基板处理方法技术

本发明专利技术提供基板处理装置及方法，以低成本抑制基板的所希望的处理量与实际的处理量的差异和在各部分的处理量的偏差。装置具有：旋转保持部，保持基板并使其旋转；第一供给源，供给第一温度的第一纯水；第二供给源，供给比第一温度高的第二温度的第二纯水；配管系统，将第一纯水分配为一方第一纯水和另一方第一纯水并引导；处理液供给部，将混合一方第一纯水和药液的处理液供至基板的上表面中央区；第一供给部，将主要包含另一方第一纯水的第一液体供至下表面中央区；第二供给部，将主要包含第二纯水的第二液体分别供至下表面周边区与中间区；热量控制部，独立控制第一供给部供给的热量和第二供给部供给的热量，以便变更基板的径向的温度分布。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法本申请是申请日为2015年7月2日、申请号为201510382246.4、专利技术名称为“基板处理装置以及基板处理方法”的申请的分案申请。
本专利技术涉及一边使基板旋转一边向基板供给处理液来对基板进行处理的基板处理技术。
技术介绍
作为这样的基板处理技术，在专利文献1公开了一种基板处理装置，该基板处理装置将温度预先被控制的流体向基板下表面的中心部和周边部之间的多个部位供给，并且，向基板上表面喷射处理液来对基板进行处理。该装置具有对从基板的下方的多个部位分别供给的各流体的温度进行控制的各温度控制部。并且，各流体的温度被各温度控制部控制为，随着向基板供给的位置从基板的中心部接近周边部，温度变高。由此，该装置能够抑制由基板的中心部和周边部的周速度之差引起的基板的温度差，使利用处理液进行的基板处理均匀化。另外，在专利文献2中公开了一种基板处理装置，该基板处理装置具有：上喷嘴，位于在水平面内旋转的圆形基板的上方，并在基板的中央区和周边区之间扫描；棒状的下喷嘴，从基板的中央区的下方向周边区的下方延伸设置。上喷嘴具有能够将希氢氟酸等药液向基板的上表面喷出的喷嘴、能够将纯水、或纯水和非活本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其是基板处理装置中的基板处理方法，其特征在于，所述基板处理装置具有：旋转保持部，将基板保持为水平并能够使基板旋转，下喷嘴，具有与所述旋转保持部所保持的所述基板的下表面的中央区相向的基部和从所述基部向所述基板的下表面的周边区的下方延伸设置的延伸设置部，并且，能够将规定的液体向所述基板的下表面喷出；所述下喷嘴在所述基部具有与所述基板的下表面的所述中央区相向并能够将所述液体向所述中央区喷出的中央喷出口，并且在所述延伸设置部具有与所述基板的下表面的除所述中央区以外的周边侧区域相向并能够将所述液体向所述周边侧区域喷出的周边侧喷出口，该基板处理方法包括：旋转保持步骤，通过所述旋转保持部将...

【技术特征摘要】
2014.07.02 JP 2014-136496;2014.07.02 JP 2014-136491.一种基板处理方法，其是基板处理装置中的基板处理方法，其特征在于，所述基板处理装置具有：旋转保持部，将基板保持为水平并能够使基板旋转，下喷嘴，具有与所述旋转保持部所保持的所述基板的下表面的中央区相向的基部和从所述基部向所述基板的下表面的周边区的下方延伸设置的延伸设置部，并且，能够将规定的液体向所述基板的下表面喷出；所述下喷嘴在所述基部具有与所述基板的下表面的所述中央区相向并能够将所述液体向所述中央区喷出的中央喷出口，并且在所述延伸设置部具有与所述基板的下表面的除所述中央区以外的周边侧区域相向并能够将所述液体向所述周边侧区域喷出的周边侧喷出口，该基板处理方法包括：旋转保持步骤，通过所述旋转保持部将所述基板保持为水平并使基板旋转；药液处理步骤，与所述旋转保持步骤并行，从所述下喷嘴将包含药液的处理液向所述基板的下表面喷出来处理所述基板；以及下喷嘴清洗步骤，在所述药液处理步骤之后，将第一流量的冲洗液从所述下喷嘴的所述中央喷出口向所述基板的下表面的所述中央区喷出，并将比第一流量大的第二流量的冲洗液从所述周边侧喷出口向所述基板的下表面的所述周边侧区域喷出，由此向所述下喷嘴的所述基部供给冲洗液来清洗所述基部。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二流量是能够...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原直澄，江户彻，泽岛隼，下村辰美，
申请(专利权)人：斯克林集团公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP