半导体封装制造技术

提供一种层叠封装型半导体封装及其制造方法。所述半导体封装包括：上部封装，叠加在下部封装上；以及导通结构，设置在所述下部封装与所述上部封装之间，以将所述下部封装与所述上部封装彼此电连接。所述下部封装包括：下部封装基板；下部半导体芯片，安装在所述下部封装基板上；以及下部模塑层，囊封所述下部半导体芯片并包括对准标记。所述下部模塑层包括标记区，所述标记区设置在所述导通结构及所述下部半导体芯片之间，且在所述标记区上设置有所述对准标记。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装相关申请的交叉参考在2015年12月31日在韩国知识产权局提出申请且标题为“层叠封装型半导体封装及其制造方法”的韩国专利申请第10-2015-0190833号全文并入本文供参考。
本专利技术涉及一种半导体装置，且具体地说，涉及一种层叠封装型(package-on-packagetype)半导体封装及其制造方法。
技术介绍
通常在覆盖半导体芯片的模塑层上执行用于在半导体封装上作出对准标记的激光标记工艺。激光的使用可能导致半导体芯片的损坏。可以通过在激光标记工艺中降低激光束的强度来防止半导体芯片的这种损坏，但这种方法可导致在封装叠加工艺中标记的可见性降低且良率降低。
技术实现思路
根据某些实施例，一种半导体封装可包括：上部封装，叠加在下部封装上；以及导通结构(via)，设置在所述下部封装与所述上部封装之间，以将所述下部封装与所述上部封装彼此电连接。所述下部封装可包括：下部封装基板；下部半导体芯片，安装在所述下部封装基板上；以及下部模塑层，囊封所述下部半导体芯片且包括对准标记。所述下部模塑层可包括标记区，所述标记区设置在所述导通结构与所述下部半导体芯片之间，且在所述标记区上设置有所述对准标记。根据某些实施例，一种半导体封装可包括：下部封装，包括安装在下部封装基板上的且被下部模塑层囊封的至少一个下部半导体芯片；上部封装，包括安装在上部封装基板上的且被上部模塑层囊封的至少一个上部半导体芯片；以及导通结构，将所述下部封装电连接至所述上部封装。所述下部模塑层可包括设置在所述导通结构与所述下部半导体芯片之间的标记区。此处，所述标记区可包括：旋转对准标记，被配置成使所述下部封装与所述上部封装具有相同的取向(orientation)；以及垂直对准标记，被配置成使所述下部封装的中心与所述上部封装的中心彼此对准。根据某些实施例，一种半导体封装可包括：下部封装，包括安装在下部封装基板上的下部半导体芯片；及下部模塑层，被设置成囊封所述下部半导体芯片；以及上部封装，垂直地叠加在所述下部封装上并经由垂直地穿过所述下部模塑层的多个导通结构电连接至所述下部封装。所述下部模塑层可包括顶表面，所述顶表面面对所述上部封装且具有至少一个辨认标记，所述辨认标记可设置在所述下部模塑层的一部分上，且所述下部模塑层的所述部分可设置在所述下部半导体芯片与所述导通结构之间以覆盖所述下部半导体芯片的侧表面。根据某些实施例，一种制造半导体封装的方法可包括：设置下部封装；在所述下部封装上设置上部封装；以及将所述下部封装电连接至所述上部封装。设置所述下部封装可包括：在下部封装基板上设置下部半导体芯片及与所述下部半导体芯片间隔开的下部端子；在所述下部封装基板上设置囊封所述下部半导体芯片及所述下部端子的下部模塑层；将第一激光照射至所述下部模塑层上以形成暴露出所述下部端子的导通孔；以及将第二激光照射至所述下部模塑层上以形成激光标记。所述激光标记可形成在激光标记区上，所述激光标记区是所述下部模塑层的位于所述导通孔与所述下部半导体芯片之间的部分。根据某些实施例，一种制造半导体封装的方法可包括：设置下部封装；在所述下部封装上设置上部封装；以及将所述下部封装与所述上部封装彼此电连接。设置所述下部封装可包括：在下部封装基板上设置下部半导体芯片及与所述下部半导体芯片间隔开的下部端子；在所述下部封装基板上设置下部模塑层以囊封所述下部半导体芯片及所述下部端子；移除所述下部模塑层的一部分以形成暴露出所述下部端子的导通孔；以及移除所述下部模塑层的另一部分以在所述下部半导体芯片与所述导通孔之间形成辨认标记。所述导通孔及所述辨认标记可在单个工艺中在原处形成。根据某些实施例，一种制造半导体封装的方法可包括：设置下部封装；在所述下部封装上设置上部封装；以及将所述下部封装电连接至所述上部封装。设置所述下部封装可包括：在下部封装基板上设置下部半导体芯片及与所述下部半导体芯片间隔开的下部端子；在所述下部封装基板上设置下部模塑层以囊封所述下部半导体芯片及所述下部端子；将激光照射至覆盖所述下部端子的所述下部模塑层的第一部分上，以形成暴露出所述下部端子的导通孔；以及将激光照射至所述下部模塑层的位于所述下部端子与所述下部半导体芯片之间的第二部分上以形成辨认标记。所述导通孔及所述辨认标记可通过在同一设备中利用相同的激光所执行的单个工艺来形成。根据某些实施例，一种半导体封装可包括：上部封装，叠加在下部封装上；以及导通结构，位于所述下部封装与所述上部封装之间，以将所述下部封装与所述上部封装彼此电连接，其中所述下部封装包括位于下部封装基板上的下部半导体芯片以及囊封所述下部半导体芯片的下部模塑层，所述下部模塑层具有位于所述导通结构与所述下部半导体芯片的侧向表面之间的对准标记，所述对准标记在水平方向上与所述导通结构及所述下部半导体芯片的所述侧向表面中的每一个间隔开。附图说明通过参照附图详细阐述示例性实施例，各特征将对所属领域的普通技术人员而言变得显而易见，在附图中：图1A、图2A、图3A、图4A、图5A、及图6A说明根据某些实施例的制造半导体封装的方法的各阶段的剖视图。图1B、图2B、图3B、图4B、图5B、及图6B说明半导体封装在分别与图1A、图2A、图3A、图4A、图5A、及图6A对应的各制造阶段的俯视平面图。图3C及图3D说明图3A所示的部分的放大剖视图。图3E及图3F说明图3B所示的其他实例的平面图。图7A至图7H说明图6A所示的其他实例的剖视图。附图标记说明1、2、3、4、5、6、7、8、9：半导体封装90：第一激光92：第二激光100：下部封装101：下部封装基板101a：下部封装基板的顶表面101b：下部封装基板的底表面103：外部端子110：下部半导体芯片110a：下部半导体芯片的顶表面110b：下部半导体芯片的底表面110s：下部半导体芯片的侧表面/最外侧表面111a：第一下部半导体芯片/下部半导体芯片111b：第二下部半导体芯片/下部半导体芯片112：连接端子114：底部填充层116：传热层117、212：键合线118：无源装置119：贯穿电极120：下部端子130、131：下部模塑层130a、131a：下部模塑层的顶表面130m：标记区130p：下部模塑层的部分/部分135、136：导通孔135s：导通孔的内侧表面200：上部封装201：上部封装基板201a：上部封装基板的顶表面201b：上部封装基板的底表面210：上部半导体芯片213：绝缘粘着层220：上部端子230：上部模塑层320：导通结构400：标记400f：标记的底表面410：第一标记420：第二标记510：对准标记C1：下部封装的中心点C2:上部封装的中心点D：平移路径/平移移动L：旋转移动T1：第一厚度T2：第二厚度XC1：下部假想线XC2:上部假想线。具体实施方式[制造半导体封装的方法]图1A、图2A、图3A、图4A、图5A、及图6A是说明根据某些实施例的制造半导体封装的方法的各阶段的剖视图。图1B、图2B、图3B、图4B、图5B、及图6B是说明半导体封装在分别由图1A、图2A、图3A、图4A、图5A、及图6A示出的各制造阶段的俯视平面图。图3C及图3D是图3A所示的部分的放大剖视图。图3E及图3F是图3B所示的其他实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其特征在于，包括：上部封装，叠加在下部封装上；以及导通结构，位于所述下部封装与所述上部封装之间，以将所述下部封装与所述上部封装彼此电连接，其中所述下部封装包括：下部封装基板，下部半导体芯片，位于所述下部封装基板上，以及下部模塑层，囊封所述下部半导体芯片，所述下部模塑层具有位于标记区上的对准标记，所述标记区位于所述导通结构与所述下部半导体芯片之间。

【技术特征摘要】
2015.12.31 KR 10-2015-01908331.一种半导体封装，其特征在于，包括：上部封装，叠加在下部封装上；以及导通结构，位于所述下部封装与所述上部封装之间，以将所述下部封装与所述上部封装彼此电连接，其中所述下部封装包括：下部封装基板，下部半导体芯片，位于所述下部封装基板上，以及下部模塑层，囊封所述下部半导体芯片，所述下部模塑层具有位于标记区上的对准标记，所述标记区位于所述导通结构与所述下部半导体芯片之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述对准标记包括第一标记及第二标记中的至少一个，所述第一标记用于将所述上部封装相对于所述下部封装进行旋转对准，且所述第二标记用于在所述下部封装的中心与所述上部封装的中心之间进行垂直对准。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述第一标记包括与所述下部半导体芯片的至少一个隅角相邻的辨认标记。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述上部封装包括与所述第一标记垂直对准的位置标记。5.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述第二标记包括与所述下部半导体芯片的至少两个相对的隅角相邻的至少两个辨认标记。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述下部半导体芯片包括面对所述下部封装基板的底表面以及与所述底表面相对的顶表面，且所述下部模塑层覆盖所述下部半导体芯片的所述顶表面。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述下部模塑层包括与所述下部半导体芯片的侧表面间隔开的导通孔，所述导通结构位于所述导通孔中，且所述标记区具有与所述导通孔的深度实质上相等的厚度。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，所述导通结构与所述导通孔的内侧表面间隔开。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述导通孔的所述内侧表面具有沿远离所述下部封装基板的顶表面的方向增大的水平宽度。10.一种半导体封装，其特征在于，包括：下部封装，包括位于下部封装基板上的至少一个下部半导体芯片，所述下部半导体芯片被下部模塑层囊封；上部封装，包括位于上部封装基板上的至少一个上部半导体芯片，所述上部半导体芯片被上部模塑层囊封；以及导通结构，电连接所述下部封装至所述上部封装，其中所述下部模塑层包括位于所述导通结构与所述下部半导体芯片之间的标记区，且其中所述标记区包括：旋转对准标记，使所述下部封装与所述上部封装具有相同的取向，以及垂直对准标记，使所述下部封装的中心与所述上部封装的中心对准。11.根据权利要求10所述的半导体封装，其特征在于，所述旋转对准标记包括与所述下部半导体芯片的隅角中的一个相邻的辨认标记，且所述垂直对准标记包括与所述下部半导体芯片的所述隅角中的至少两个相对的隅角相邻的至少两个辨认标记。12.根据权利要求11所述的半导体封装，其特征在于，所述上部封装基板包括顶表面及与所述顶表面相对的底表面，在所述顶表面上安装有所述上部半导体芯片，且所述上部封装基板的所述底表面包括与所述旋转对准标记垂直对准的辨认标记。13.根据权利要求10所述的半导体封装，...

【专利技术属性】
技术研发人员：权兴奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR