一种化学气相淀积薄膜制备装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，包括设有第一通孔的加热组件、两端开口的石英管、进气组件和抽气组件；所述石英管穿设在所述第一通孔内；所述进气组件和抽气组件分别和所述石英管的两端相连接。本发明专利技术所公开的化学气相淀积薄膜制备装置，体积小，结构简单且制造成本低，便于小规模的生产，同时也能降低企业的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学气相淀积，具体为一种化学气相淀积薄膜制备装置。

技术介绍

1、cvd(chemical vapor deposition,化学气相淀积），指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。

2、现有的cvd制备设备一般体积较大，且结构复杂，适用于大规模的生产，其使用成本高，不符合小规模制备的需求。

技术实现思路

1、本专利技术目的是提供一种化学气相淀积薄膜制备装置。

2、本专利技术提供的化学气相淀积薄膜制备装置，包括设有第一通孔的加热组件、两端开口的石英管、进气组件和抽气组件；所述石英管穿设在所述第一通孔内；所述进气组件和抽气组件分别和所述石英管的两端相连接。

3、优选的，所述加热组件包括第一板体和第二板体；所述第二板体设置在所述第一板体的顶部；所述第一板体的顶部表面开设有贯穿其长度方向的第一凹槽；所述第二板体底部表面开设有贯穿其长度方向的第二凹槽；所述第一凹槽和第二凹槽结构相同；所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，包括设有第一通孔的加热组件、两端开口的石英管（10）、进气组件（3）和抽气组件（6）；所述石英管（10）穿设在所述第一通孔内；所述进气组件（3）和抽气组件（6）分别和所述石英管（10）的两端相连接；

2.如权利要求1所述的化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，所述加热组件还包括加热线圈（11）；所述第一板体（5）的顶部还开设有第三凹槽（502）；所述第二板体（1）的底部还开设有第四凹槽（103）；所述加热线圈（11）套接在所述石英管（10）上；所述加热线圈（11）设置在所述第三凹槽（502）和第四凹槽（103）围合的空腔内；所述第...

【技术特征摘要】

1.一种化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，包括设有第一通孔的加热组件、两端开口的石英管（10）、进气组件（3）和抽气组件（6）；所述石英管（10）穿设在所述第一通孔内；所述进气组件（3）和抽气组件（6）分别和所述石英管（10）的两端相连接；

2.如权利要求1所述的化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，所述加热组件还包括加热线圈（11）；所述第一板体（5）的顶部还开设有第三凹槽（502）；所述第二板体（1）的底部还开设有第四凹槽（103）；所述加热线圈（11）套接在所述石英管（10）上；所述加热线圈（11）设置在所述第三凹槽（502）和第四凹槽（103）围合的空腔内；所述第四凹槽（103）的底部还设有第二通孔（101）；所述加热线圈（11）的末端穿出所述第二通孔（101）。

3.如权利要求2所述的化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，所述加热组件还包括保温仓；所述保温仓包括上仓体（904）和下仓体（902）；所述下仓体（902）装配在所述第三凹槽（502）内；所述上仓体（904）装配在所述第四凹槽（103）内；所述上仓体（904）和下仓体（902）的两侧壁均开设有同轴设置的第五凹槽（901）；所述石英管（10）贯穿所述保温仓；所述加热线圈（11）设置在所述保温仓内。

4.如权利要求3所述的化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，所述加热组件还包括一设有测温端的测温件（8）；所述第二板体（1）的一侧设有第六凹槽（106）；所述第六凹槽（106）与所述第二通孔（101）相贯通；所述测温件（8）的测温端依次插入所述第六凹槽（106）和第二通孔（101）后和所述上仓体（904）的顶部表面相抵。

5.如权利要求4所述的化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，所述进气组件（3）包括第一固定板（303）、第一进气管（302）和第一螺母（301）；所述第一板体（5）沿其长度方向的两侧还设有第七凹槽（504）；所述第二板体（1）沿其长度方向的两侧还设有第八凹槽（102）；所述第一固定板（303）固定在所述第一板体（5）一端的第七凹槽（504）和第八凹槽（102）围合成的槽体内；所述第一固定板（303）上还有第三通孔（304）；所述第一进气管（302）穿设所述第三通孔（304）和所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋明川，李源林，
申请(专利权)人：琥崧智能装备太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：