成膜装置和成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够通过磁控溅射进行成膜速率均匀的成膜的成膜装置和成膜方法。本发明专利技术的成膜装置对基板进行溅射成膜，其具有多个旋转靶，上述旋转靶具有中心轴和靶面，并且在内部具有能够绕着中心轴转动的磁铁，上述多个旋转靶以规定的间隔进行排列，上述多个旋转靶的中心轴相互平行且间隔相同，在将旋转靶与基板的距离设为相对基板距离时，在多个旋转靶中，从中央部的旋转靶到端部的旋转靶的相对基板距离逐渐变小，在将特定的旋转靶的相对基板距离和与特定的旋转靶相邻且与特定的旋转靶的相对基板距离不同的旋转靶的相对基板距离的差值设为距离差值时，端部的距离差值大于中央部的距离差值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于使用旋转靶的磁控溅射的成膜装置和成膜方法。

技术介绍

1、溅射是通过对导入真空中的溅射气体进行放电，从而使溅射气体等离子体化，使生成的离子与靶碰撞而产生溅射颗粒，并使溅射颗粒沉积在基板上。磁控溅射是使用在靶附近配置的磁铁将电子包围在磁场之中从而在靶附近形成高密度等离子体区域，通过使离子与靶高效地碰撞，由此能够实现成膜的高速化。

2、在磁控溅射装置中，开发了如下装置：将磁铁配置在与基板相向的圆筒状的溅射靶(以下为旋转靶)中，并使磁铁转动，从而使旋转靶表面的等离子体密度变化。在该装置中，通过使磁铁转动，从而能够使旋转靶间的溅射颗粒的量均匀化。

3、在磁控溅射装置中，通过将多个旋转靶与基板相向配置，能够对大面积的基板进行成膜。这里，在利用多个旋转靶的情况下，基板上的膜厚分布因旋转靶相对于基板的配置而受到影响，特别是相向的旋转靶的数量少的基板端部的成膜速率容易不足。针对于此，在专利文献1中公开了一种成膜系统，从中央部的旋转靶到端部的旋转靶，使旋转靶逐渐接近基板而配置。

4、现有技术文献>

5、专利文献本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种成膜装置，其对基板进行溅射成膜，所述成膜装置具有多个旋转靶，所述旋转靶具有中心轴和靶面，并且在内部具有能够绕着所述中心轴转动的磁铁，所述多个旋转靶以规定的间隔进行排列，所述多个旋转靶的所述中心轴相互平行且间隔相同，

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的成膜装置，其中，

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的成膜装置，其中，

7.一种成膜方法，使用多个旋转靶对基板进行溅射成膜，所述旋转...

【技术特征摘要】

1.一种成膜装置，其对基板进行溅射成膜，所述成膜装置具有多个旋转靶，所述旋转靶具有中心轴和靶面，并且在内部具有能够绕着所述中心轴转动的磁铁，所述多个旋转靶以规定的间隔进行排列，所述多个旋转靶的所述中心轴相互平行且间隔相同，

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

4.根据权利要求3所述的成...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野敦央，氏原祐辅，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：