基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。

Substrate processing device and substrate processing method

A substrate processing device (10) has a plasma generating part of the substrate (1) in the configuration of the plasma plasma generating space generation process gas; cooling section (20), through the cooling space (55) with the substrate and has relative to the cooling space supply process gas supply port (26); process gas the Ministry of supply (30), the Ministry of supply (20) to the cooling process gas; and the communicating part (56), which are connected with the cooling space (55) and the plasma generating space for process gas is supplied to the cooling space supplied to the plasma generating space.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对基板的两面进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
近年来，为了实现电子设备的轻量化、薄型化等，在安装有电子部件的安装基板等中逐渐采用例如薄膜状的基板。诸如薄膜状的基板这样的薄型基板与以前普遍采用的玻璃基板等相比，耐热性低。例如，在通过溅射法对薄型基板进行成膜的情况下，高能量的溅射粒子到达基板表面，从而使基板表面的温度上升。当基板表面的温度超过基板材料的容许温度时，有可能导致基板的变形等，因此在对薄型基板进行成膜的情况下，需要在不超过基板材料的容许温度的温度范围进行成膜。作为对薄型基板进行冷却的机构，已知有例如使冷却辊面接触到基板的背面的机构(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-155704号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，例如在进行两面成膜的情况下等，需要抑制异物附着到基板的两面上。如上所述，在使冷却辊和基板面接触而对基板进行冷却的情况下，异物容易附着到与冷却辊接触的基板背面。另外，这样的课题不仅限于将薄型基板作为处理对象的装置，而且在需要冷却基板的基板处理装置中也是大致共通的。本专利技术的目的在于提供一种，能抑制异物附着到基板并能对基板进行冷却的基板处理装置以及基板处理方法。用于解决课题的手段本专利技术的一个方式为基板处理装置。基板处理装置具备：等离子生成部，在配置基板的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部，其隔着冷却空间与所述基板相对，并具有向所述冷却空间供给所述工艺气体的供给口；工艺气体供给部，其向所述冷却部供给所述工艺气体；以及连通部，其连通所述冷却空间和所述等离子生成空间，用于将被供给到所述冷却空间的所述工艺气体供给到所述等离子生成空间。本专利技术的另一个方式为基板处理方法。基板处理方法包括如下步骤：在等离子生成空间配置基板的步骤：以及一边通过从隔着冷却空间与所述基板相对的冷却部向所述冷却空间供给所述工艺气体来冷却所述基板，一边通过将被供给到所述冷却空间中的所述工艺气体经由所述基板和所述冷却部之间的间隙而供给到所述等离子生成空间并生成所述工艺气体的等离子，从而进行基板处理的步骤。根据上述基板处理装置或者是基板处理方法，由于能利用被供给到冷却部与基板之间的冷却空间的气体来冷却基板，所以与通过基板和冷却部的面接触而进行的冷却相比，能抑制异物附着到基板。此外，冷却用气体是以等离子为原料气体的工艺气体，并且经由冷却空间供给到等离子生成空间。因此，冷却用气体还可以作为等离子生成用气体有效地利用。在上述基板处理装置中，优选地，所述冷却部包括底座部，在该底座部形成有包括所述供给口的气体流道，所述基板处理装置进一步具备与所述底座部连接的冷却源。根据上述构成，由于底座部被冷却源冷却，所以通过该底座部的气体流道的工艺气体也被冷却。因此，能提高基板的冷却效果。在上述基板处理装置中，优选地，所述供给口是相对于所述冷却部的基板相对面的中心点对称配置的多个供给口中的一个。根据上述构成，由于能从相对于基板相对面的中心点对称配置的多个供给口供给工艺气体，所以能抑制供给到冷却空间的工艺气体的供给量的偏差。因此，由于抑制基板局部被冷却，能实现基板面内的温度分布的均匀化。在上述基板处理装置中，优选地，所述冷却部的基板相对面为矩形状，在由所述基板相对面的对角线区划而成的多个区域的各个区域中所述供给口的开口面积相同。根据上述构成，被基板相对面的对角线分割的各区域内的供给口的开口面积相同，因此能抑制供给到冷却空间的工艺气体的供给量的偏差。另外，能从冷却空间向等离子生成空间各向同性地供给工艺气体。优选地，上述基板处理装置进一步具备框状的基板保持部，该基板保持部保持所述基板，所述冷却部的基板相对面的大小比设于所述基板保持部的内侧的开口部小。根据上述构成，由于基板相对面比基板保持部的内侧的开口部小，所以在使冷却部朝向开口部接近时，能将基板相对面与基板的相对距离设定得短，也不会与基板保持部发生干扰。因此，能提高冷却部对基板的冷却效果。优选地，上述基板处理装置进一步具备框状的基板保持部，该基板保持部保持所述基板，所述基板保持部包括框体和基板固定件，该基板固定件设于所述框体并固定所述基板，所述基板固定件构成为在所述框体与所述基板之间形成间隙，并且能从所述冷却空间经由所述间隙而向所述等离子生成空间供给所述工艺气体。根据上述构成，由于被供给到冷却空间的工艺气体经由框体与基板之间的间隙而被供给到等离子生成空间，所以能抑制因工艺气体的压力而造成的基板的挠曲。其结果，使向冷却空间的工艺气体流量增加，从而能提高对基板的冷却效果。在上述基板处理装置中，优选地，所述冷却部包括多个肋部，多个肋部从所述冷却部的基板相对面突出，所述基板处理装置进一步具备连通口，该连通口设于所述多个肋部之间，用于从所述冷却空间向所述等离子生成空间供给所述工艺气体。根据上述构成，能通过在基板相对面设置多个肋部，从而能将工艺气体在冷却空间中的滞留时间设定得长。另外，由于在肋部之间设有连通口，所以能控制工艺气体向等离子生成空间流动的方向。附图说明图1是示意性地示出基板处理装置的第1实施方式的概要结构的侧视图。图2是图1的基板处理装置中的搬送机构的示意图。图3是图1的基板处理装置中的安装了薄膜基板的基板保持部的立体图。图4是示出图3的基板保持部的局部的剖视图。图5是示出第1实施方式的基板保持部以及冷却部的立体图。图6是第1实施方式的基板保持部以及冷却部的剖视图。图7是第2实施方式的基板保持部以及冷却部的立体图。图8是第2实施方式的基板保持部以及冷却部的剖视图。图9是第3实施方式中的冷却部的局部的剖视图。图10是变形例的冷却部的主视图。图11是变形例的冷却部的主视图。图12是变形例的冷却部的主视图。图13是变形例的冷却部的主视图。图14是变形例的冷却部的主视图。图15是变形例的冷却部的主视图。图16是示出变形例的基板保持部的主视图。具体实施方式(第1实施方式)以下，对基板处理装置的第1实施方式进行说明。本实施方式的基板处理装置是通过溅射法在基板形成薄膜的溅射装置。另外，成为成膜对象的基板是薄膜状的基板(以下，薄膜基板)。薄膜基板以树脂为主要成分。另外，本实施方式的薄膜基板是正方形状，一边的长度例如为500mm-600mm。另外，薄膜基板的厚度例如为1mm以下。[基板处理装置的概要构成]参照图1以及图2对基板处理装置10的概要构成进行说明。如图1所示，基板处理装置10在腔室11的搬入口侧以及搬出口侧分别具备闸阀12、13。在闸阀12、13之间设有搬送路，搬送路搬送薄膜基板1。另外，也可以根据基板处理装置10的方式，省略闸阀12、13。另外，在腔室11连接有排气部11a，排气部11a排出腔室11内的气体。排气部11a例如是涡轮分子泵，并且由控制装置15进行控制，控制装置15与基板处理装置10并列设置。在腔室11内的搬送路的一侧设有冷却部20。冷却部20形成为板状，并且在搬送路侧具有正方形的基板相对面23。在冷却部20通过连接部21连接有作为冷却源的低温泵22。低温泵22配置于腔室11的外侧。将冷却部20以及低温泵22连接的连接部21由金属等热传导性高的材料构成，连接部21能在设于腔室11的壁部的插通部内滑动地设置。另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，具备：等离子生成部，其在配置基板的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部，其隔着冷却空间与所述基板相对，并具有向所述冷却空间供给所述工艺气体的供给口；工艺气体供给部，其向所述冷却部供给所述工艺气体；以及连通部，其连通所述冷却空间和所述等离子生成空间，用于将被供给到所述冷却空间的所述工艺气体供给到所述等离子生成空间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.31 JP 2014-1566041.一种基板处理装置，具备：等离子生成部，其在配置基板的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部，其隔着冷却空间与所述基板相对，并具有向所述冷却空间供给所述工艺气体的供给口；工艺气体供给部，其向所述冷却部供给所述工艺气体；以及连通部，其连通所述冷却空间和所述等离子生成空间，用于将被供给到所述冷却空间的所述工艺气体供给到所述等离子生成空间。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述冷却部包括底座部，在该底座部形成有包括所述供给口的气体流道，所述基板处理装置进一步具备与所述底座部连接的冷却源。3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，其中，所述供给口是相对于所述冷却部的基板相对面的中心点对称配置的多个供给口中的一个。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的基板处理装置，其中，所述冷却部的基板相对面为矩形状，在由所述基板相对面的对角线区划而成的多个区域的各个区域中所述供给口的开口面积相同。5.根据权利要求1-4中任意一项所述的基板处理装置，其中，进一步具备框状...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤长徹志，井堀敦仁，松本昌弘，谷典明，岩井治宪，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP