【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及半导体制造，尤其涉及一种加热石墨组件和反应室。
技术介绍
1、碳化硅(sic)因其优异的性能在功率器件材料中展现出巨大的潜能。碳化硅具有熔点高、导热性好、不易击穿等优异的电学性质，是制作高频、大功率、耐高温和抗辐射电子器件的优选材料。碳化硅外延是在衬底表面生长一层或数层碳化硅材料层，外延方法是制备碳化硅材料层的常见技术。制备碳化硅材料层的方法包括液相外延法、分子束外延生长法、磁控溅射法、升华外延法和化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)等。其中，cvd是目前应用最广泛的制备碳化硅材料层的方法，与其他方法相比，具有的生长速率高、便于控制和批量生产等优势。
2、使用cvd在衬底上沉积材料层的方法包括：将衬底置于反应室中，对衬底进行加热，并导入多种前驱物，使衬底表面发生化学反应从而产生欲沉积的材料层。在沉积材料层的过程中，需要保持衬底的温度均匀性。提高衬底的温度均匀性有助于提高材料层的质量，以及避免衬底因受热不均而弯曲。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是提供一种加热石墨组件和反应室，该加热石墨组件和反应室可以改善衬底的温度均匀性，从而提高材料层的质量，以及避免衬底弯曲。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种加热石墨组件，所述加热石墨组件用于在位于反应腔内的衬底上形成材料层，包括：上石墨件，具有底板，所述底板具有正面以及与所述正面相对的背面，所述背面为所述底板远离所述反应腔的一面；以及下石墨件，具有顶板
3、在本申请的一实施例中，所述正面为平坦的表面，所述底板与所述进气口相邻部分的厚度增加在所述背面，所述底板与所述出气口相邻部分的厚度增加在所述背面。
4、在本申请的一实施例中，在所述第一方向上，在距离所述衬底圆心相同位置处，底板靠近进气口部分的厚度大于靠近出气口部分的厚度。
5、在本申请的一实施例中，所述底板的厚度在所述第一方向上至少部分先逐渐减小后逐渐增大。
6、在本申请的一实施例中，所述底板具有圆锥形的凹陷部，所述凹陷部设置在所述背面，其中，所述凹陷部的顶点在竖直方向上与所述衬底的圆心对齐，或在所述第一方向上，所述凹陷部的顶点与所述衬底圆心之间的距离为0.2倍～0.4倍的所述衬底的直径，且所述凹陷部的顶点在所述第一方向上更靠近所述出气口。
7、在本申请的一实施例中，所述底板具有第一增厚块区和/或第二增厚块区，其中，所述第一增厚块区和所述第二增厚块区分别位于所述底板中间部分的两侧，且分别与所述进气口和所述出气口相邻，所述第一增厚块区和所述第二增厚块区均位于所述背面。
8、在本申请的一实施例中，所述第一增厚块区与所述第二增厚块区在所述第一方向上间隔的距离为所述衬底直径的1倍～1.3倍。
9、在本申请的一实施例中，在所述第一方向上，所述第一增厚块区比所述第二增厚块区长。
10、在本申请的一实施例中，所述底板具有第一增厚斜块区，所述第一增厚斜块区位于所述正面且与所述进气口相邻，其中，所述第一增厚斜块区具有第一坡面)，所述第一坡面朝向所述衬底。
11、在本申请的一实施例中，所述第一坡面与所述第一方向之间的夹角为0.7°～1.5°。
12、在本申请的一实施例中，所述第一坡面的靠近所述衬底端点与所述衬底在所述第一方向上间隔的距离为10mm～30mm。
13、在本申请的一实施例中，所述底板具有第二增厚斜块区，所述第二增厚斜块区位于所述正面且与所述出气口相邻，其中，所述第二增厚斜块区具有第二坡面，所述第二坡面朝向所述衬底。
14、在本申请的一实施例中，所述第二坡面与所述第一方向之间的夹角为0.7°～1.5°。
15、在本申请的一实施例中，所述第二坡面的靠近所述衬底端点与所述衬底在所述第一方向上间隔的距离为10mm～30mm。
16、本申请另一方面还提一种反应室，包括如前文所述的加热石墨组件。
17、本申请通过改变石墨件的局部区域的厚度来增加该局部区域的发热量，从而改善衬底的温度均匀性，提高沉积在衬底上的材料层的质量，以及避免衬底弯曲。
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1.一种加热石墨组件，所述加热石墨组件用于在位于反应腔(130)内的衬底上形成材料层，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，所述正面为平坦的表面，所述底板(111)与所述进气口(131)相邻部分的厚度增加在所述背面，所述底板(111)与所述出气口(132)相邻部分的厚度增加在所述背面。
3.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，在所述第一方向上，在距离所述衬底圆心相同位置处，底板(111)靠近进气口(131)部分的厚度大于靠近出气口(132)部分的厚度。
4.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，所述底板(111)的厚度在所述第一方向上至少部分先逐渐减小后逐渐增大。
5.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，所述底板(111)具有圆锥形的凹陷部，所述凹陷部设置在所述背面，其中，所述凹陷部的顶点在竖直方向上与所述衬底的圆心对齐，或在所述第一方向上，所述凹陷部的顶点与所述衬底圆心之间的距离为0.2倍～0.4倍的所述衬底的直径，且所述凹陷部的顶点在所述第一方向上更靠近所述出气口(132)。<...
【技术特征摘要】
1.一种加热石墨组件，所述加热石墨组件用于在位于反应腔(130)内的衬底上形成材料层，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，所述正面为平坦的表面，所述底板(111)与所述进气口(131)相邻部分的厚度增加在所述背面，所述底板(111)与所述出气口(132)相邻部分的厚度增加在所述背面。
3.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，在所述第一方向上，在距离所述衬底圆心相同位置处，底板(111)靠近进气口(131)部分的厚度大于靠近出气口(132)部分的厚度。
4.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，所述底板(111)的厚度在所述第一方向上至少部分先逐渐减小后逐渐增大。
5.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，所述底板(111)具有圆锥形的凹陷部，所述凹陷部设置在所述背面，其中，所述凹陷部的顶点在竖直方向上与所述衬底的圆心对齐，或在所述第一方向上，所述凹陷部的顶点与所述衬底圆心之间的距离为0.2倍～0.4倍的所述衬底的直径，且所述凹陷部的顶点在所述第一方向上更靠近所述出气口(132)。
6.如权利要求1所述的加热石墨组件，其特征在于，所述底板(111)具有第一增厚块区(111a)和/或第二增厚块区(111b)，其中，所述第一增厚块区(111a)和所述第二增厚块区(111b)分别位于所述底板中间部分的两侧，且分别与所述进气口(131)和所述出气口(132)相邻，所述第一增厚块区(111a)和所述第二增厚块区(111b)均位于所述背面。
7.如权利要求6所述的加热石墨组件，其特征在于，所述第一增厚块区(111a)与所述第二增厚块区(111b)在所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾强，于计划，卞达开，罗际蔚，
申请(专利权)人：研微江苏半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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