一种LED多芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED多芯片封装结构，所述LED多芯片封装结构包括平面镀银高反射MCPCB封装基板，GaN大功率蓝光LED芯片，荧光粉涂层和塑封透镜，通过在LED芯片表面涂覆荧光粉结构，使得YAG:Ce荧光粉和氮化物荧光粉的再吸收问题得到了有效的改善，LED芯片发出的蓝光转化为黄绿光后逸出的概率增大，分层结构中氮化物荧光粉激发效率得到有效提升，荧光粉涂层整体透光性增强。

【技术实现步骤摘要】
一种LED多芯片封装结构
本技术涉及LED领域，尤其涉及一种LED多芯片封装结构。
技术介绍
近年来，基于节能环保、效率高、小体积、长寿命等特点，LED灯越来越受到消费者的青睐，但是目前的LED光源结构中的荧光粉结构，存在出光效率不高，整体透光性不好的缺陷。
技术实现思路
本技术的的目的在于克服现有技术的缺陷，提供了一种LED多芯片封装结构，包括平面镀银高反射MCPCB封装基板，GaN大功率蓝光LED芯片，荧光粉涂层和塑封透镜。所述平面镀银高反射MCPCB封装基板设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔，所述倒锥形孔之间是交叠设置的。所述GaN蓝光大功率LED芯片包括若干个LED芯片，所述若干个LED芯片是规律分布在所述的反射杯内，所述LED芯片通过导电银胶固定在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上，利用超声金丝球将所述GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与所述平面镀银高反射MCPCB封装基板的引线框架引脚焊连，所述的LED芯片之间也是利用超声金丝球焊接。所述的荧光粉涂层是氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的分层结构，并利用脉冲分层喷涂混合涂覆技术将所述的分层结构涂覆在所述的GaN蓝光大功率LED芯片表面之上。所述的透镜是在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上直接塑封出来的，所述透镜为高透光硅胶透镜。所述的荧光粉涂层中氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的厚度比例可以根据所需光源颜色成分设置的。所述的LED多芯片封装结构采用分层荧光粉涂覆结构后，YAG:Ce荧光粉与氮化物荧光粉间的再吸收问题得到了有效的改善，LED芯片发出的蓝光转换为黄绿光后逸出的概率增大，荧光粉涂层整体透光性增强，分层结构中氮化物荧光粉激发概率得到有效提升，仅需要较小的涂层厚度便可获得与混合结构相同的红光成分，这对降低LED多芯片封装光源的制造具有十分重要的实用价值。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细说明，实施例仅是本技术的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据附图获取其他的实施例，也在本专利技术的保护范围之内。图1为本技术LED多芯片封装结构中一个LED芯片的结构示意图；图2为本技术LED多芯片封装结构的局部结构示意图及封装基板的倒锥形孔示意图。附图标记：1-平面镀银高反射MCPCB封装基板，2-GaN大功率蓝光LED芯片，3-荧光粉涂层，4-焊接金线，5-塑封透镜，6-倒锥形孔。具体实施方式如图1和图2所示，本技术所揭示的一种LED多芯片封装结构，包括平面镀银高反射MCPCB封装基板1，GaN大功率蓝光LED芯片2，荧光粉涂层3和塑封透镜5。平面镀银高反射MCPCB封装基板1设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔6，倒锥形孔6之间是交叠设置的。GaN蓝光大功率LED芯片2包括若干个LED芯片，若干个LED芯片是规律分布在反射杯内，LED芯片通过导电银胶固定在平面镀银高反射MCPCB封装基板1上，利用超声金丝球将GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与平面镀银高反射MCPCB封装基板1上引线框架引脚焊连，LED芯片之间也是利用超声金丝球焊接。荧光粉涂层3是氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的分层结构，并利用脉冲分层喷涂混合涂覆技术将分层结构涂覆在所述的GaN蓝光大功率LED芯片2表面之上。塑封透镜是在平面镀银高反射MCPCB封装基板1上直接塑封出来的，透镜为高透光硅胶透镜。荧光粉涂层中氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的厚度比例可以根据所需光源颜色成分设置的。本封装结构采用分层荧光粉涂覆结构后，YAG:Ce荧光粉与氮化物荧光粉间的再吸收问题得到了有效的改善，LED芯片发出的蓝光转换为黄绿光后逸出的概率增大，荧光粉涂层整体透光性增强，分层结构中氮化物荧光粉激发概率得到有效提升，仅需要较小的涂层厚度便可获得与混合结构相同的红光成分，这对降低LED多芯片封装光源的制造具有十分重要的实用价值。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED多芯片封装结构，其特征在于：所述LED多芯片封装结构包括平面镀银高反射MCPCB封装基板，GaN大功率蓝光LED芯片，荧光粉涂层和塑封透镜；所述平面镀银高反射MCPCB封装基板设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔，所述倒锥形孔之间是交叠设置的；所述GaN蓝光大功率LED芯片包括若干个LED芯片，所述若干个LED芯片是规律分布在所述的反射杯内，所述LED芯片通过导电银胶固定在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上，利用超声金丝球将所述GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与所述平面镀银高反射MCPCB封装基板的引线框架引脚焊连，所述的LED芯片之间也是利用超声金丝球焊接；所述的荧光粉涂层是氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的分层结构，并利用脉冲分层喷涂混合涂覆技术将所述的分层结构涂覆在所述的GaN蓝光大功率LED芯片表面之上；所述的透镜是在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上直接塑封出来的，所述透镜为高透光硅胶透镜。

【技术特征摘要】
1.一种LED多芯片封装结构，其特征在于：所述LED多芯片封装结构包括平面镀银高反射MCPCB封装基板，GaN大功率蓝光LED芯片，荧光粉涂层和塑封透镜；所述平面镀银高反射MCPCB封装基板设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔，所述倒锥形孔之间是交叠设置的；所述GaN蓝光大功率LED芯片包括若干个LED芯片，所述若干个LED芯片是规律分布在所述的反射杯内，所述LED芯片通过导电银胶固定在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上，利用超声金丝球将所述GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与所述平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：林明珠，
申请(专利权)人：林明珠，
类型：新型
国别省市：福建,35