用于无引脚封装结构的引线框架、制作方法及封装结构技术

本发明专利技术提供一种用于无引脚封装结构的引线框架、制作方法及封装结构，所述引线框架包括框架本体及多个贯穿所述框架本体的导电桩，在框架本体的一表面上设置有与所述导电桩电连接的导电焊盘，所述框架本体的表面上未设置导电焊盘的位置用于放置芯片，所述导电焊盘能够通过金属线与所述芯片电连接，所述框架本体采用绝缘材料制成。本发明专利技术的优点在于：采用绝缘引线框架本体支撑芯片，塑封后无基岛外露，能实现无基岛外露的QFN/DFN封装需求；能够使得框架的结构设计更加合理，有效改善打线布局，缩短线长，降低打线风险；能够更有效的利用塑封体内的空间，实现小尺寸封装体的封装；在切割道上没有金属，能使排列密度更高，能有效降低成本。

Lead frame for leadless package structure, manufacturing method and packaging structure thereof

The invention provides a manufacturing method for lead frame, package structure and pin package structure, the lead frame comprises a frame body and a plurality of through the frame body conductive pile, on a surface of the frame body is arranged on the pile and the conductive electrically connected pads, conductive pads the position for placing a chip is not set on the surface of the frame body, the conductive pads can through the metal wire and the chip is electrically connected to the frame body made of insulating material. The present invention adopts insulated lead frame body supporting chip, no base Island exposed plastic packaging, QFN/DFN packaging can achieve demand without base Island exposed; can make the framework more reasonable and effective to improve the wire layout, shorten the length, reduce the wire risk; to make more effective use of plastic body space the implementation of small size package in the package; cutting on no metal, can make the arrangement of higher density, can effectively reduce the cost.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种用于无引脚封装结构的引线框架、制作方法及封装结构。
技术介绍
现有技术中，QFN(QuadFlatNolead)是一种方形扁平无引脚半导体芯片封装结构，其内部俯视构造如图1所示，截面剖视构造如图2所示。从这两个视图中可以看出，封装结构是在芯片封装空间的下部由中央的基岛10和围绕基岛10布置的导电焊盘11构成，基岛10上放置芯片12，芯片12上的各导电部分别通过金属线13与各导电焊盘11电连接，其余封装空间填充环氧树脂14。DFN(DualFlatNolead)是一种矩形扁平无引脚半导体芯片封装结构，其中矩形指的是该芯片在俯视状态下为长方形，其封装结构与QFN相同。一方面，在QFN和DFN的封装结构中都需要基岛来放置芯片，基岛为引线框架的一部分，由金属材料制成，其作用一是在封装中作为芯片的安置基座，二是具有散热功能。但是由于PCB板布线要求在塑封体下面有线路，不允许产品有外露的散热片，以避免散热对PCB板线路的影响。现有的解决方法为：一、通过设计无基岛外露的框架并采取设备凸台支撑焊片焊线。但是，需要根据每种框架设计的不同设计专用的凸台支撑焊盘，费用支出较大，凸台制作与框架制作公差间的不匹配将会影响焊片焊线的良率；封装前需要贴膜盖住外露的引脚部分，贴膜作业的不稳定会影响封装溢胶的比例，造成良率损失。二、通过设计无基岛外露的框架并采取预封装工艺先做好焊片支撑结构。但是，目前预封装框架的厚度由于封装能力限制无法小于0.127mm；预封装工艺的增加会进一步造成框架成品的良率损失（溢胶、框架变形、镀层不良等）；基于不同框架厚度及框架外形尺寸需要投资不同的预封装模具。因此，实现无基岛外露的封装成为急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种用于无引脚封装结构的引线框架、制作方法及封装结构，其能实现无基岛外露的QFN/DFN封装需求。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种用于无引脚封装结构的引线框架，包括框架本体及多个贯穿所述框架本体的导电桩，在所述框架本体的一表面上设置有与所述导电桩电连接的导电焊盘，所述框架本体的表面上未设置导电焊盘的位置用于放置芯片，所述导电焊盘能够通过金属线与所述芯片电连接，所述框架本体采用绝缘材料制成。进一步，所述引线框架的厚度为60~150微米。进一步，所述导电焊盘表面及导电桩裸露在外的表面均覆盖一层镍钯金层。进一步，所述导电桩突出于所述框架本体，以便于与外部部件电连接。进一步，所述导电焊盘覆盖面积大于所述导电桩的端面积。本专利技术还提供一种上述的引线框架的制作方法，包括如下步骤：提供框架本体，所述框架本体由绝缘材料制成，在所述框架本体的一表面覆盖一金属层；在所述框架本体的另一表面制作多个孔，所述孔贯穿所述框架本体直至金属层；在所述孔内填充金属，形成贯穿所述框架本体的导电桩；刻蚀所述金属层，形成与所述导电桩电连接的导电焊盘。进一步，采用激光钻孔的方法在所述框架本体的另一表面制作多个孔。进一步，采用掩膜光刻的方法刻蚀所述金属层，形成与所述导电桩电连接的导电焊盘。进一步，在刻蚀所述金属层步骤后，还包括一在导电焊盘表面及导电桩裸露在外的表面均覆盖一层镍钯金层的步骤。本专利技术还提供一种采用上述的引线框架的封装结构，包括引线框架及芯片，所述引线框架包括框架本体及多个贯穿所述框架本体的导电桩，在所述框架本体的一表面上设置有与所述导电桩电连接的导电焊盘，所述框架本体的表面上未设置导电焊盘的位置放置所述芯片，所述导电焊盘通过金属线与所述芯片电连接，所述框架本体采用绝缘材料制成。本专利技术的优点在于：1、采用绝缘引线框架本体支撑芯片，塑封后无基岛外露，能实现无基岛外露的QFN/DFN封装需求；2、能够使得框架的结构设计更加合理，有效改善打线布局，缩短线长，降低打线风险；3、能够更有效的利用塑封体内的空间，实现小尺寸封装体的封装；4、本专利技术相对基于传统框架的设计在切割道上没有金属，能使排列密度更高，能有效降低成本。附图说明图1及图2是现有的封装体的结构示意图；图3是本专利技术用于无引脚封装结构的引线框架的结构示意图；图4是本专利技术用于无引脚封装结构的引线框架的制作方法的步骤示意图；图5A~图5E是本专利技术用于无引脚封装结构的引线框架的制作流程图；图6是采用本专利技术引线框架的封装结构的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术提供的用于无引脚封装结构的引线框架、制作方法及封装结构的具体实施方式做详细说明。附图仅用于说明本专利技术引线框架的结构，并不用于限定本专利技术各个部件之间的尺寸关系。参见图3，本专利技术用于无引脚封装结构的引线框架30包括框架本体31及多个贯穿所述框架本体31的导电桩32。所述引线框架本体31采用绝缘材料制成，所述绝缘材料可以采用现有技术中已知的绝缘材料，本专利技术不进行限制。在本具体实施方式中，所述框架本体31厚度较薄，为薄膜框架本体。所述导电桩32由导电材料制成，贯穿所述框架本体31，即所述导电桩32的两端从所述框架本体31的两面暴露。进一步，在本具体实施方式中，所述导电桩32突出于所述框架本体31，以便于后续与外部部件电连接，其作用类似于引脚类产品的引脚。在所述框架本体31的一表面上设置有与所述导电桩32电连接的导电焊盘33。所述导电焊盘33直接覆盖在所述导电桩32暴露于所述框架本体31表面的端面上。进一步，所述导电焊盘33覆盖面积大于所述导电桩32的端面积，所述导电焊盘33与所述导电桩32采用相同材料制成，例如铜。在本具体实施方式中，所述导电焊盘33表面及导电桩31裸露在外的表面均覆盖一层镍钯金层34，以提高导电性能，为了更清楚的看到镍钯金层34，在附图中夸大了镍钯金层34的厚度。进一步，所述引线框架30的厚度为60~150微米，所述厚度指的是引线框架30的总厚度，其以框架本体31的厚度或导电桩32和导电焊盘33的总厚度中最大者为准。所述框架本体31的表面上未设置导电焊盘33的位置用于放置芯片40（标示在图6中），所述导电焊盘33能够通过金属线50（标示在图6中）与所述芯片40电连接。所述框架本体31采用绝缘材料制成，并支撑芯片40，在保证芯片40焊接和金属线50焊线稳定性的前提下，实现了无基岛外露的封装。本专利技术还提供一种引线框架30的制作方法，参见图4，所述方法包括如下步骤：步骤S40、提供框架本体，所述框架本体由绝缘材料制成，在所述框架本体的一表面覆盖一金属层；步骤S41、在所述框架本体的另一表面制作多个孔，所述孔贯穿所述框架本体直至金属层；步骤S42、在所述孔内填充金属，形成贯穿所述框架本体的导电桩；步骤S43、刻蚀所述金属层，形成与所述导电桩电连接的导电焊盘。参见图5A～图5E是本专利技术用于无引脚封装结构的引线框架的制作流程图。参见步骤S40及图5A，提供框架本体51，所述框架本体51由绝缘材料制成，在所述框架本体51的一表面覆盖一金属层52。所述绝缘材料可以采本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于无引脚封装结构的引线框架，其特征在于，包括框架本体及多个贯穿所述框架本体的导电桩，在所述框架本体的一表面上设置有与所述导电桩电连接的导电焊盘，所述框架本体的表面上未设置导电焊盘的位置用于放置芯片，所述导电焊盘能够通过金属线与所述芯片电连接，所述框架本体采用绝缘材料制成。

【技术特征摘要】
1.一种用于无引脚封装结构的引线框架，其特征在于，包括框架本体及多个贯穿所述框架本体的导电桩，在所述框架本体的一表面上设置有与所述导电桩电连接的导电焊盘，所述框架本体的表面上未设置导电焊盘的位置用于放置芯片，所述导电焊盘能够通过金属线与所述芯片电连接，所述框架本体采用绝缘材料制成。
2.根据权利要求1所述的用于无引脚封装结构的引线框架，其特征在于，所述引线框架的厚度为60~150微米。
3.根据权利要求1所述的用于无引脚封装结构的引线框架，其特征在于，所述导电焊盘表面及导电桩裸露在外的表面均覆盖一层镍钯金层。
4.根据权利要求1所述的用于无引脚封装结构的引线框架，其特征在于，所述导电桩突出于所述框架本体，以便于与外部部件电连接。
5.根据权利要求1所述的用于无引脚封装结构的引线框架，其特征在于，所述导电焊盘覆盖面积大于所述导电桩的端面积。
6.权利要求1所述的引线框架的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供框架本体，所述框架本体由绝缘材料制成，在所述框架本体的一表面覆盖一金属层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴畏，阳小芮，
申请(专利权)人：上海凯虹电子有限公司，上海凯虹科技电子有限公司，达迩科技成都有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31