方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法技术

一种方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法，用以改善已知方形扁平无引脚封装晶片的良率不佳的问题，该方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法包含：透过一显微摄影装置拍摄取得一基板的影像，该基板中封装有复数个晶片，该晶片分别电连接复数个引线框架，该引线框架形成于该基板的一表面，且各该引线框架之间具有一胶体；利用一运算单元加载该基板的影像，并据以执行影像分析运算定位该基板中所封装的晶片的位置；及该运算单元将各该晶片与一样本影像进行比对，以侦测各该晶片所电性连接的引线框架受到该胶体的残胶所覆盖的部分，判定为该胶体需要烧蚀的冗余区块，依据该冗余区块设定该激光产生器的激光轨迹，由该激光产生器烧蚀去除该胶体的冗余区块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法，尤其是一种利用激光光束烧蚀除胶的方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法。
技术介绍
请参照图1和2所示，是一种已知方形扁平无引脚封装(quad flat no-lead package, QFN package)制程所使用的基板1(substrate)，该基板1中封装有复数个晶片2(die)。该基板1包含复数个散热座11(thermal pad)，且对应各该散热座11分别设有复数个引线框架12(lead frame)，该散热座11及该复数个引线框架12形成于该基板1的一表面1a。各该晶片2可以分别结合于该复数个散热座11上，并且电性连接对应各该散热座11的复数个引线框架12。其中，该基板1的散热座11与引线框架12之间以及各该引线框架12之间具有一胶体3(mold cap)，该胶体3较佳为绝缘材料，且通常采用环氧树脂或其它具有良好绝缘及包覆效果的塑性材质，经由塑脂注模以包覆固定于该晶片2外部，同时延伸至该基板1的表面1a，并使该散热座11及该引线框架12暴露于该表面1a，以利后续晶片成品测试(final test)等作业的进行。详言之，所述的QFN晶片封装制程首先于该基板1上制作该散热座11及该复数个引线框架12；接着，将该晶片2经由黏晶(die attach)固定于该散热座11；该晶片2及各该引线框架12之间可以透过焊线(wire bond)或者预先成型的电连接线以形成电性连接；最后，藉由于该基板1的表面1a上贴附一层阻隔膜(图未绘示)，利用塑脂注模将呈熔融状态的胶体原料注入该基板1以包覆该晶片2，待其冷却成形后即形成该胶体3，并卸除该阻隔膜以完成该晶片封装制程的封胶(mold)程序。然而，请参照图3所示，该胶体3在成形过程中，容易溢胶(mold flash)而产生不当覆盖该散热座11或该引线框架12的残胶31，致使该散热座11或该引线框架12无法完整暴露于该基板1的表面1a，进而产生接触不良的情形，间接造成该晶片2封装后的良率下滑，使业者蒙受巨额损失。虽然已知晶片封装制程中尝试加入研磨步骤来修饰该散热座11及该引线框架12的表层，以除去该胶体3的残胶31，只是现有的研磨机台(例如：细砂轮机)的精确度有限，无法将覆盖于该散热座11及该引线框架12表层的残胶31完整去除；另有业者提出透过现有的磨砂橡皮擦来清除该残胶31，虽然除胶效果优异但操作磨砂橡皮擦机台所需的人力成本过高，明显不符合现代半导体产业的需求。再者，近年来集成电路制程不断演进，该晶片2的体积持续缩减连带造成该引线框架12的面积随之缩小，因此采用现有的研磨机台或现有的磨砂橡皮擦更加难以将该引线框架12表面的残胶31确实去除，加上该引线框架12的暴露面积狭小，一旦被该基板1的残胶31覆盖极有可能使该引线框架12发生接触不良的情形，而导致整颗晶片2成为瑕疵品。此外，该基板1的散热座11与引线框架12之间以及各该引线框架12之间的间隙亦随之缩减，为了在封胶程序执行的过程中使所述的胶体原料能够顺利渗透到上述间隙内，并且提升所述封胶程序的执行效率，先进的QFN晶片封装制程多采用浓度较低的胶体原料来成形该胶体3，却也直接导致该胶体原料的溢胶情形加剧，所形成胶体3甚至有完全覆盖该引线框架12的情形发生。据此，该胶体3因溢胶所产生的残胶31已然成为晶片封装制程中急需解决的问题。综上所述，亟需提供一种进一步改良的QFN封装晶片的除胶方法，以改善上述晶片2封装完成后，其该胶体3因溢胶所产生的残胶31难以去除的缺点，有效提升QFN封装晶片的生产良率。
技术实现思路
本专利技术的一目的是提供一种QFN封装晶片的除胶方法，藉由一运算单元对一基板的影像执行影像分析运算，以侦测该基板的引线框架受到一胶体因溢胶所形成的残胶覆盖的部分，能够设定一激光产生器的激光轨迹来烧蚀去除该残胶，以避免该晶片的引线框架发生接触不良的情形，具有提升QFN封装晶片的生产良率的功效。本专利技术的另一目的是提供一种QFN封装晶片的除胶方法，于该晶片经由激光烧蚀完成后，重复拍摄该基板影像并与一样本影像进行比对，以检验该胶体的残胶经激光烧蚀后是否完全清除，能够再次确认该残胶是否成功除去，具有进一步提升该晶片的封装质量的功效。为达到前述专利技术目的，本专利技术所运用的技术手段包含有：一种QFN封装晶片的除胶方法，包含：透过一显微摄影装置拍摄取得一基板的影像，该基板中封装有复数个晶片，该晶片分别电连接复数个引线框架，该引线框架形成于该基板的一表面，且各该引线框架之间具有一胶体；利用一运算单元加载该基板的影像，并据以执行影像分析运算定位该基板中所封装的晶片的位置；及该运算单元将各该晶片与一样本影像进行比对，以侦测各该晶片所电性连接的引线框架受到该胶体的残胶所覆盖的部分，判定为该胶体需要烧蚀的冗余区块，依据该冗余区块设定该激光产生器的激光轨迹，由该激光产生器烧蚀去除该胶体的冗余区块。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，取封装完成的一晶片做为样本，以该激光产生器烧蚀去除覆盖于该晶片所电性连接的引线框架上的残胶，并且透过该显微摄影装置拍摄经由该激光产生器烧蚀的晶片的影像作为该样本影像。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，该晶片结合于一散热座，该散热座形成于该基板的表面，该运算单元将各该晶片与该样本影像进行比对时，另侦测该散热座受到该胶体的残胶所覆盖的部分，同样判定为该胶体需要烧蚀的冗余区块。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，取封装于该基板的其中一晶片做为样本，以该激光产生器一并烧蚀去除覆盖于该晶片所电性连接的引线框架上的残胶，以及覆盖于该晶片所结合的散热座上的残胶，并且透过该显微摄影装置拍摄经由该激光产生器烧蚀的晶片的影像作为该样本影像。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，该激光产生器利用激光光束烧蚀去除该胶体的冗余区块后，再次拍摄该基板的影像并由该运算单元加载，据以将完成激光烧蚀的各该晶片与该样本影像再次进行比对，以检验该胶体的残胶经激光烧蚀后是否完全清除。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，若该晶片的影像与该样本影像的差异程度在一容许范围内，即判定该基板的残胶已完全清除；反之，若该晶片的影像与该样本影像的差异超出该容许范围，即判定该晶片必需进行二次除胶加工，或者直接视为不良品，将该晶片及其所在位置的基板一并舍弃。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，运算单元是执行影像分析以定位各该散热座的一中心点，以作为该基板中所封装的晶片的位置。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，该激光产生器为振镜式激光机台。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，该激光产生器是采用掺钕钇铝石榴石激光，且该激光产生器所产生的激光光束的功率及波长分别为16~24瓦特及851~1277纳米。上述QFN封装晶片的除胶方法，其中，该样本影像为经由软件绘制的一模板影像。附图说明图1是一种已知晶片封装制程所使用的基板外观图；图2是一种已知晶片封装制程所使用的基板的局部剖视图；图3是一种已知晶片封装制程的晶片封装后的放本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法，其特征在于，包含： 透过一显微摄影装置拍摄取得一基板的影像，该基板中封装有复数个晶片，该晶片分别电连接复数个引线框架，该引线框架形成于该基板的一表面，且各该引线框架之间具有一胶体； 利用一运算单元加载该基板的影像，并据以执行影像分析运算定位该基板中所封装的晶片的位置；及 该运算单元将各该晶片与一样本影像进行比对，以侦测各该晶片所电性连接的引线框架受到该胶体的残胶所覆盖的部分，判定为该胶体需要烧蚀的冗余区块，依据该冗余区块设定该激光产生器的激光轨迹，由该激光产生器烧蚀去除该胶体的冗余区块。

【技术特征摘要】
2013.09.26 TW 1021348521.一种方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法，其特征在于，包含： 透过一显微摄影装置拍摄取得一基板的影像，该基板中封装有复数个晶片，该晶片分别电连接复数个引线框架，该引线框架形成于该基板的一表面，且各该引线框架之间具有一胶体； 利用一运算单元加载该基板的影像，并据以执行影像分析运算定位该基板中所封装的晶片的位置；及 该运算单元将各该晶片与一样本影像进行比对，以侦测各该晶片所电性连接的引线框架受到该胶体的残胶所覆盖的部分，判定为该胶体需要烧蚀的冗余区块，依据该冗余区块设定该激光产生器的激光轨迹，由该激光产生器烧蚀去除该胶体的冗余区块。
2.如权利要求1所述的方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法，其特征在于，取封装完成的一晶片做为样本，以该激光产生器烧蚀去除覆盖于该晶片所电性连接的引线框架上的残胶，并且透过该显微摄影装置拍摄经由该激光产生器烧蚀的晶片的影像作为该样本影像。
3.如权利要求1所述的方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法，其特征在于，该晶片结合于一散热座，该散热座形成于该基板的表面，该运算单元将各该晶片与该样本影像进行比对时，另侦测该散热座受到该胶体的残胶所覆盖的部分，同样判定为该胶体需要烧蚀的冗余区块。
4.如权利要求3所述的方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法，其特征在于，取封装于该基板的其中一晶片做为样本，以该激光产生器一并烧蚀去除覆盖于该晶片所电性连接的引线框架上的残胶，以及覆盖于该晶片所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宜兴，
申请(专利权)人：蔡宜兴，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71