The invention provides a substrate treatment method and a device capable of suppressing or preventing pattern collapse and making the surface of the substrate well dry. The method comprises an organic solvent replacement process in which a liquid organic solvent with a surface tension ratio of low surface tension of the washing fluid adhering to the upper surface of the substrate in a horizontal position is supplied to the upper surface of the substrate to form a liquid film of organic solvent covering the upper surface of the substrate, and the impact is replaced by an organic solvent. A high-temperature process in which the upper surface of the substrate reaches a specified first temperature higher than the boiling point of the organic solvent after the formation of the liquid film of the organic solvent, thereby forming an evaporative gas film of the organic solvent between the liquid film of the organic solvent and the upper surface of the substrate throughout the region of the liquid film of the organic solvent. The liquid film of the organic solvent is floated above the evaporating gas film of the organic solvent, and the liquid film of the floating organic solvent is removed from the upper surface of the substrate by the organic solvent removal process.
【技术实现步骤摘要】
基板处理方法以及基板处理装置本申请是申请日为2015年3月25日、申请号为201510131915.0、专利技术名称为“基板处理方法以及基板处理装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及对半导体晶片等基板进行处理的基板处理方法以及基板处理装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中,向半导体晶片等的基板的表面供给处理液,使用处理液对该基板的表面进行处理。例如,对基板一张一张地进行处理的单张式的基板处理装置具有:旋转卡盘,将基板保持为大致水平,并使该基板旋转;喷嘴,用于向由该旋转卡盘旋转的基板的表面供给处理液。例如,向由旋转卡盘保持的基板供给药液,然后供给冲洗液,由此基板上的药液被冲洗液置换。然后,进行用于排除基板上的冲洗液的旋转干燥处理。在旋转干燥处理中,通过使基板高速旋转,甩掉在基板上附着的冲洗液来除去(干燥)。在这样的旋转干燥处理中,不能充分除去进入基板的表面的微细图案的间隙的冲洗液,结果可能发生干燥不良。因此,如美国专利第5,882,433号记载那样,提出了如下方法,即,向冲洗处理后的基板的表面供给异丙醇(isopropylalcohol:IPA)液等的常温的有机溶剂,将进入基板的表面的图案的间隙的冲洗液置换为有机溶剂,来使基板的表面干燥。
技术实现思路
在旋转干燥处理中,相邻的图案彼此拉动接触而有时导致发生图案倒塌。推定其原因之一在于由在相邻的图案间存在的液体产生的表面张力。如美国专利第5,882,433号那样在旋转干燥前将有机溶剂向基板供给的情况下,表面张力低的有机溶剂存在于图案间,所以使相邻的图案彼此拉动的力弱,结果,认为能够防止图案倒塌。但是,近年来 ...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置,利用冲洗液对基板实施处理,其特征在于,具有:基板保持单元,将所述基板保持为水平;旋转单元,使所述基板保持单元所保持的所述基板围绕通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转;有机溶剂供给单元,向所述基板保持单元所保持的所述基板的上表面供给表面张力比所述冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂;加热单元,对所述基板从下方进行加热;控制单元,控制所述有机溶剂供给单元、所述旋转单元以及所述加热单元,所述控制单元执行有机溶剂置换工序、浸液工序、第一高速旋转工序、基板高温化工序以及有机溶剂排除工序,在该有机溶剂置换工序中,由所述有机溶剂供给单元将所述有机溶剂向所述基板的上表面供给,以在所述基板上形成覆盖所述基板的上表面的所述有机溶剂的液膜,利用所述有机溶剂置换所述冲洗液;该浸液工序与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该浸液工序中,使所述基板停止旋转或使所述基板以浸液速度旋转;该第一高速旋转工序在所述浸液工序之前与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该第一高速旋转工序中,由所述旋转单元使所述基板以比所述浸液工序中的所述基板的旋转速度更快的第一旋转速度旋转;在该基板高温化工序中,在形成所述 ...
【技术特征摘要】
2014.03.25 JP 2014-0624001.一种基板处理装置,利用冲洗液对基板实施处理,其特征在于,具有:基板保持单元,将所述基板保持为水平;旋转单元,使所述基板保持单元所保持的所述基板围绕通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转;有机溶剂供给单元,向所述基板保持单元所保持的所述基板的上表面供给表面张力比所述冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂;加热单元,对所述基板从下方进行加热;控制单元,控制所述有机溶剂供给单元、所述旋转单元以及所述加热单元,所述控制单元执行有机溶剂置换工序、浸液工序、第一高速旋转工序、基板高温化工序以及有机溶剂排除工序,在该有机溶剂置换工序中,由所述有机溶剂供给单元将所述有机溶剂向所述基板的上表面供给,以在所述基板上形成覆盖所述基板的上表面的所述有机溶剂的液膜,利用所述有机溶剂置换所述冲洗液;该浸液工序与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该浸液工序中,使所述基板停止旋转或使所述基板以浸液速度旋转;该第一高速旋转工序在所述浸液工序之前与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该第一高速旋转工序中,由所述旋转单元使所述基板以比所述浸液工序中的所述基板的旋转速度更快的第一旋转速度旋转;在该基板高温化工序中,在形成所述有机溶剂的液膜后,由所述加热单元使所述基板的上表面到达比所述有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度,由此,在所述有机溶剂的液膜的整个区域,在所述有机溶剂的液膜和所述基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜,并且,使所述有机溶剂的液膜不会分裂地浮起在所述有机溶剂的蒸发气体膜的上方;在该有机溶剂排除工序中,一边将所述有机溶剂的液膜不会分裂地维持液块状态一边将所述有机溶剂的液膜从所述基板的上方排除。2.一种基板处理装置,利用冲洗液对基板实施处理,其特征在于,具有:基板保持单元,将所述基板保持为水平;旋转单元,使所述基板保持单元所保持的所述基板围绕通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转;有机溶剂供给单元,向所述基板保持单元所保持的所述基板的上表面供给表面张力比所述冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂;加热单元,对所述基板从下方进行加热;控制单元,控制所述有机溶剂供给单元、所述旋转单元以及所述加热单元,所述控制单元执行有机溶剂置换工序、浸液工序、薄膜化工序、基板高温化工序以及有机溶剂排除工序,在该有机溶剂置换工序中,由所述有机溶剂供给单元将所述有机溶剂向所述基板的上表面供给,以在所述基板上形成覆盖所述基板的上表面的所述有机溶剂的液膜,利用所述有机溶剂置换所述冲洗液;该浸液工序与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该浸液工序中,使所述基板停止旋转或使所述基板以浸液速度旋转;该薄膜化工序在所述浸液工序之后与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该薄膜化工序中,由所述旋转单元使所述基板以比所述浸液工序中的所述基板的旋转速度更快的第二旋转速度旋转;在该基板高温化工序中,在形成所述有机溶剂的液膜后,由所述加热单元使所述基板的上表面到达比所述有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度,由此,在所述有机溶剂的液膜的整个区域,在所述有机溶剂的液膜和所述基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜,并且,使所述有机溶剂的液膜不会分裂地浮起在所述有机溶剂的蒸发气体膜的上方;在该有机溶剂排除工序中,一边将所述有机溶剂的液膜不会分裂地维持液块状态一边将所述有机溶剂的液膜从所述基板的上方排除。3.一种基板处理装置,利用冲洗液对基板实施处理,其特征在于,具有:基板保持单元,将所述基板保持为水平;有机溶剂供给单元,向所述基板保持单元所保持的所述基板的上表面供给表面张力比所述冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂;加热单元,对所述基板从下方进行加热;控制单元,控制所述有机溶剂供给单元以及所述加热单元,所述控制单元执行有机溶剂置换工序、基板加热工序、基板高温化工序以及有机溶剂排除工序,在该有机溶剂置换工序中,由所述有机溶剂供给单元将所述有机溶剂向所述基板的上表面供给,以在所述基板上形成覆盖所述基板的上表面的所述有机溶剂的液膜,利用所述有机溶剂置换所述冲洗液;该基板加热工序与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该基板加热工序中,由所述加热单元以使所述基板的上表面到达比所述有机溶剂的沸点低的规定的第二温度的方式对所述基板进行加热;在该基板高温化工序中,在形成所述有机溶剂的液膜后,由所述加热单元使所述基板的上表面到达比所述有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度,由此,在所述有机溶剂的液膜的整个区域,在所述有机溶剂的液膜和所述基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜,并且,使所述有机溶剂的液膜浮起在所述有机溶剂的蒸发气体膜的上方;在该有机溶剂排除工序中,将所述有机溶剂的液膜从所述基板的上方排除。4.一种基板处理装置,利用冲洗液对基板实施处理,其特征在于,具有:基板保持单元,将所述基板保持为水平;有机溶剂供给单元,向所述基板保持单元所保持的所述基板的上表面供给表面张力比所述冲洗...
【专利技术属性】
技术研发人员:小林健司,奥谷学,
申请(专利权)人:斯克林集团公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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