本申请提供了一种沉积设备，包括：感应线圈、感应生热单元和反应腔，其中，所述感应线圈设置在所述感应生热单元的外周，所述感应生热单元设置在所述感应线圈和所述反应腔之间，当所述感应线圈被通电时，所述感应生热单元感应生热从而加热所述反应腔，其中...

本公开涉及一种成膜方法及等离子体成膜装置，该成膜方法包括：通过设置在反应室内的静电卡盘对晶圆进行静电吸附，形成吸附阶段；向反应室的第一电极馈入具有第一信号参数的第一射频信号，以在反应室内激发形成第一等离子体，利用第一等离子体对反应室进行...

本公开实施例提供一种举升销、反应器系统及用于反应器系统的排气控制方法，举升销设置在加热托盘内，加热托盘具有贯通的销孔部，举升销设置在销孔部中，销孔部包括相互连通的第一销孔和第二销孔，第二销孔设置在第一销孔的下部；举升销包括销头和销体，销...

本申请提供了一种半导体外延生长设备，包括：反应腔体和感应线圈，其中，所述感应线圈设置在所述反应腔体的外周，所述感应线圈沿工艺气体的流动方向具有第一端和第二端，所述第一端靠近工艺气体入口，所述第二端靠近工艺气体出口，所述反应腔体内设置有基...

本发明提供了一种化学反应源输送系统、输送方法及反应源容器，化学反应源输送系统包括反应源容器；反应源容器内具有入口部、出口部和至少三条内部通道；加热柜体用于容纳反应源容器；连接管路，包括第一管路和第二管路，第一管路连接至气体源，并通过盖板...

本申请提供了一种加热石墨组件和反应室，该加热石墨组件包括上石墨件，具有底板，底板具有正面以及与正面相对的背面，背面为底板远离反应腔的一面；以及下石墨件，具有顶板，顶板与底板相对设置，其中，反应腔位于底板与顶板之间，反应腔具有在第一方向上...

本发明提供一种化学反应源供应系统，包括：反应源容器、加热柜、反应源供应管路、第一控制阀、加热装置及冷却装置、反应源容器位于加热柜内，加热柜的内部处于大气压环境；第一控制阀的底部阀体设置在加热柜内部，工作温度为≥200℃，第一控制阀的执行...

本申请提供了一种双腔的基座匹配装置和基座匹配方法。该基座匹配装置包括状态检测装置和控制器，每个基座的升降杆设置有状态检测装置，状态检测装置在外力驱动下带动升降杆升降，并且在基座的上升过程中检测基座是否到达隔离位置，在隔离位置，基座与腔体...

本发明提供了一种半导体制造装置和半导体制造方法，该制造装置包括：设置有支撑盘的工艺腔室；用于向工艺腔室提供混气的混气供给单元，混气供给单元包括主管路

本发明提供了一种喷淋组件

本申请提供了一种半导体反应腔室及其隔离装置和隔离控制方法

本申请提供了一种半导体反应腔室及应用于其的基座隔离状态检测方法

本发明提供了一种半导体沉积设备的进气装置、进气方法及衬底处理装置，所述进气装置包括混管路、混合器和扩散器，管路流体连接至混合器，管路上设有阀门，阀门用于对通入的工艺气体进行控制，由混合器混合后的工艺气体通入扩散器并流入反应器。混合器具有...