【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造工艺设备，例如涉及一种用于管道的缓存气包装置及原子层沉积设备。
技术介绍
1、目前，原子层沉积(atomic layer deposition，ald)设备一般使用缓存气包用于管路储气。缓存气包是储气较多的器件，也是容易被腐蚀或污染的关键器件。
2、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
3、首先，现有气包的管道较长且弯头管路较多，导致输送压力衰减。其次，现有气包的腔体结构容易使得工艺气体滞留死区，导致滞留时间较长的腐蚀性气体，导致缓存气包装置的腔体发生质变或腐蚀，以及管壁产生金属或颗粒污染等。再次，现有气包在维护时需要保证缓存气包装置的密封性，导致维护难度较大且维护成本较高。最后，现有气包的管道的接头较多，导致工艺气体的泄露点较多，且误操作的可能性较大。
4、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、...
【技术保护点】
1.一种用于管道的缓存气包装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的缓存气包装置，其特征在于，所述第一接口对应气包本体的进气端，所述第一阀门为进气阀；
3.根据权利要求1所述的缓存气包装置，其特征在于，所述第二接口对应气包本体的出气端，所述第二阀门为出气阀；
4.根据权利要求1所述的缓存气包装置，其特征在于，所述第二管路设置有支气管路，所述缓存气包装置还包括：
5.根据权利要求4所述的缓存气包装置，其特征在于，所述密封接头为VCR接头，所述密封接头以焊接的方式与所述支气管路相连接，所述功能件为压力计。
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