基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置具有腔室、基板保持部、基板旋转机构、受液部及上下喷嘴。腔室具有腔室主体和腔室盖部，并且腔室盖部能够进行升降。在腔室盖部与腔室主体相接触的状态下，形成小的密闭空间，并且进行伴随着减压或者加压进行的处理。当腔室盖部上升时，在腔室盖部和腔室主体之间形成环状开口。第一罩部以及第二罩部位于环状开口的外侧。从基板飞散的处理液被第一罩部或者第二罩部接受。在基板处理装置中，能够在小的腔室内进行各种处理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置本申请是申请号为201611221241.4、申请日为2013年8月30日、专利技术名称为“基板处理装置”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用于处理基板的基板处理装置。
技术介绍
以往，在半导体基板(下面，仅称为“基板”)的制造工序中，利用各种基板处理装置对基板进行各种处理。例如，向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，由此对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束后，还进行除去基板上的抗蚀剂或对基板进行清洗的处理。在日本特开平9-246156号公报(文献1)的装置中，通过冲洗液冲掉晶片上的显影液等之后，对晶片进行干燥处理。具体地说，在晶片被搬入至冲洗处理部中并被晶片吸附部吸附，且冲洗处理部的开口被闸门堵塞之后，对冲洗处理部的内部空间进行排气。然后，在变为减压环境的内部空间内，一边使晶片与晶片吸附部一起进行低速旋转，一边供给冲洗液，然后使晶片进行高速旋转，由此对晶片进行干燥处理。另外，在日本特开2006-105524号公报(文献2)中，公开了如下的减压干燥装置，即，在使容置有基板的腔室内形成减压环境的状态下，对在基板的主面上形成的薄膜进行干燥。但是，要在同一腔室内进行利用各种液体的处理和干燥处理，则各种处理液附着于腔室内壁上，从而降低处理液的回收效率，或者缩短再利用的处理液的寿命。另外，在由于多个处理液而在腔室内壁上产生析出物时，也会成为颗粒的产生原因。而且，也可能由于多个处理液混合而产生发热或产生烟的反应。另一方面，为了减少处理中使用的气体的量，优选腔室内的空间的体积小。
技术实现思路
本专利技术涉及用于处理基板的基板处理装置，其目的在于提供一种能够高效地回收处理液，并且能够在小的腔室内进行各种处理的基板处理装置。另外，其目的还在于通过配置在腔室的外部的罩部，在密闭的空间内接受处理液。本专利技术的基板处理装置，具有：腔室，其形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使所述腔室的包括上部或者下部的腔室活动部相对于其它部位进行升降；基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板的上表面或者下表面供给处理液；罩部，其位于通过所述腔室活动部的移动而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧，并接受从旋转的所述基板飞散的处理液。由此，能够提供能够高效地回收处理液，且能够在小的腔室内进行各种处理的基板处理装置。在本专利技术的其它方面中，基板处理装置具有：腔室，其形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使所述腔室的包括上部的腔室盖部相对于其它部位进行升降；基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；顶板，其呈与所述中心轴相垂直的板状，以能够以所述中心轴为中心旋转的方式安装在所述腔室盖部上，并且在所述腔室形成密闭的所述内部空间的状态下，在以所述中心轴为中心的周向上与所述基板保持部相卡合。由此，能有用简单的结构防止附着于腔室内部的液体向基板落下。在本专利技术的其它方面中，基板处理装置具有：腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间，腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上进行移动，基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板，基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，处理液供给部，其向所述基板上供给处理液，罩部，其在整周上位于通过使所述腔室盖部与所述腔室主体分离而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧，接受从旋转的所述基板飞散的处理液，罩移动机构，其使所述罩部在位于所述环状开口的径向外侧的第一位置和所述第一位置的下方的第二位置之间在所述上下方向上进行移动；所述罩部具有：大致圆筒状的侧壁部，在所述第一位置，在所述径向上与所述环状开口相向，第一密封部，在所述第一位置，在整周上在与所述腔室盖部之间形成第一密封结构，第二密封部，在所述第一位置，在整周上在与所述腔室主体之间形成第二密封结构；由形成所述环状开口的状态下的所述腔室盖部以及所述腔室主体、位于所述第一位置的所述罩部形成密闭的空间。由此，能够通过配置在腔室的外部的罩部，在密闭的空间内接受处理液。在本专利技术的其它方面中，基板处理装置具有：基板支撑部，其以水平状态从下侧支撑基板，上侧旋转构件，其配置在所述基板支撑部的上方，位置限制构件，其在以朝向上下方向的中心轴为中心的周向上，限制所述上侧旋转构件相对于所述基板支撑部的相对位置，基板按压部，其固定在所述上侧旋转构件上，并从上侧按压被所述基板支撑部支撑的所述基板，基板旋转机构，其使所述基板与所述基板支撑部、所述基板按压部及所述上侧旋转构件一起进行旋转，处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；所述基板支撑部具有多个第一接触部，该多个第一接触部分别在多个第一接触位置与所述基板的外缘部接触；所述基板按压部具有多个第二接触部，该多个第二接触部分别在多个第二接触位置与所述基板的所述外缘部接触，其中，所述第二接触位置是在所述周向上与所述多个第一接触位置不同的位置。由此，能够抑制在保持基板的保持结构的附近残留有处理液的情况。在本专利技术的其它方面中，基板处理装置具有：腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上进行移动；基板支撑部，其配置在所述腔室内，且以水平状态支撑基板；顶板，其配置在所述基板支撑部的上方，具有与所述基板相向并且与朝向上下方向的中心轴相垂直的下表面；位置限制构件，其在以所述中心轴为中心的周向上，限制所述顶板相对于所述基板支撑部的相对位置；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板支撑部以及所述顶板一起以所述中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；顶板移动机构，其利用磁力使所述顶板相对于所述腔室盖部在所述上下方向上进行移动。由此，能够在腔室内变更顶板和基板之间的上下方向上的距离。上述的目的以及其它目的、特征、方式以及优点，参照附加的附图标记，在下面进行的本专利技术的详细的说明中明确。附图说明图1是第一实施方式的基板处理装置的剖视图。图2是示出处理液供给部和处理液回收部的框图。图3是受液部附近的放大图。图4是示出基板处理装置的动作的一例的图。图5是基板处理装置的剖视图。图6是基板处理装置的剖视图。图7是基板处理装置的剖视图。图8是基板处理装置的剖视图。图9是第二实施方式的基板处理装置的剖视图。图10是基板处理装置的剖视图。图11是基板处理装置的剖视图。图12是基板处理装置的剖视图。图13是基板处理装置的剖视图。图14是第三实施方式的基板处理装置的剖视图。图15是将顶板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，/n具有：/n基板支撑部，其以水平状态从下侧支撑基板，/n上侧旋转构件，其配置在所述基板支撑部的上方，/n位置限制构件，其在以朝向上下方向的中心轴为中心的周向上，限制所述上侧旋转构件相对于所述基板支撑部的相对位置，/n基板按压部，其固定在所述上侧旋转构件上，并从上侧按压被所述基板支撑部支撑的所述基板，/n基板旋转机构，其使所述基板与所述基板支撑部、所述基板按压部及所述上侧旋转构件一起进行旋转，/n处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；/n腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间，/n腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在所述上下方向上进行移动，/n所述基板保持部配置在所述腔室内，/n所述基板支撑部具有多个第一接触部，该多个第一接触部分别在多个第一接触位置与所述基板的外缘部接触，/n所述基板按压部具有多个第二接触部，该第二接触部分别在多个第二接触位置与所述基板的所述外缘部接触，其中，所述第二接触位置是在所述周向上与所述多个第一接触位置不同的位置，/n在所述腔室盖部在所述上下方向上进行相对移动时，所述上侧旋转构件被所述腔室盖部支撑并与所述腔室盖部一起进行移动。/n...

【技术特征摘要】
20120831 JP 2012-191284;20120831 JP 2012-191285;201.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，
具有：
基板支撑部，其以水平状态从下侧支撑基板，
上侧旋转构件，其配置在所述基板支撑部的上方，
位置限制构件，其在以朝向上下方向的中心轴为中心的周向上，限制所述上侧旋转构件相对于所述基板支撑部的相对位置，
基板按压部，其固定在所述上侧旋转构件上，并从上侧按压被所述基板支撑部支撑的所述基板，
基板旋转机构，其使所述基板与所述基板支撑部、所述基板按压部及所述上侧旋转构件一起进行旋转，
处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；
腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间，
腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在所述上下方向上进行移动，
所述基板保持部配置在所述腔室内，
所述基板支撑部具有多个第一接触部，该多个第一接触部分别在多个第一接触位置与所述基板的外缘部接触，
所述基板按压部具有多个第二接触部，该第二接触部分别在多个第二接触位置与所述基板的所述外缘部接触，其中，所述第二接触位置是在所述周向上与所述多个第一接触位置不同的位置，
在所述腔室盖部在所述上下方向上进行相对移动时，所述上侧旋转构件被所述腔室盖部支撑并与所述腔室盖部一起进行移动。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在各第一接触部的周向上的两侧以与各所述第一接触部相邻的方式配置有两个第二接触部，或者在各第二接触部的周向上的两侧以与各所述第二接触部相邻的方式配置有两个第一接触部。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个第一接...

【专利技术属性】
技术研发人员：中井仁司，大桥泰彦，
申请(专利权)人：斯克林集团公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP