【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及半导体领域，尤其涉及一种双腔的基座匹配装置和用于双腔的基座匹配方法。
技术介绍
1、在半导体领域，一般采用原子层沉积(atomic layer deposition，ald)来制备高质量薄膜，但ald成膜速度相比于化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)会慢很多。再加上业界用于制备薄膜的半导体反应腔多为单腔，产率较低，因此在保证膜质的同时，如何提升高质量薄膜的产率(throughput，t-put)也是业界关心的重要课题之一。
2、目前业界已有双腔(dual chamber)的设计，同时对两种不同的反应腔设计采用大致相同的构造，来增加产率。但是，在如何实现两个反应腔的基座高度的匹配上一直存在问题，因为如果双腔的基座高度不匹配，会导致两个处理室的镀膜工艺存在差异，晶圆之间均匀性不一致，会对整个产品的良率产生严重的影响，从而影响产率。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是如何方便、准确地判断双腔中的两个基座的高度是否匹配，并进而...
【技术保护点】
1.一种双腔的基座匹配装置，所述双腔包括两个腔体，每个腔体中包括用于处理基片的上腔室、用于传输基片的下腔室、用于承载基片的基座，每个基座的底部设置有升降杆，所述基座由升降杆带动在所述上腔室和下腔室之间升降移动，其特征在于，包括状态检测装置和控制器，其中，每个基座的升降杆设置有所述状态检测装置，所述状态检测装置用于在外力驱动下带动所述升降杆升降，并且在所述基座的上升过程中检测所述基座是否到达隔离位置，在所述隔离位置，所述基座与腔体内的隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离，每个基座的状态检测装置相互连接，以使每个所述基座同步升降；
2.如权利要求1所述的基...
【技术特征摘要】
1.一种双腔的基座匹配装置，所述双腔包括两个腔体，每个腔体中包括用于处理基片的上腔室、用于传输基片的下腔室、用于承载基片的基座，每个基座的底部设置有升降杆，所述基座由升降杆带动在所述上腔室和下腔室之间升降移动，其特征在于，包括状态检测装置和控制器，其中，每个基座的升降杆设置有所述状态检测装置，所述状态检测装置用于在外力驱动下带动所述升降杆升降，并且在所述基座的上升过程中检测所述基座是否到达隔离位置，在所述隔离位置，所述基座与腔体内的隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离，每个基座的状态检测装置相互连接，以使每个所述基座同步升降；
2.如权利要求1所述的基座匹配装置，其特征在于，还包括设置在所述状态检测装置下方的基座调整机构，所述基座调整机构包括竖直方向调整板，所述竖直方向调整板与所述升降杆固定连接；
3.如权利要求2所述的基座匹配装置，其特征在于，所述升降组件还包括第一弹性件，所述第一弹性件设置在所述第一升降件和所述第二升降件之间，在所述基座的上升过程中，所述第一升降件和所述第二升降件之间的距离可变，其中，当所述基座到达隔离位置时，所述第一弹性件具有第一伸缩量，所述第一升降件和所述第二升降件之间具有第一距离；当所述基座未到达隔离位置时，所述第一弹性件具有第二伸缩量，所述第一升降件和所述第二升降件之间具有第二距离，其中，所述第一距离大于所述第二距离。
4.如权利要求3所述的基座匹配装置，其特征在于，每个基座的所述状态检测装置包括检测器，所述检测器包括位移检测器，用于检测所述第一升降件和所述第二升降件之间的第一距离；
5.如权利要求3所述的基座匹配装置，其特征在于，每个基座的所述状态检测装置还包括检测器，所述检测器用于检测所述第一弹性件的弹性状态变化；
6.如权利要求3所述的基座匹配装置，其特征在于，所述状态检测装置包括千分表，所述千分表与所述第一升降件固定连接，所述千分表包括测头和测杆，所述测杆位于所述第一升降件和所述第二升降件之间，所述测头与所述第二升降件接触；其中，当所述基座到达隔离位置时，所述千分表具有对应于所述第一距离的读数；
7.如权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：董斌，赵帆，卞达开，罗际蔚，
申请(专利权)人：研微江苏半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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