一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法及封装结构技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法及封装结构，该制备方法包括以下步骤：选取合适的消光层材料和光学胶层材料并设计消光层和光学胶层的厚度；在玻璃基板上制备消光层，消光层避开感光区；在玻璃基板上整面制备光学胶层；晶圆键合、减薄、硅通孔刻蚀；先预切开槽再钝化，或先钝化再预切开槽；重布线层制备；阻焊层制备；植球、回流；打标、切割。本发明专利技术通过对消光层材料进行严格选择，去除杂散光，解决眩光问题，通过对光学胶层材料进行严格选择，避免CIS产品成像重影及成像色差问题，信噪比高，改善弱光成像，适用于大尺寸、大空腔比的CIS产品封装，能够改善大尺寸CIS芯片封装结构的可靠性并提供更高的光学品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路，具体涉及一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法及封装结构。

技术介绍

1、随着cis（英文全称：cmos image sensor，中文全称：cmos图像传感器）芯片产品尺寸的逐渐增大，传统的空腔式硅通孔（英文全称：through silicon via，英文简称：tsv）封装产品的空腔比也随之增加，从而导致封装产品的可靠性提升存在较大挑战，尤其是在可靠性测试中容易出现结构分层（delamination）或断裂（crack）。

技术实现思路

1、为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法及封装结构，避免普通空腔结构的tsv区漏光导致的眩光问题。

2、为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：

3、一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，包括以下步骤：

4、1）选取合适的消光层材料和光学胶层材料并设计消光层和光学胶层的厚度；

5、2）在玻璃基板上制备厚度为 本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述光学胶层材料的折射率需要满足以下要求：

3.根据权利要求2所述的一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述微透镜材料的折射率比光学胶层材料的折射率高0.3-0.5。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述光学胶层材料的厚度要求满足：

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述光学胶层材料的折射率需要满足以下要求：

3.根据权利要求2所述的一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述微透镜材料的折射率比光学胶层材料的折射率高0.3-0.5。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述光学胶层材料的厚度要求满足：

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级光学芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述消光层材料要求满足；

6.根据权利要求1所述的一种晶圆级光学芯片封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：申九林，魏浩，马书英，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：