LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片及其制作方法。LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有一凹槽，凹槽内设置有第一电极；设置在第一半导体层上的第二半导体层；设置在第二半导体层上的第二电极。通过以上方式，本发明专利技术能够优化电极几何形状，使电流分布更加均匀，解决了电流拥挤问题，制作工艺简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED
，特别是涉及一种LED芯片及其制作方法。
技术介绍
迄今为止，发光二极管(light emitting diode，LED)在高电流密度下其光效会降低仍然是业界公认的世界性难题。LED芯片发光的机理是电流通过LED芯片的有源区时，空穴与电子辐射复合发光。LED芯片基本上是横向结构，LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧。电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等，会出现横向电流分布不均的问题。电流密度高的地方也相应产生热量聚集，并且随着输入芯片的电流加大，这一倾向会不断增强，从而使发光效率下降，工作寿命变短。如图1所示，LED芯片10是横向结构，p型半导体(P-GaN)11和n型半导体(N-GaN)12设置在衬底16上，p型半导体11和n型半导体12之间设置有InGaN材料构成的有源区13，p型半导体11设置有正电极14，n型半导体12上设置有负电极15。电流在p型半导体11和n型半导体12中横向流动不均衡，在转角处以及接近负电极处电流密度高，产生热量聚集。目前普通单芯片LED通常采用最为常见的不透明的圆形电极结构，其中电极的形状直接决定了芯片电流分布的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的第一半导体层，其中所述第一半导体层上设置有一凹槽，所述凹槽内设置有第一电极；设置在所述第一半导体层上的第二半导体层；设置在所述第二半导体层上的第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的第一半导体层，其中所述第一半导体层上设置有一凹槽，所述凹槽内设置有第一电极；设置在所述第一半导体层上的第二半导体层；设置在所述第二半导体层上的第二电极。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凹槽贯穿所述第一半导体层。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括有源区，所述有源区设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极包括第一薄层金属镍、第二层金属铝/铜以及第三层金属镍/金。5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层的厚度大于所述第二半导体层的厚度。6.一种LED芯片的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴广跃，罗剑生，刘文，陈祖军，刘志慧，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东;44