超薄触摸屏及其制作方法技术

本发明专利技术适用于触摸屏制作工艺技术领域，提供了一种本发明专利技术实施例提供的超薄触摸屏的制作方法包括以下步骤：提供玻璃基板；镀膜，利用镀膜机在玻璃基板表面上沉积消影层和氧化铟锡层；制作ITO图案，对氧化铟锡层进行黄光蚀刻处理；固化处理，对玻璃基板进行点胶处理，将两玻璃基板进行贴合且固化处理；以及减薄处理，利用氢氟酸工艺对玻璃基板进行蚀刻处理。该超薄触摸屏的制作方法利用镀膜机在玻璃基板表面沉积形成消影层和氧化铟锡层，对氧化铟锡层进行黄光时刻处理以得到ITO图案，利用氢氟酸工艺对玻璃基板进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏，该工艺简单，生产良率很高，可以满足大批量生产的需求，而且可以大大降低触控屏的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于触摸屏制作工艺
，尤其涉及一种超薄触摸屏的制作方法以及采用该制作方法制成的超薄触摸屏。
技术介绍
近年来触摸屏的发展极为迅速，随着对多媒体信息查询的与日俱增，人们对触摸屏的应用越来越多，它能够满足人们快速查阅有用信息的需求，且正在走向一条大众化应用的道路。早期的显示器件主要以电阻触摸屏为主，现如今在苹果的带动下电容触摸屏以其计算准确、高灵敏性、操作灵活等特点，越来越受到人们的青睐。触摸屏的主要部件电容式传感器(sensor)在制作时根据要实现的功能，预先设计好相对应的线路图，再通过黄光制程将设计好的线路图做到对应的玻璃上，从而实现应有的触控功能。目前，市场上的电子产品都具有触控功能，手机是主要产品之一。电容触摸屏用氧化铟锡(简称ITO)玻璃是一种透电导电玻璃，这是由普通白玻璃加上一层透明导电膜而构成。ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡膜加工制作成的。通常，触摸屏的玻璃基板厚度都在0.33mm以上，如果使用更薄的玻璃基板，那么在生产制造的过程中玻璃基板就更加容易破碎，并且玻璃基板越薄，玻璃基板的价格就会呈现指数的增长，因为这些原因完全阻碍了触摸屏向更加轻薄的方向发展，这也随之成为触摸屏行业的瓶颈之一。然而，近年来随着以手机、平板为代表的触控产业的发展，这个产业都已经趋于饱和，要想在传统的触控产业内具有大的发展已经十分困难，结合整个市场的行情，要想是产品更加轻薄，构思一条全新的方案已经迫在眉睫，在此情形之下如何制作超薄触摸屏就由此而生。目前，市场做的触摸屏基板普遍都是0.4mm、0.55mm、0.7mm，这些规格厚度的玻璃基板不易破碎，通常触摸屏制造厂商都选择这些厚度的玻璃基板。但是随着触控产品越来越轻薄，这些基板已经不利于触控产品的进一步减薄。传统上厚度低于0.2mm的触控产品很少由厂家制作，制作上有些厂家直接使用0.2mm基板制作，但是因为玻璃太薄生产中形变量过大，生产中极其容易破片产品良率很低，并且0.2mm基板价格上相对其他0.4mm基板贵很多，这样就造成该工艺路线先天不足。另一些厂家直接选用0.33mm基板进行制作触控产品，产品制作完成后采用物理氧化铈抛光的方式进行减薄，用抛光方式减薄每片耗时约2-3h，这样就不具有大批量生产的可能性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超薄触摸屏的制作方法，旨在解决现有技术中常见厚度的触摸屏基板不利于减薄的技术问题。本专利技术是这样实现的，一种超薄触摸屏的制作方法，包括以下步骤：提供玻璃基板；镀膜，利用镀膜机在所述玻璃基板表面上沉积消影层和氧化铟锡层，所述消影层位于所述玻璃基板表面与所述氧化铟锡层之间；制作ITO图案，对所述氧化铟锡层进行黄光蚀刻处理，得到ITO图案；固化处理，对经黄光蚀刻处理后的所述玻璃基板进行点胶处理，并将两所述玻璃基板进行贴合且固化处理；以及减薄处理，利用氢氟酸工艺对固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏。进一步地，在镀膜步骤中，所述消影层包括五氧化二铌层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述五氧化二铌层与所述氧化铟锡层之间；所述氧化铟锡层、所述二氧化硅层和所述五氧化二铌层的厚度依次为和进一步地，在镀膜步骤中，采用真空磁腔连续镀膜机在所述玻璃基板表面上依次沉积所述五氧化二铌层、所述二氧化硅层和所述氧化铟锡层。进一步地，在所述镀膜机的第一腔室内进行所述五氧化二铌层的镀膜处理，镀膜温度范围为90℃～300℃，镀膜室传动节拍为350秒，使用4个铌靶进行镀所述五氧化二铌层，所述铌靶的溅射功率为6000W～8000W，氧气流量为100～130Sccm、氩气流量为200～220Sccm以及真空度为3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。进一步地，在所述镀膜机的第二腔室内进行所述二氧化硅层的镀膜处理，镀膜温度范围为180℃～280℃，镀膜室传动节拍为350秒，使用3个硅靶进行镀所述二氧化硅层，所述硅靶溅射功率为8000W～10000W，氧气流量为60～100Sccm、氩气流量为180～200Sccm以及真空度为3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。进一步地，在所述镀膜机的第三腔室内进行所述氧化铟锡层的镀膜处理，镀膜温度范围为180℃～280℃，镀膜室传动节拍为150秒，使用2个ITO靶进行镀所述氧化铟锡层，所述ITO靶溅射功率为6000W～8000W，氧气流量为100～130Sccm、氩气流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。进一步地，在制作ITO图案的步骤中，对所述氧化铟锡层依次进行曝光、显影和蚀刻处理。进一步地，在所述氢氟酸工艺中，采用氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠的混合液对固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理。进一步地，所述混合液中氢氟酸、硫酸、盐酸和氯化钠的百分比含量分别为15％～30％、1％～5％、3％～10％和5％～10％，其余为水。本专利技术还提供了一种超薄触摸屏，采用上述超薄触摸屏的制作方法制作而成。本专利技术相对于现有技术的技术效果是：该超薄触摸屏的制作方法利用所述镀膜机在所述玻璃基板表面沉积形成所述消影层和所述氧化铟锡层，并对所述氧化铟锡层进行黄光时刻处理以得到ITO图案，并利用氢氟酸工艺(以下简称HF蚀刻)对经固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏，该工艺简单，生产良率很高，而且加工效率快，可以满足大批量生产的需求，而且可以大大降低所述触控屏的厚度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供超薄触摸屏的制作方法流程图；图2是图1中的工艺流程图。附图标记说明：10玻璃基板20氧化铟锡层30粘合胶具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参照图1和图2，本专利技术实施例提供的超薄触摸屏的制作方法包括以下步骤：S1：提供玻璃基板10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供玻璃基板；镀膜，利用镀膜机在所述玻璃基板表面上沉积消影层和氧化铟锡层，所述消影层位于所述玻璃基板表面与所述氧化铟锡层之间；制作ITO图案，对所述氧化铟锡层进行黄光蚀刻处理，得到ITO图案；固化处理，对经黄光蚀刻处理后的所述玻璃基板进行点胶处理，并将两所述玻璃基板进行贴合且固化处理；以及减薄处理，利用氢氟酸工艺对固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理，得到所需厚度的触摸屏。

【技术特征摘要】
1.一种超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供玻璃基板；
镀膜，利用镀膜机在所述玻璃基板表面上沉积消影层和氧化铟锡层，所述
消影层位于所述玻璃基板表面与所述氧化铟锡层之间；
制作ITO图案，对所述氧化铟锡层进行黄光蚀刻处理，得到ITO图案；
固化处理，对经黄光蚀刻处理后的所述玻璃基板进行点胶处理，并将两所
述玻璃基板进行贴合且固化处理；以及
减薄处理，利用氢氟酸工艺对固化处理后的所述玻璃基板进行蚀刻处理，
得到所需厚度的触摸屏。
2.如权利要求1所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在镀膜步骤
中，所述消影层包括五氧化二铌层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述五
氧化二铌层与所述氧化铟锡层之间；所述氧化铟锡层、所述二氧化硅层和所述
五氧化二铌层的厚度依次为和3.如权利要求1所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在镀膜步骤
中，采用真空磁腔连续镀膜机在所述玻璃基板表面上依次沉积所述五氧化二铌
层、所述二氧化硅层和所述氧化铟锡层。
4.如权利要求3所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述镀膜
机的第一腔室内进行所述五氧化二铌层的镀膜处理，镀膜温度范围为90℃～
300℃，镀膜室传动节拍为350秒，使用4个铌靶进行镀所述五氧化二铌层，所
述铌靶的溅射功率为6000W～8000W，氧气流量为100～130Sccm、氩气流量为
200～220Sccm以及真空度为3.0×10-1Pa～5×10-1Pa之间。
5.如权利要求3所述的超薄触摸屏的制作方法，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亮，蒋蔚，陈凯，许东东，杨谦，黄受林，黄海东，
申请(专利权)人：深圳力合光电传感股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44