The invention provides a cleaning solution for metal chemical mechanical polishing, comprising at least one organic acid, an organophosphorus compound, an anionic surfactant, and a non-ionic surfactant. The cleaning solution can be used to clean a polished surface of a metal wafer. After polishing, the abrasive particles and the metal ion, the metal corrosion inhibitor and the like which are left on the surface of the wafer can be removed to improve the hydrophilicity of the wafer surface and reduce the surface defect.
【技术实现步骤摘要】
一种用于金属基板抛光后的清洗液及其使用方法
本专利技术涉及一种用于金属基板抛光后的清洗液及其使用方法。
技术介绍
金属材料如铜,铝,钨等是集成电路中常用的导线材料。在制造器件时,化学机械抛光(CMP)成为晶片平坦化的主要技术。金属化学机械抛光液通常含有研磨颗粒、络合剂、金属腐蚀抑制剂、氧化剂等。其中研磨颗粒主要为二氧化硅、三氧化二铝、掺杂铝或覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛、高分子研磨颗粒等。在金属CMP工序以后,晶片表面会受到金属离子以及抛光液中研磨颗粒本身的污染,这种污染会对半导体的电气特性以及器件的可靠性产生影响。而且,金属离子和研磨颗粒的残留都会影响晶片表面的平坦度,从而可能降低器件的性能影响后续工序或者器件的运行。所以,在金属CMP工艺后,去除残留在晶片表面的金属离子、金属腐蚀抑制剂和研磨颗粒,改善晶片表面的亲水性,降低表面缺陷是非常有必要的。专利CN100543124C,提供了一种基板的清洗剂和清洗方法,此清洗剂可以去除基本表面颗粒剂金属杂质,不影响表面粗糙;还可以在不去除防金属腐蚀剂-Cu涂层同时,去除存在于基板表面的碳缺陷。此种清洗剂含有至少1个羧基的有机酸、有机磷酸组成的络合剂和一种以上有机溶剂。该清洗液另含选自由还原剂、防金属腐蚀剂及表面活性剂中的至少一种。其中所述的表面活性剂选自下述物质组成的组中的至少一种:分子中具有聚氧亚烷基的非离子类表面活性剂;分子中具有选自磺酸基、羧酸、膦酸基、次硫酸基和膦酰氧基的基团的阴离子类表面活性剂,两性表面活性剂。但是该技术方案使用有机溶剂不环保。清洗液中所添加的防腐蚀抑制剂为铜抛光浆料中含有的防腐 ...
【技术保护点】
一种用于金属基板抛光后的清洗液,包含有机磷酸类化合物,至少一种有机酸,其特征于,还包含阴离子表面活性剂和非离子型表面活性剂。
【技术特征摘要】
1.一种用于金属基板抛光后的清洗液,包含有机磷酸类化合物,至少一种有机酸,其特征于,还包含阴离子表面活性剂和非离子型表面活性剂。2.如权利要求1所述的金属基板抛光后的清洗液,其特征在于,所述有机酸为柠檬酸,苹果酸,草酸,酒石酸,水杨酸中的一种或多种。3.如权利要求1所述的金属基板抛光后的清洗液,其特征在于,所述有机酸浓度为质量百分比0.05-5%。4.如权利要求3所述的金属基板抛光后的清洗液,其特征在于,所述有机酸浓度为质量百分比0.1-3%。5.如权利要求1所述的金属基板抛光后的清洗液,其特征在于,所述有机磷酸类化合物为氨基三亚甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1,2,4三羧酸、己二胺四甲叉膦酸、双1,6-亚己基三胺五甲叉膦酸和羟基膦酰基乙酸及其盐、有机膦磺酸及其盐中的一种或多种。6.如权利要求5所述的金属基板抛光后的清洗液,其特征在于,所述羟基膦酰基乙酸盐和有机膦磺酸盐为氨盐或钾盐。7.如权利要求1所述的金属基板抛光后的清洗液,其特征在于,所述有机膦酸浓度为质量百分比0.005-1%。8.如权利要求7所述的金属基板抛光后的清洗液,其特征在于,所述有机膦酸浓度为质量百分比0.01-0.5%。9.如权利要求1所述的金属基板抛光后的清洗液,其特征在于,所述阴离子表面活性剂为磺酸盐类、硫酸盐类或羧酸盐类。10.如权利要求9所述的金属基板抛光后的清洗液,其中,所述磺酸盐类表面活性剂为烷基磺酸盐类、芳基磺酸盐类。11.如权利要求9所述的金属基板抛光后的清洗液,其中,所述硫酸盐类或羧酸盐类的亲油基为C8-C18的脂肪醇、C8-C18的脂肪醇聚...
【专利技术属性】
技术研发人员:张建,荆建芬,杨俊雅,蔡鑫元,宋凯,
申请(专利权)人:安集微电子科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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