传输腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供了一种传输腔室及半导体加工设备，传输腔室包括腔体，在腔体内设置有用于承载基片的承载装置，还包括加热装置、进气装置和排气装置；加热装置用于加热基片，以使基片上的残余气体挥发；进气装置用于向腔体内输送气体；排气装置用于将腔体内的气体排出。本发明专利技术提供的腔室及半导体加工设备，可以从根本上将腐蚀性残余气体自基片表面去除掉，而且能够很有效地降低基片表面粘附的腐蚀性残余气体，尤其是针对完成刻蚀工艺后的基片而言，效果更佳，并可避免腐蚀传输腔室，提高传输腔室的使用寿命，并可避免对基片产生颗粒污染。

【技术实现步骤摘要】
传输腔室及半导体加工设备
本专利技术属于半导体设备加工
，涉及一种传输腔室及半导体加工设备。
技术介绍
随着半导体制造工艺的发展，器件的关键尺寸也在不断缩小，以往的碳氟基为气体主要成分的等离子体刻蚀工艺已经无法满足，现在开始使用一些氯气和溴化氢气体作为等离子体刻蚀工艺的主要气体，但由于这些气体具有很强的腐蚀性，尤其是在有一定水蒸气的情况下。图1为现有的刻蚀设备的结构示意图。请参阅图1，该刻蚀设备包括工艺腔室(ProcessModule，简称PM)和传输系统，其中，传输系统包括真空传输模块、真空大气交换模块(Loadlock)和大气传输模块。其中，真空传输模块包括真空传输腔室(VacuumTransportModule，简称VTM)和位于真空传输腔室VTM内的真空机械手(图中未示出)；真空大气交换模块包括装载互锁腔室(Loadlock，简称LL，如图中的LLA和LLB)；大气传输模块包括前后端腔室(EquipmentFront-EndModule，简称EFEM)、装载台(Loadport)、位于前后端腔室EFEM内的大气机械手和对准器(Aligner)；多个工艺腔室PM1～4和装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传输腔室，包括腔体，在所述腔体内设置有用于承载基片的承载装置，其特征在于，还包括加热装置、进气装置和排气装置；所述加热装置用于加热基片，以使所述基片上的残余气体挥发；所述进气装置用于向所述腔体内输送气体；所述排气装置用于将所述腔体内的气体排出。

【技术特征摘要】
1.一种传输腔室，包括腔体，在所述腔体内设置有用于承载基片的承载装置，其特征在于，还包括加热装置、进气装置和排气装置；所述加热装置用于加热基片，以使所述基片上的残余气体挥发；所述进气装置用于向所述腔体内输送气体；所述排气装置用于将所述腔体内的气体排出。2.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述传输腔室为真空大气转换腔室。3.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述加热装置设置在所述腔体顶部，并采用热辐射的方式加热所述基片。4.根据权利要求3所述的传输腔室，其特征在于，在所述加热装置和所述承载装置之间还设置有隔离透光件，所述隔离透光件用于将所述腔体隔离为用于放置所述加热装置的第一子腔室和用于放置所述承载装置的第二子腔室，且可使所述加热装置发出的光信号穿过以加热基片；所述进气装置和所述排气装置均与所述第二子腔室相连通。5.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述加热装置的加热源用于对所述基片均匀加热。6.根据权利要求5所述的传输腔室，其特征在于，所述加热源的数量为多个，多个所述加热源相对于所述基片呈几何对称分布设置。7.根据权利要求6所述的传输腔室，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国动，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11