述天车用于上下料料盒，所述供料模组包括开盒机构、推出机构、取盘机构，开盒机构用于打开料盒，推出机构用于推出料盒内的料盘，取盘机构用于吸取...

本发明提供一种半导体Ring环料盒，包括活动连接的底座、上盖，所述底座与上盖通过快接机构能快速合体，底盖与上盖为分体状态时，能将Ring环上下料到料盒上，底盖与上料合体时，能移动运输料盒；所述底座上设有装载定位Ring环的定位机构，所述...

本发明公开了一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法及封装结构，该制备方法包括以下步骤：选取合适的消光层材料和光学胶层材料并设计消光层和光学胶层的厚度；在玻璃基板上制备消光层，消光层避开感光区；在玻璃基板上整面制备光学胶层；晶圆键合、减薄、...

本发明提供了AGV双料爪取料机构，其实现框架料盒及切割料盒的自动上下料，且上下料准确可靠。其包括：AGV行走模块；手臂控制及子控制系统模块；上部机壳，其长度方向两侧分别设置有料盒存放工位区域，上部机壳的长度方向中部设置有安装座；多轴机械...

本发明提供了一种备件智能存储柜，其可实现物料管理，防止人员拿错料，以及混料的现象发生

本发明公开了一种基于硅通孔的芯片封装方法及芯片封装结构，该芯片封装方法包括以下步骤：对晶圆背面进行去应力减薄和硅通孔刻蚀；在晶圆背面整面制作保护层Ⅰ，将需要刻蚀的硅平面层裸露；将硅平面层减薄，形成凹槽结构；在凹槽结构中填充阻挡层，用于吸...

本发明公开了一种高可靠性芯片封装结构及其制作方法，该封装结构包括：基板；围堰，所述围堰制作在基板上；晶圆，所述晶圆键合在围堰上；介电层，所述介电层设置在晶圆表面；钝化层，所述钝化层设置在介电层表面；线路层，所述线路层设置在钝化层上；阻焊...

本发明公开了一种半导体器件测试装置，所述测试装置用于测试芯片，包括：从下到上依次设置的测试底座

本发明公开了一种高可靠性芯片封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：先完成晶圆键合和去应力减薄，再刻蚀出斜槽，随后在晶圆表面制备钝化层，钝化层在斜槽侧壁附着均一性良好，最后完成重布线路层以及阻焊层，植球、切割成最终成品。本发明采用一...

本发明公开了一种高性能导电垫PAD缓解应力的超薄3D扇出型封装结构及方法，所述结构包括：硅基平台，其具有第一表面和第二表面，在第一表面制作有硅基槽，第二表面制作有硅通孔；芯片，所述芯片埋入硅基槽内；转接焊盘，所述转接焊盘制作在硅基平台的...

本发明公开了一种高可靠性的CIS芯片封装结构及方法，该结构包括：玻璃基板，其具有围堰结构；影像传感器晶圆，其具有第一表面和第二表面，第一表面设有焊盘和感光区，且第一表面通过键合胶键合在围堰结构上，所述感光区与围堰结构形成密闭空腔；第二表...

本发明公开了一种晶圆级3D堆叠结构及其制作方法，该晶圆级3D堆叠结构包括主IC晶圆，主IC晶圆正面设第一钝化层，第一钝化层上设目标图形线路RDL，目标图形线路RDL上设第二钝化层，第二钝化层上设目标图形线路UBM，主IC晶圆背面设TSV...

本发明公开了一种晶圆级扇出封装方法及封装结构，该方法包括以下步骤：先在功能芯片正面形成氧化硅保护层，在功能芯片的pad处留开口，电镀形成导电柱，再将功能芯片研磨至指定硅厚，背面贴上DAF膜，或者，先在功能芯片正面形成布线层Ⅱ，再在背面贴...

本发明公开了一种三维扇出型封装结构的制造方法及其产品，该制造方法包括以下步骤：在倒装芯片完成倒装和塑封后，采用激光开孔等方式形成通孔，再在通孔内塞填导电材料，再进行三维堆叠等，最后植球。本发明提供的三维扇出型封装结构的制造方法中，采用激...

本发明公开了一种光电芯片扇出型封装结构及其封装方法，该封装结构包括：存储芯片；光电芯片，光电芯片上的TSV通孔内进行金属化填充形成铜柱；封装层，采用塑封材料或干膜制成，包覆存储芯片以及光电芯片；多层RDL线路。本发明中，通过TSV工艺将...

本发明公开了一种改善影像问题的晶圆级封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：第一步，将晶圆进行键合，减薄和刻蚀硅；第二步，在晶圆的硅基面制备黑色遮光层；第三步，在硅基面制备绝缘层，重布线路，设置阻焊层；第四步，长锡球，切割，得到单颗...

本发明公开一种高散热的扇出型封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：准备一硅片，制作金属散热层，随后刻蚀金属散热层，只保留预埋芯片底部的金属散热层，金属散热层上形成多个缺口；将芯片的功能面朝上按照一定的排列方式贴合到带有金属散热层的...

本发明公开了三维扇出封装结构及其制造方法，所述结构包括：芯片，所述芯片上制作有焊盘；铜箔，所述芯片通过胶膜与铜箔粘连；塑封体，所述塑封体将芯片及胶膜封装在内部，且塑封体上还制造有铜柱；第一RDL线路层，所述第一RDL线路层制作在塑封体的...