一种白紫光LED及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种白紫光LED，包括支架、晶片、荧光胶体；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物；所述晶片为蓝光芯片和紫光芯片，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。本发明专利技术还公开了一种白紫光LED制作方法。本发明专利技术中的蓝光芯片周围排布合适的紫光芯片表现出优异的发光性能；以提高白紫光LED的实用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED照明领域，特别是一种白紫光LED及制作方法。
技术介绍
UV-ALED率先起飞，紫外光LED是近2、3年来才开始扩大应用的技术，其中，UV-A波段约落在320~400nm，UV-B约在290~320nm，UV-C波段则是在240~290nm。UV-A和UV-C波段的市场潜力最大，若从LED组件的制作技术来看，越短波长则越难做，相较于目前蓝光LED晶粒的竞争同业众多，UVLED的结晶制作困难，技术门槛困难10倍以上，尤其是短波段的厂商相对很少，不是透过砸钱或挖角就可以解决的。除晶粒制造不容易，封装技术也不好做，因为UVLED对于封装材料的破坏度比蓝光LED更大，尤其是短波对材料吸收越大，也容易破坏材料，故封装端也需要发展技术配合。先以UV-ALED产品来看，UV-A与现在LED照明较为类似，主要是为了取代现有的UV产品，包括省电、寿命长等特性是推动取代的成长动能，目前UV-ALED主要应用在工业产品，如印刷固化、取代曝光制程产品等。此外，传统UV灯管的温度高及产生臭氧问题，故工厂必须要另外安装空调系统以抽掉臭氧，因此当UV-ALED应用至固化或曝光制造时，不只是省下灯管的电力成本，还有整体环境及冷气等费用。不过LED光源属于单波长、直向性的特性，而传统UV灯管则是多波长，这也提高了UV-ALED切入市场的门槛。当UV-ALED要取代灯管时，由于原本的印刷油墨是依照多波长去设计调配的，故单波长必须先进行混光，而光强、照射距离、均匀性等都需要做整体考虑，照射的准确性也要很高，发光角度要很小，仅约1~6度的平行光。因此UV-ALED与LED照明设计是截然不同的，不仅考验封装厂的能力，同时UV-ALED也必须要做成一个系统产品，依照不同客户需求进行设计。UV-CLED则比较偏向医疗洁净产业，如前所述，UV-CLED的困难度最高，只有少数日本或美国厂商具有相关技术，且都是原本专攻洁净领域的化工大厂。近期相关市调机构预估，UVLED市场规模(晶粒加封装)将可望从2014年9000万美元扩大至2019年的6亿美元，其中，UV-ALED受到近年来价格下滑影响，成长速度较快，2014~2016年市场需求开始明显起飞，且应用面在于工业使用等级，价格波动性较低，UV-CLED预计将从2017~2018年进入爆发成长期。现有的混光效果不太好，发光效果不太好。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种白紫光LED及制作方法，本专利技术可提高混光效果。本专利技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：根据本专利技术提出的一种白紫光LED，包括支架、晶片、荧光胶体；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。作为本专利技术所述的一种白紫光LED进一步优化方案，所述晶片为蓝光芯片和紫光芯片，紫光芯片排布在蓝光芯片的周围。作为本专利技术所述的一种白紫光LED进一步优化方案，所述硅胶的折射率为1.53。作为本专利技术所述的一种白紫光LED进一步优化方案，所述紫光芯片的发射波长为395nm-405nm。作为本专利技术所述的一种白紫光LED进一步优化方案，所述蓝光芯片的发射波长为450nm-460nm。一种白紫光LED制作方法，包括如下步骤：步骤一、提供呈阶梯状的铜镀银支架；步骤二、将蓝光芯片固定在铜镀银支架上；步骤三、将紫光芯片固定在蓝光芯片的两边；步骤四、采用真空搅拌机对绿色荧光粉、红色荧光粉、硅胶进行搅拌脱泡，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10，得到荧光胶体；步骤五、将步骤四得到的荧光胶体填充在蓝光芯片、紫光芯片上。作为本专利技术所述的一种白紫光LED制作方法进一步优化方案，所述步骤四中硅胶的折射率为1.53。作为本专利技术所述的一种白紫光LED制作方法进一步优化方案，所述步骤四中搅拌的时间为5分钟。作为本专利技术所述的一种白紫光LED制作方法进一步优化方案，铜镀银支架的外形为5.6mm*3.0mm，发光面为4.6mm*2.3mm，底部区域为2.5mm*1.2mm。本专利技术采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：（1）本专利技术中的使用的蓝光芯片加紫光芯片固定在本专利技术中所述指定的支架中，具有较好的混光效果；（2）发光载体加上搭配的蓝光芯片和紫光芯片使得该技术方案拥有较好的发光效果且更有利于配光。附图说明图1是本专利技术白紫光LED的俯视图。图2是沿图1中的线AB的剖面图。图中的附图标记解释为：1-荧光胶体，2-晶片，3-支架。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的技术方案做进一步的详细说明：如图1是本专利技术白紫光LED的俯视图；如图2所示是剖面图，一种白紫光LED，包括支架3、晶片2、荧光胶体1；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体的材料为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:6为最佳实施例，可达到提高光效，保证光色的均匀性的优点。实施例1.称取5g绿色荧光粉、5g红色荧光粉、30g硅胶，将其混合混匀，将其涂敷在晶片上，制成厚度为0.2mm的薄膜，在120℃下固化1小时。实施例2.称取5g绿色荧光粉、5g红色荧光粉、20g硅胶，将其混合混匀，将其涂敷在晶片上，制成厚度为0.1mm的薄膜，在120℃下固化2小时。所述晶片为蓝光芯片和紫光芯片，紫光芯片排布在蓝光芯片的周围，所述硅胶的折射率为1.53，所述蓝光芯片的波长为450nm-460nm，所述紫光芯片的波长为395nm-405nm。一种白紫光LED制作方法，包括如下步骤：步骤一、提供外形为5.6mm*3.0mm，发光面为4.6mm*2.3mm，底部区域为2.5mm*1.2mm的阶梯式铜镀银支架；步骤二、将蓝光芯片固定在支架上；步骤三、将紫光芯片固定蓝光芯片两边；步骤四、加入绿色荧光粉、红色荧光粉后使用真空搅拌机进行搅拌脱泡，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10，得到荧光胶体；步骤五、将步骤四得到的荧光胶体填充在紫光芯片、蓝光芯片上。制作本专利技术一种白紫光LED的制作方法的主要优点：1、本专利技术中的使用的蓝光芯片加紫光芯片，具有较好的混光效果；2、发光载体加上搭配的蓝光芯片和紫光芯片使得该技术方案拥有较好的发光效果且更有利于配光。显然，本专利技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举例，而并非是对本专利技术的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本专利技术的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白紫光LED，其特征在于，包括支架、晶片、荧光胶体；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。

【技术特征摘要】
1.一种白紫光LED，其特征在于，包括支架、晶片、荧光胶体；其中，晶片固定在支架上，荧光胶体填充在晶片上；所述荧光胶体为绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶的混合物，绿色荧光粉、红色荧光粉与硅胶按重量比为1:1:3～1:1:10。2.根据权利要求1所述的一种白紫光LED，其特征在于，所述晶片为蓝光芯片和紫光芯片，紫光芯片排布在蓝光芯片的周围。3.根据权利要求1所述的一种白紫光LED，其特征在于，所述硅胶的折射率为1.53。4.根据权利要求2所述的一种白紫光LED，其特征在于，所述紫光芯片的发射波长为395nm-405nm。5.根据权利要求2所述的一种白紫光LED，其特征在于，所述蓝光芯片的发射波长为450nm-460nm。6.一种白紫光LED制作方法，其特征在于，包括如下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：付亮，
申请(专利权)人：江苏稳润光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32