一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板、显示装置；所述方法包括：在基板上依次形成黑色矩阵、色阻层，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵和色阻层的通孔；在所述色阻层表面涂覆感光材料，使用紫外线照射所述衬底基板远离所述黑色矩阵一侧，使所述通孔对应位置的感光材料曝光固化并经过显影后形成支撑柱。本发明专利技术通过在黑色矩阵和色阻层形成通孔，并配合在衬底基板远离黑色矩阵一侧紫外线照射曝光的方式形成支撑柱。本发明专利技术的彩膜基板制作方法，不再使用光掩膜版，显著降低了成本；同时可以做到以面曝光，减少工艺制程时间，大幅提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)是一种重要的平板显示装置。平板显示面板是TFT-LCD的核心组件，由TFT基板和彩膜(CF)基板组成。其中，采用IPS驱动方式的彩膜基板包括基板、背侧ITO导电膜、黑色矩阵(BM)、色阻层(RGB)、保护层(OC)以及支撑柱(PS)；采用TN驱动方式的彩膜基板包括：基板、黑色矩阵(BM)、色阻层(RGB)、面电极(ITO层，带有保护层)以及支撑柱(PS)。无论是采用何种驱动模式的彩膜基板，其在制作时均需要进行BM、RGB、PS五道曝光工序，现有的PS制程工艺过程，同BM、RGB一致，光掩膜版为非常重要的一个组成部分。但是光掩膜版制作成本高，价格昂贵；且在渐近式曝光机中的使用过程中，由于基板与光掩膜版的间距很小，通常只有200-400um，存在着异物划伤光掩膜版膜面的风险；同时，采用光掩膜版的曝光工序操作繁琐，工作效率低下。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板、显示装置，能够有效降低成本、提高工作效率。基于上述目的本专利技术提供的一种彩膜基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成黑色矩阵、色阻层，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵和色阻层的通孔；在所述色阻层表面涂覆感光材料，使用紫外线照射所述衬底基板远离所述黑色矩阵一侧，使所述通孔对应位置的感光材料曝光固化并经过显影后形成支撑柱。在一些实施方式中，所述方法还包括：在所述衬底基板上依次形成黑色矩阵、色阻层、保护层，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵和色阻层的通孔；在所述保护层表面涂覆感光材料，使用紫外线照射所述衬底基板远离所述黑色矩阵一侧，使所述通孔对应位置的感光材料曝光固化并经过显影后形成支撑柱。在一些实施方式中，所述在衬底基板上依次形成黑色矩阵、色阻层、保护层，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵和色阻层的通孔包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上涂覆黑色树脂层，通过构图工艺形成所述黑色矩阵，并在所述黑色矩阵内形成至少一个第一子通孔；在所述黑色矩阵上涂覆光阻材料，通过构图工艺形成所述色阻层，并在所述色阻层内形成至少一个第二子通孔；所述至少一个第二子通孔与所述至少一个第一子通孔的位置一一对应以构成所述至少一个通孔；在所述色阻层上形成所述保护层。在一些实施方式中，所述在所述衬底基板上涂覆黑色树脂层，通过构图工艺形成所述黑色矩阵，并在所述黑色矩阵内形成至少一个第一子通孔包括：在所述衬底基板上涂覆黑色树脂层，使用具有至少一个第一开孔的第一掩膜板对所述黑色树脂层进行曝光、显影，形成所述黑色矩阵；所述黑色矩阵内与所述至少一个第一开孔对应的位置处形成所述至少一个第一子通孔。在一些实施方式中，所述在所述黑色矩阵上涂覆光阻材料，通过构图工艺形成所述色阻层，并在所述色阻层内形成至少一个第二子通孔包括：在所述黑色矩阵上涂覆光阻材料，使用具有至少一个第二开孔的第二掩膜板对所述光阻材料进行曝光、显影，形成所述色阻层；所述色阻层内与所述至少一个第二开孔对应的位置处形成所述至少一个第二子通孔。在一些实施方式中，所述通孔包括：孔径较大的主通孔和孔径较小的辅通孔。在一些实施方式中，还包括：在所述支撑柱的表面设置不透光材料层。在一些实施方式中，所述紫外线的波长小于390纳米。另一方面，本专利技术还提供了一种彩膜基板，该彩膜基板使用如上任一项所述的方法制造而成。再一方面，本专利技术还提供了一种显示装置，该显示装置包括：如上所述的彩膜基板。从上面所述可以看出，本专利技术提供的彩膜基板的制作方法、彩膜基板、显示装置，通过在黑色矩阵和色阻层形成通孔，并配合在衬底基板远离黑色矩阵一侧紫外线照射曝光的方式形成支撑柱。本专利技术的彩膜基板制作方法，不再使用光掩膜版，显著降低了成本；同时可以做到以面曝光，减少工艺制程时间，大幅提高工作效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例的彩膜基板的制作方法流程图；图2为本专利技术实施例的彩膜基板的制作方法制作而成的彩膜基板结构示意图；图3为本专利技术实施例中制作黑色矩阵步骤工艺简图；图4为本专利技术实施例中制作色阻层步骤工艺简图；图5为图2的俯视图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。需要说明的是，本专利技术实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本专利技术实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。首先，本专利技术实施例提供了一种彩膜基板的制作方法。参考图1和图2，所述彩膜基板的制作方法，包括以下步骤：步骤101、在衬底基板1上依次形成黑色矩阵2、色阻层3，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵2和色阻层3的通孔6。在多数情况下，衬底基板1上还包括有保护层4，则本步骤具体包括：在衬底基板1上依次形成黑色矩阵2、色阻层3、保护层4。本步骤中，首先提供一衬底基板1。衬底基板1可以采用玻璃基板、石英基板以及塑料基板等透明基板，本实施例中优选为玻璃基板。开始制作时，首先对衬底基板1表面进行清洁处理，确保衬底基板表面无异物。然后，参考图2和图3，在衬底基板1上涂覆黑色树脂层22，通过构图工艺形成黑色矩阵，并在黑色矩阵内形成至少一个第一子通孔。具体的，在基板1上涂覆黑色树脂层22后，使用具有至少一个第一开孔的第一掩膜板7对黑色树脂层22进行曝光(曝光方向如图3中剪头所指方向所示)、显影，形成黑色矩阵2。在形成的黑色矩阵2内，于第一掩膜板7上个第一开孔的位置处，形成至少一个第一子通孔。接下来，参考图2和图4，在黑色矩阵2上涂覆光阻材料33，通过构图工艺形成色阻层3，并在色阻层3内形成至少一个第二子通孔。具体的，在黑色矩阵2上涂覆光阻材料33，使用具有至少一个第二开孔的第二掩膜板8对光阻材料进行曝光(曝光方向如图4中剪头所指方向所示)、显影，形成色阻层3。在形成的色阻层3内，于第二掩膜板8上个第二开孔的位置处，形成至少一个第二子通孔。其中，第二掩膜板8上个第二开孔的位置与第一掩膜板7上个第一开孔的位置一一对应，即它们在基板上的投影重合。则相应的，因第一开孔、第二开孔而形成的第一子通孔、第二子通孔的位置也一一对应，第一子通孔与二子通孔也最终形成黑色矩阵2和色阻层3内至少一个贯通的所述通孔6。最后，在色阻层3上形成保护层4。具体的，可以在色阻层3上涂覆透明树脂层，以形成保护层4。经过本步骤，形成了彩膜基板的主体部分，参考图2和图5，其包括衬底基板1，以及衬底基板1上依次设置的黑色矩阵2、色阻层3、保护层4。其中，黑色矩阵2和色阻层3内包括有至少一个通孔6，该通孔6贯穿黑色矩阵2和色阻层3。步骤102、在所述色阻层表面涂覆感光材料，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种彩膜基板的制作方法，所述彩膜基板包括衬底基板，其特征在于，包括：在所述衬底基板上依次形成黑色矩阵、色阻层，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵和色阻层的通孔；在所述色阻层表面涂覆感光材料，使用紫外线照射所述衬底基板远离所述黑色矩阵一侧，使所述通孔对应位置的感光材料曝光固化并经过显影后形成支撑柱。

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板的制作方法，所述彩膜基板包括衬底基板，其特征在于，包括：在所述衬底基板上依次形成黑色矩阵、色阻层，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵和色阻层的通孔；在所述色阻层表面涂覆感光材料，使用紫外线照射所述衬底基板远离所述黑色矩阵一侧，使所述通孔对应位置的感光材料曝光固化并经过显影后形成支撑柱。2.根据权利要求1所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，还包括：在所述衬底基板上依次形成黑色矩阵、色阻层、保护层，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵和色阻层的通孔；在所述保护层表面涂覆感光材料，使用紫外线照射所述衬底基板远离所述黑色矩阵一侧，使所述通孔对应位置的感光材料曝光固化并经过显影后形成支撑柱。3.根据权利要求2所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上依次形成黑色矩阵、色阻层、保护层，并形成至少一个贯穿所述黑色矩阵和色阻层的通孔包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上涂覆黑色树脂层，通过构图工艺形成所述黑色矩阵，并在所述黑色矩阵内形成至少一个第一子通孔；在所述黑色矩阵上涂覆光阻材料，通过构图工艺形成所述色阻层，并在所述色阻层内形成至少一个第二子通孔；所述至少一个第二子通孔与所述至少一个第一子通孔的位置一一对应以构成所述至少一个通孔；在所述色阻层上形成所述保护层。4.根据权利要求3所述的彩膜基...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟国强，陆相晚，袁慧芳，殷瑞，余娅，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11