基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不管基板的表面状态如何都能够利用冲洗液的液膜呈浸液状覆盖基板的整个表面的基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括紧接着进行药液工序进行并向旋转的基板的表面供给冲洗液的冲洗工序，所述冲洗工序包括高速冲洗工序和在该高速冲洗之后进行的减速冲洗工序，所述减速冲洗工序包括积液工序，在该积液工序中，在比所述高速冲洗工序时的旋转速度低的旋转速度的范围内使所述基板的旋转速度减小，并以比所述高速冲洗工序时的最大供给流量大的流量向所述基板的表面供给冲洗液，以在所述基板的表面上形成浸液状的冲洗液的液膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板处理方法以及基板处理装置。成为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
技术介绍
在半导体装置和液晶表示装置的制造工序中，例如对基板一张一张进行处理的单张式的基板处理装置具有：旋转卡盘，将基板保持为大致水平，并使该基板旋转；喷嘴，用于向通过该旋转卡盘旋转的基板的表面的中央部喷出处理液。在利用了这种基板处理装置的基板处理中，例如依次进行向旋转状态的基板的表面供给药液的药液处理、以及向旋转状态的基板的表面供给冲洗液的冲洗处理。然后，向基板的表面供给异丙醇(isopropyl alcohol：IPA)液。在基板的旋转速度为零或低速的状态下供给IPA液，由于对IPA液仅作用零或小的离心力，所以维持IPA液滞留在基板的表面上而形成液膜的状态(以下将这样的液体的状态称为“浸液状”。)。在基板的表面的冲洗液被IPA液置换后，使基板的旋转加速，由此IPA液的液膜从基板的表面被甩掉，基板得以干燥。在这样的一系列的处理中，在日本特开2009-295910号公报以及日本特开2009-212408号公报中，提出如下方法，即，在执行冲洗处理之后且在保持IPA液的液膜之前，在基板的表面呈浸液状保持冲洗液的液膜(浸液冲洗)。在这些各公报中，在一边使基板以规定的液体处理旋转速度旋转一边执行冲洗处理后，一边从喷嘴持续喷出冲洗液一边使基板的旋转速度从液体处理旋转速度下降至低速。此时，对供给到基板上的冲洗液仅作用小的离心力，因此，冲洗液滞留在基板的表面上而在基板的整个表面呈浸液状保持冲洗液的液膜。接着，通过IPA液置换该冲洗液的液膜所包含的冲洗液，来在基板的整个表面呈浸液状保持IPA液的液膜。从冲洗液的液膜形成IPA液的液膜，结果，不仅容易进行IPA液的液膜形成，而且还能够节省IPA液。但是，在前述的各公报记载的方法中，因基板的表面状态的不同，有时冲洗液的液膜未形成在基板的整个表面上，基板的表面的至少一部分露出。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供一种不管基板的表面状态如何都能够利用冲洗液的液膜呈浸液状覆盖基板的整个表面的基板处理方法以及基板处理装置。本专利技术提供一种基板处理方法，该基板处理方法包括：药液工序，向旋转的基板的表面供给药液，对所述基板的表面进行药液处理，冲洗工序，紧接着所述药液工序进行，通过向旋转的所述基板的表面供给冲洗液，来利用所述冲洗液冲洗掉在所述基板的表面上附着的药液，并形成冲洗液的液膜；所述冲洗工序包括高速冲洗工序和在该高速冲洗之后进行的减速冲洗工序，所述减速冲洗工序包括积液工序，在该积液工序中，在比所述高速冲洗工序时的旋转速度低的旋转速度的范围内使所述基板的旋转速度减小，并以比所述高速冲洗工序时的最大供给流量大的流量向所述基板的表面供给冲洗液，以在所述基板的表面上形成浸液状的冲洗液的液膜。根据该方法，在高速冲洗工序后执行的减速冲洗工序中，比高速冲洗工序实施期间的最大供给流量大的流量的冲洗液被向基板的表面供给。该大流量的冲洗液从基板中央部被挤向基板周缘部，并遍及到基板周缘部。由此，不管基板的表面状态如何，都能够在基板的表面确实地形成覆盖基板的整个表面的浸液状的冲洗液的液膜。优选所述积液工序中的冲洗液的供给流量被设定为4.0(升/分钟)以上。在该情况下，能够更确实地形成浸液状的冲洗液的液膜。另外，优选在所述积液工序中，以11.0(rpm/秒)以下的减速梯度使所述基板的旋转速度减小。如果积液工序中的基板的旋转的减速梯度在11.0(rpm/秒)以下，则在积液工序中，作用于冲洗液的液膜上的离心力缓缓减小，结果，能够维持在作用于基板周缘部的冲洗液的朝向基板中央部的力被抑制的状态。由此，能够将减速冲洗工序中的冲洗液的液膜更确实地维持在覆盖基板的整个表面的状态。所述减速冲洗工序还可以包括急减速工序，该急减速工序紧接着所述高速冲洗工序来执行，使所述基板的旋转速度以比所述积液工序时的减速梯度陡峭的梯度减小。根据该方法，由于在使基板的旋转速度减小的减速冲洗工序中包括使基板的旋转速度以陡峭的梯度减速的工序，所以能缩短使基板的旋转速度减速至形成浸液状的液膜的速度所需的时间。另外，优选所述急减速工序的执行时间在1.0秒以下。在急减速工序中，作用于冲洗液的液膜上的离心力急剧减小的结果，对基板周缘部的冲洗液作用有朝向基板中央部的强的力。但是，当急减速工序的执行时间在1.0秒以下时，冲洗液几乎不会从基板的周缘部向中央部移动。由此，能够更确实地防止在急减速工序中或急减速工序后使基板表面露出。优选在所述急减速工序中，使所述基板的旋转速度减小到200rpm以下。由于在急减速工序中使基板的旋转速度减小到200rpm以下，所以在之后的积液工序中，能够以平缓的减速梯度使基板减速。由此，能够缩短整个减速冲洗工序的执行时间。另外，优选所述急减速工序中的冲洗液的供给流量在4.0(升/分钟)以上。在该情况下，供给到基板的表面上的冲洗液从基板中央部被挤向周缘部，冲洗液遍及到周缘部。由此，能够更确实地将减速冲洗工序中的冲洗液的液膜维持在覆盖基板的整个表面的状态。在本专利技术的一实施方式中，所述急减速工序中的冲洗液的供给流量可以被设定为与所述高速冲洗工序时的冲洗液的供给流量相同的流量。另外，在本专利技术的其他实施方式中，所述急减速工序中的冲洗液的供给流量可以被设定为与所述积液工序中的冲洗液的供给流量相同的流量。另外，该基板处理方法还可以包括低表面张力液置换工序，在该低表面张力液置换工序中，利用低表面张力液置换通过所述积液工序形成的浸液状的冲洗液的液膜。在该情况下，能够在基板的表面未露出的状态下对冲洗工序结束的基板执行低表面张力液置换工序。本专利技术为一种基板处理装置，具有：基板保持单元，保持基板，基板旋转单元，使被所述基板保持单元保持的所述基板旋转，药液供给单元，用于向由所述基板旋转单元旋转的基板的表面供给药液，冲洗液供给单元，用于向由所述基板旋转单元旋转的基板的表面供给冲洗液，控制单元，对所述基板旋转单元、所述药液供给单元以及所述冲洗液供给单元进行控制，来执行药液工序和冲洗工序，其中，在所述药本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，包括：药液工序，向旋转的基板的表面供给药液，对所述基板的表面进行药液处理，冲洗工序，紧接着所述药液工序进行，通过向旋转的所述基板的表面供给冲洗液，利用所述冲洗液冲洗掉在所述基板的表面上附着的药液，并形成冲洗液的液膜；其特征在于，所述冲洗工序包括高速冲洗工序和在该高速冲洗之后进行的减速冲洗工序，所述减速冲洗工序包括积液工序，在该积液工序中，在比所述高速冲洗工序时的旋转速度低的旋转速度的范围内使所述基板的旋转速度减小，并以比所述高速冲洗工序时的最大供给流量大的流量向所述基板的表面供给冲洗液，以在所述基板的表面上形成浸液状的冲洗液的液膜。

【技术特征摘要】
2013.09.26 JP 2013-200424;2014.08.22 JP 2014-169331.一种基板处理方法，
包括：
药液工序，向旋转的基板的表面供给药液，对所述基板的表面进行药液
处理，
冲洗工序，紧接着所述药液工序进行，通过向旋转的所述基板的表面供
给冲洗液，利用所述冲洗液冲洗掉在所述基板的表面上附着的药液，并形成
冲洗液的液膜；其特征在于，
所述冲洗工序包括高速冲洗工序和在该高速冲洗之后进行的减速冲洗
工序，
所述减速冲洗工序包括积液工序，在该积液工序中，在比所述高速冲洗
工序时的旋转速度低的旋转速度的范围内使所述基板的旋转速度减小，并以
比所述高速冲洗工序时的最大供给流量大的流量向所述基板的表面供给冲
洗液，以在所述基板的表面上形成浸液状的冲洗液的液膜。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述积液工序中
的冲洗液的供给流量被设定为4.0(升/分钟)以上。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述积液
工序中，以11.0(rpm/秒)以下的减速梯度使所述基板的旋转速度减小。
4.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述减速冲洗工
序还包括急减速工序，该急减速工序紧接着所述高速冲洗工序来执行，使所
述基板的旋转速度以比所述积液工序时的减速梯度陡峭的梯度减小。
5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，所述急减速工序
的执行时间在1.0秒以下。
6.如权利要求4或5所述的基板处理方法，其特征在于，在所述急减
速工序中，使所述基板的旋转速度减小到200rpm以下。
7.如权利要求4或5所述的基板处理方法，其特征在于，所述急减速
工序中的冲洗液的供给流量被设...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉住明日香，樋口鲇美，
申请(专利权)人：斯克林集团公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP